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標(biāo)簽 > SiGe
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當(dāng)CMOS技術(shù)遇上微波傳感器,更先進(jìn)的雷達(dá)系統(tǒng)誕生了
隨著武器測試技術(shù)的進(jìn)步、傳統(tǒng)的測速技術(shù),如靶圈測試、天幕靶測試等方法因測試過程 繁瑣,精度較差,已不能滿足實時戰(zhàn)地測試的需要...
使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz無線電的完整解決方案
完整的寬帶解決方案,涵蓋26 GHz至44 GHz范圍內(nèi)的所有無線電設(shè)計。這款完整的信號鏈采用高度集成的寬帶高性能部件,可減少元件數(shù)量,簡化設(shè)...
ADI公司拓展用于微波頻率生成和轉(zhuǎn)換的高集成度SiGe解決方案系列,為航空飛行、汽車?yán)走_(dá)和5G等各種客戶應(yīng)用提供寬帶性能。
SiGe外延工藝及其在外延生長、應(yīng)變硅應(yīng)用及GAA結(jié)構(gòu)中的作用
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中,隨著器件尺...
以CMOS技術(shù)實現(xiàn)的微型化毫米波傳感器
大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng),特別是高級駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達(dá)系統(tǒng),均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車...
2023-04-07 標(biāo)簽:SiGeadas雷達(dá)系統(tǒng) 1827 0
本應(yīng)用筆記介紹了硅鍺如何增強(qiáng)RF應(yīng)用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應(yīng)。SiGe技術(shù)的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探...
利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)...
關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來分析和介紹
在雷達(dá)應(yīng)用這塊, 除了早已上市的77-78,79-81GHz雷達(dá),主用于ADAS。同時94GHz雷達(dá)應(yīng)用也已成熟,用于惡劣天氣,機(...
來源:內(nèi)容來自「馭勢資本」,謝謝。 半導(dǎo)體封裝基礎(chǔ) 半導(dǎo)體制造工藝流程 半導(dǎo)體制造的工藝過程由晶圓制造(Wafer Fabr ication...
據(jù)IEEE報道,來自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管,未來經(jīn...
得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動揚聲器介紹
本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動系列揚聲器。 1 產(chǎn)品...
眾所週知,恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)是從荷蘭皇家飛利浦(Philips)獨立而出。而在歷經(jīng)多年的發(fā)展轉(zhuǎn)變后,今天的恩智浦...
基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應(yīng)用
最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片,在這里給大家介紹一下參數(shù)和指標(biāo),針對應(yīng)用會在文末給大家一些方向性參考。 雷達(dá)前端...
格羅方德推出性能增強(qiáng)型130nm硅鍺射頻技術(shù),以促進(jìn)下一代無線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展
格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術(shù)組合,推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方...
恩智浦半導(dǎo)體推出SiGe:C低噪聲放大器(LNA)
恩智浦半導(dǎo)體 NXP近日宣布推出SiGe:C低噪聲放大器(LNA),進(jìn)一步提高了GPS信號的線性度、噪聲系數(shù)以及GPS(包括GLONASS和伽利略衛(wèi)星定...
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC)日前推出世界首款單晶片硅鍺(SiGe)RF前端(FE)器件L...
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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SE7351L-T | SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7351L-AK3 | SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7265L-R | SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7265L-EK1 | SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7262L-EK1 | SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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