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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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近日,在第十八屆SNEC PV展,深圳方正微電子(FMIC)首次以“SiC功率專家”的品牌形象成功亮相光儲(chǔ)行業(yè),向客戶展示了第三代半導(dǎo)體SiC產(...
突發(fā)!歐系Tier1拋售6寸SiC晶圓廠,牽一發(fā)而動(dòng)全身
第三類半導(dǎo)體碳化矽(SiC)自 2023 年由中系業(yè)者打破過往料源產(chǎn)出瓶頸后,不僅打通了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的上下游通道,實(shí)現(...
突破性能邊界:基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景
突破性能邊界:基本半導(dǎo)體B3M010C075Z SiC MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用前景 ? ? ? ? 在高效能電力電子系統(tǒng)飛速發(fā)展的今天,...
SiC 市場的下一個(gè)爆點(diǎn):共源共柵(cascode)結(jié)構(gòu)詳解
Cascode簡介 碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢,特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻(稱為RDS.A...
新品 | 英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? SiC MOSFET 1200V模塊
新品英飛凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模塊英飛凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSF...
SiC戰(zhàn)場轉(zhuǎn)向國內(nèi)?三款SiC MOSFET新品齊發(fā),導(dǎo)通損耗再降50%
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)碳化硅(SiC)MOSFET已成為功率半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)演進(jìn)的重要方向。相比其他現(xiàn)有技術(...
為什么要選擇采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET
采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計(jì)元素.....
2025-06-09 標(biāo)簽:MOSFET服務(wù)器意法半導(dǎo)體 377 0
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí) 在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下,商用空調(d...
2025-06-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 213 0
理想汽車自研SiC團(tuán)隊(duì)成果:提高SiC MOSFET可靠性的方式
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC在電動(dòng)汽車上的大規(guī)模應(yīng)用,到目前為止已經(jīng)經(jīng)歷8年時(shí)間,...
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(d...
2025-06-07 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 289 0
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)洗牌:SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的批量淘汰
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的批量淘汰,與其視為行業(yè)危機(jī),不如理解為市場機(jī)制的自我凈化——當(dāng)參數(shù)虛標(biāo)...
2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 138 0
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可復(fù)制的戰(zhàn)略框架與方向指引
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)成功驗(yàn)證了國產(chǎn)碳化硅企業(yè)從“替代進(jìn)口”到“全球競合”的可行路徑。隨著8英寸量產(chǎn)...
2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 112 0
中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“結(jié)硬寨,打呆仗”的破局之路
中國SiC產(chǎn)業(yè)從政策扶持、技術(shù)攻堅(jiān)到資本賦能的縮影。其發(fā)展揭示了中國半導(dǎo)體企業(yè)的共性路徑:以IDM模式突破封鎖,以成...
2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 121 0
硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?
革命性替代:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT? —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn),IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(...
基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析
從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著進(j...
新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET
新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOS...
浮思特 | 緊湊型SiC模塊助力高功率密度車載充電器發(fā)展
電動(dòng)汽車領(lǐng)域的發(fā)展日新月異:電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)正朝著更高效率、更緊湊化的方向演進(jìn),以提升車輛自主性和續(xù)航里程...
Power Integrations發(fā)布1700 V SiC開關(guān)集成電路,專為800 V電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)
在全球電動(dòng)汽車市場快速發(fā)展的背景下,PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)開關(guān)集成電路,專門為800V電動(dòng)汽...
2025-05-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車集成電路SiC 281 0
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