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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、碳化硅 (...
2025-07-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 137 0
Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車級故障保護(hù)收發(fā)器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車級故障保護(hù)收發(fā)器是一款具有信號改善能力 (SIC) 的高速控制器局域網(wǎng) (CAN) 收發(fā)...
GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與...
解鎖高效驅(qū)動(dòng)!onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器評估板全解析
NCP51752是一款隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品,具備+4.5A源極電流和-9A吸收峰值電流,專為快速切換設(shè)計(jì),能夠驅(qū)動(dòn...
浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)
本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展,重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗...
碳化硅襯底切割自動(dòng)對刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型
一、引言 碳化硅(SiC)襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵,其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動(...
揭秘SiC肖特基二極管的關(guān)斷電容效應(yīng)
/引言/碳化硅(SiC)器件憑借其出色的電氣和熱性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si)器件,成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么,SiC到底有何獨(dú)特之處?特別...
2025-07-02 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC電容效應(yīng) 180 0
方正微1200V Easy2B碳化硅模塊在135kW PCS中的應(yīng)用
隨著全球能源需求不斷上升,我國“雙碳”戰(zhàn)略的逐步推進(jìn)和新能源行業(yè)的快速發(fā)展,近年來光伏儲能充電系統(tǒng)(PCS-Photovoltaic Storag...
安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性
安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關...
SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源:Pixa...
安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹
安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關...
對碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí),需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(y...
2025-06-13 標(biāo)簽:晶體管SiC功率半導(dǎo)體 437 0
本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)...
2025-06-12 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET波形 1329 0
碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)...
2025-06-04 標(biāo)簽:SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓 538 0
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...
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