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Microchip下一代SiC MOSFET和SiCSBD的特性優(yōu)勢及典型應(yīng)用
隨著功率電子市場的發(fā)展,傳統(tǒng)硅(Si)器件的性能已經(jīng)接近了理論上的“天花板”,因此近年來以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶第三代半導(dǎo)體器...
來源:電氣技術(shù) 清華大學(xué)電機(jī)系電力系統(tǒng)及發(fā)電設(shè)備安全控制和仿真國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員朱義誠、趙爭鳴、王旭東、施博辰,在2017年第12期《電工技術(shù)學(xué)報...
美高森美瞄準(zhǔn)工業(yè)和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品,繼續(xù)在碳化硅解決方案領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位
美高森美參加在3月4日至8日在美國舉辦的APEC展覽會,于1147號展位展示適用于惡劣環(huán)境的電源應(yīng)用新器件。
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