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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性
國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連...
為何必須通過(guò)TDDB(時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿)方法檢驗(yàn)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的柵氧可靠性水平
在充電樁、車載充電機(jī)(OBC)、汽車空調(diào)、光伏逆變器及逆變焊機(jī)等應(yīng)用中,部分國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET因柵氧可靠性問(wè...
聞泰科技榮膺2025中國(guó)上市公司年度智創(chuàng)品牌
近日,“2025第九屆中國(guó)上市公司品牌價(jià)值榜”發(fā)布會(huì)在上海圓滿落幕。聞泰科技憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新實(shí)力與...
老舊MPPT設(shè)計(jì)中+15V驅(qū)動(dòng)下的部分國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患
以下是對(duì)部分國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET因一味滿足老舊光伏逆變器MPPT設(shè)計(jì)中+15V驅(qū)動(dòng)電壓需求而引發(fā)柵氧可靠性隱患的深...
SiC碳化硅功率模塊賦能商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)高效升級(jí)的技術(shù)革新
在“雙碳”目標(biāo)推動(dòng)下,商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)的能效提升需求日益迫切。傳統(tǒng)IGBT模塊受限于高損耗與低開關(guān)頻率,難以滿足高效、高...
東芝第3代SiC MOSFET助于降低應(yīng)用中電源損耗分享個(gè)人觀點(diǎn)
功率器件是管理和降低各種電子設(shè)備電能功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和社會(huì)的重要元器件。由于與比硅材料相比,碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗,因此碳化硅(SiC)...
聞泰科技推出車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET
在全球新能源汽車加速普及的今天,續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點(diǎn),高功率電壓系統(tǒng)對(duì)1200V耐...
PCIM 2025:面向電動(dòng)汽車與工業(yè)系統(tǒng)的新型SiC功率器件
隨著全球電氣化進(jìn)程加速,工程師們面臨著一個(gè)核心難題:如何在更緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率密度,同時(shí)不犧牲散熱性能與長(zhǎng)期可靠性...
2025-05-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 465 0
SiC賦能IGBT:突破硅基極限,開啟高壓高效新時(shí)代
自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來(lái),基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過(guò)去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖然GE最早實(shí)現(xià...
英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)
本文是按照2024年“第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)”演講稿整理碳化硅為提升綠色能源鏈中的各種應(yīng)用提供了巨...
全球先進(jìn)的太陽(yáng)能發(fā)電及儲(chǔ)能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG(以下簡(jiǎn)稱“SMA”...
效率直逼99%!國(guó)產(chǎn)SiC讓儲(chǔ)能系統(tǒng)回本周期縮短2年
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)當(dāng)前,SiC芯片已經(jīng)在儲(chǔ)能系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用,并且發(fā)展呈現(xiàn...
2025-05-12 標(biāo)簽:SiC儲(chǔ)能系統(tǒng) 5141 0
揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目盛大開工
2025 年5月9日上午,中共揚(yáng)州市委副書記、秘書長(zhǎng)焦慶標(biāo),邗江區(qū)委書記張新鋼,揚(yáng)州市財(cái)政局局長(zhǎng)楊蓉...
2025-05-10 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 1317 0
英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹立新標(biāo)準(zhǔn),加速電動(dòng)汽車普及與工業(yè)效率提升
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)作為碳化硅(SiC)功率器件及SiCMOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,始終以卓越性能與...
2025-05-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌SiC 466 0
芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗
在功率器件的世界里,開關(guān)損耗是一個(gè)繞不開的關(guān)鍵話題。
宏微科技2025年第一季度財(cái)報(bào)要點(diǎn)
宏微科技(688711)今日披露2025年一季報(bào)顯示,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入2.97億元,同比增長(zhǎng)20.70%;歸屬于上市...
新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊
近日,英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊,旨在提升電動(dòng)汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失,還能在...
SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡
碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場(chǎng)耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件性能之間進(jìn...
國(guó)產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學(xué)習(xí)
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊在技術(shù)性能、成本控制及產(chǎn)業(yè)鏈整合方面已取得顯著進(jìn)展,但面對(duì)英飛凌等國(guó)際巨頭在技術(sh...
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