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      sic器件

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      sic器件資訊

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      2025-01-23 標(biāo)簽：集成電路硅材料碳化硅 224 0

      昕感科技再添戰(zhàn)略股東，6英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目今年投產(chǎn)

      近日，昕感科技官宣完成京能集團(tuán)旗下北京京能能源科技并購?fù)顿Y基金戰(zhàn)略入股。

      2024-05-14 標(biāo)簽：晶圓功率半導(dǎo)體sic器件 689 0

      模塊化碳化硅（SiC）器件評(píng)估的深入分析

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      2024-05-06 標(biāo)簽：SiC模塊化碳化硅 1084 0

      SiC器件是如何提升電動(dòng)汽車的系統(tǒng)效率的

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      SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅(Si)材料，它具有更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、更高的熱導(dǎo)率和更高的運(yùn)載子遷移率。

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      Wolfspeed開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET

      ? 根據(jù)Wolfspeed的最新消息，隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產(chǎn)，Wolfspeed已經(jīng)開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET，首批供應(yīng)的產(chǎn)...

      2023-07-06 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅sic器件 682 0

      KLA助力車規(guī)SiC器件良率及可靠性提升

      隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展，越來越多的功率半導(dǎo)體芯片被使用在汽車的各個(gè)部位實(shí)現(xiàn)不同的功能。

      2023-05-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體芯片sic器件 408 0

      新能源汽車的發(fā)展帶動(dòng)充電樁行業(yè)市場(chǎng)崛起

      隨著新能源汽車的滲透率節(jié)節(jié)攀升，充電樁行業(yè)也迎來了進(jìn)一步的發(fā)展和市場(chǎng)擴(kuò)張。充電樁市場(chǎng)目前還遠(yuǎn)未成熟，有著巨大的發(fā)展空間。

      2023-05-08 標(biāo)簽：新能源汽車充電樁碳化硅 710 0

      SiC工藝特點(diǎn)核心裝備發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)

      器件性能和成本的持續(xù)倒逼和規(guī)模化生產(chǎn)對(duì)裝備支撐能力不斷提出新要求， 比如要求大尺寸、高效率和高產(chǎn)能、低污染等。

      2023-03-07 標(biāo)簽：MOSFET功率器件sic器件 1295 0

      關(guān)于ESS產(chǎn)品中SiC器件的應(yīng)用

      富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...

      2022-09-28 標(biāo)簽：功率器件可再生能源sic器件 1122 0

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      2022-08-09 標(biāo)簽：功率器件碳化硅sic器件 2047 0

      納米技術(shù)使下一代電動(dòng)汽車充電成為可能

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      隨著新型電動(dòng)汽車 （EV） 的推出，汽車制造商正努力創(chuàng)造一個(gè)更可持續(xù)的未來。這些電動(dòng)汽車的出現(xiàn)將見證能源的重大轉(zhuǎn)變，需要看到更強(qiáng)大的快速充電網(wǎng)絡(luò)，而硅 ...

      2022-08-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車鋰離子電池納米技術(shù) 1275 0

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      雖然硅幾乎達(dá)到了它的理論極限，但碳化硅功率器件已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了高度的可靠性和成熟度，在汽車領(lǐng)域提供了快速開關(guān)和前所未有的效率水平。本文基于PGC Consul...

      2022-07-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車電動(dòng)汽車電池碳化硅 604 0

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      2022-05-12 標(biāo)簽：電感sic器件 710 0

      英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性

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      如何量測(cè)SiC器件的結(jié)-殼熱阻和結(jié)溫等熱特性參數(shù)

      以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件，可在更高溫度、更高電壓、更高頻率環(huán)境下正常工作，同時(shí)功耗更小，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、...

      2021-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管sic器件 3424 0

      小鵬、比亞迪擁抱800V高壓平臺(tái)，電車普及超快充還在等什么？

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