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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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方正微電子亮相第十三屆儲(chǔ)能?chē)?guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)

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近日,在2025年第十三屆儲(chǔ)能?chē)?guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)上,深圳方正微電子副總裁彭建華發(fā)表了主旨演講,發(fā)布了“750V/650V...

2025-04-12 標(biāo)簽:MOSSiC儲(chǔ)能 743 0

SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來(lái)顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

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2025-04-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 319 0

電力電子應(yīng)用全面轉(zhuǎn)向碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的趨勢(shì)加速的原因

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電力電子應(yīng)用全面轉(zhuǎn)向碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的加速趨勢(shì),既源于其顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì),也與全球供應(yīng)鏈重構(g...

2025-04-12 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 471 0

如何用SiC模塊打造最高效率大于98.8%的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS

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2025-04-11 標(biāo)簽:模塊SiC儲(chǔ)能變流器 278 0

意法半導(dǎo)體:推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略,引領(lǐng)行業(yè)規(guī)模化發(fā)展

???????? ? ??文章來(lái)源:行家說(shuō)三代半 ? ??作者:行家說(shuō)-許若冰 ? ? 回顧2024年,碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個(gè)領(lǐng)域取得...

2025-04-10 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC第三代半導(dǎo)體 1517 0

國(guó)產(chǎn)SiC模塊破局策略:堅(jiān)持“技術(shù)定力+供應(yīng)鏈韌性+場(chǎng)景深耕”三位一體協(xié)同

以“他強(qiáng)任他強(qiáng),清風(fēng)拂山崗;他橫任他橫,明月照大江”為核心理念,結(jié)合當(dāng)前進(jìn)口IGBT模塊降價(jià)30%的價(...

2025-04-10 標(biāo)簽:IGBTSiC 215 0

茂睿芯亮相2025(春季)亞洲充電展

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近日,茂睿芯受邀參加充電頭網(wǎng)在前海國(guó)際會(huì)議中心舉辦的2025(春季)亞洲充電展。我司華南區(qū)應(yīng)用經(jīng)理梁潮裕先生參加了同期舉辦...

2025-04-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體控制器SiC 749 0

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商絕口不提柵氧可靠性的根本原因是什么

部分國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性以及TDDB(時(shí)間相關(guān)介電擊穿)和HTGB(高溫柵偏)報(bào)告作假的現(xiàn)象,反映了行業(y...

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通用變頻器中SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT模塊改變工業(yè)能效格局

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結(jié)合國(guó)家節(jié)能改造政策,SiC(碳化硅)功率模塊替代傳統(tǒng)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在電機(jī)通用變頻器中的應(yīng)用潛力巨大,其影響將深刻改...

2025-04-27 標(biāo)簽:IGBTSiC功率模塊 279 0

效率高達(dá)98.x%?揭開(kāi)SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的面紗

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效率高達(dá)98.x%的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的SiC碳化硅模塊解決方案揭秘 ? ? 核心技術(shù)優(yōu)勢(shì) SiC MOSFET特性 耐高壓高溫:支持120...

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柵氧工藝和電性能指標(biāo)的矛盾:部分國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商為降低成本,追求電性能指標(biāo),加上工藝條件受限,導(dǎo)致柵氧均勻性差...

2025-04-19 標(biāo)簽:MOSFETSiC車(chē)載充電機(jī) 242 0

薩瑞微電子SiC 和 GaN賦能AI服務(wù)器電源系統(tǒng)

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01AI服務(wù)器電源的核心挑戰(zhàn)與技術(shù)需求超高功率密度:?jiǎn)螜C(jī)架功率已從傳統(tǒng)服務(wù)器的數(shù)千瓦提升至數(shù)十千瓦(如英偉達(...

2025-04-03 標(biāo)簽:SiCGaNAI服務(wù)器 381 0

碳化硅(SiC)MOSFET的柵氧可靠性成為電力電子客戶應(yīng)用中的核心關(guān)切點(diǎn)

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為什么現(xiàn)在越來(lái)越多的客戶一看到SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商聊的第一個(gè)話題就是碳化硅MOSFET的柵氧可靠性,碳化硅(SiC)MOSFET的柵氧.....

2025-04-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 344 0

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東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

Wolfspeed作為全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè),其股價(jià)暴跌(單日跌幅超50%)、財(cái)務(wù)困境與德國(guó)3...

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一、引言 1.1 SiC材料在高壓電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用背景 碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,其物理特性(如3.3 eV的禁帶寬度、3.7...

2025-03-31 標(biāo)簽:SiC靜電計(jì) 287 0

質(zhì)量亂象:未通過(guò)可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果

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2025-04-02 標(biāo)簽:SiC功率模塊 311 0

從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性

深度分析:從IGBT模塊可靠性問(wèn)題看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問(wèn)題導(dǎo)致國(guó)內(nèi...

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2025-03-31 標(biāo)簽:SiC充電樁V2G 330 0

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