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標(biāo)簽 > sic器件
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SiC器件優(yōu)越性、發(fā)展以及在電源系統(tǒng)的應(yīng)用分析
經(jīng)研究者的努力,以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸展示出及其優(yōu)異的性能。SiC功率器件耐高溫、抗輻射,具有較高的擊穿電壓和工作頻率,適于在惡劣條件下工...
具體來說,在新能源發(fā)電系統(tǒng)中,采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量...
對于動力傳動系統(tǒng)而言,電機(jī)控制電子設(shè)備被視為對生命至關(guān)重要,因此設(shè)計人員必須遵守“安全第一”的原則,并需要采用經(jīng)過不斷試驗和測試的技術(shù)。實際上,這也意味...
SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗解決方案解析
碳化硅(SiC)MOSFET的快速開關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時保持系統(tǒng)簡單性的電源設(shè)計人員具有很高的吸引力。
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...
2023-03-03 標(biāo)簽:芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 5010 0
可再生能源系統(tǒng)中的SiC實現(xiàn)更高效,更小且更具成本效益的電力方案
風(fēng)能和太陽能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲結(jié)合使用,是該行業(yè)增長最快的行業(yè)之一,寬帶隙碳化硅(SiC)技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)...
2021-03-12 標(biāo)簽:電容器升壓轉(zhuǎn)換器DCDC 5000 0
2018年model 3的數(shù)量是按照10多萬的生產(chǎn)量,這個數(shù)據(jù)某種程度上快速在刺激SiC 的MOSFET市場,而接下來高端車型都是往超快充能力的車型即將...
2019-01-18 標(biāo)簽:晶圓產(chǎn)業(yè)鏈sic器件 4329 0
電動車 (EV) 的發(fā)貨量正在迅速增長,預(yù)計 21 世紀(jì) 20 年代還將加速發(fā)展。主要汽車制造商都已經(jīng)推出了電動車或已制定了推出計劃,它們還積極與伙伴合...
2020-02-22 標(biāo)簽:sic器件電池系統(tǒng) 3231 0
使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路實用解決方案和指南
本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過實驗性雙脈沖測試(DPT)結(jié)果驗證。
SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面?電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC器件Si器件 1.3萬 1
英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET,進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日,德國慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下,電力消耗日益增加。與此同時,提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)...
SiC FET半導(dǎo)體器件的主要拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和器件功能解析
隨著5G網(wǎng)絡(luò)的部署,在世界范圍內(nèi)將有大規(guī)模的擴(kuò)建浪潮,并需要許多高質(zhì)量的電信整流器來提供所需的電力。為了滿足提高效率、降低運(yùn)營成本和降低物料清單成本的需...
SIC器件發(fā)展助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)技術(shù)革新
自2011年-2017年,我國新能源汽車市場規(guī)模年均復(fù)合增長率高達(dá)114%。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)顯示,2017年新能源汽車產(chǎn)銷量分別為79.4萬輛和...
小鵬、比亞迪擁抱800V高壓平臺,電車普及超快充還在等什么?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)與遵循摩爾定律持續(xù)高速迭代的集成電路不同,電池技術(shù)在過去幾十年中進(jìn)展緩慢。因此當(dāng)前電動汽車要解決續(xù)航問題,主要有兩個發(fā)展方...
眾所周知,封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征,如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA),...
眾所周知,封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征,如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA),...
如何量測SiC器件的結(jié)-殼熱阻和結(jié)溫等熱特性參數(shù)
以碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件,可在更高溫度、更高電壓、更高頻率環(huán)境下正常工作,同時功耗更小,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、...
談一下之前所說的SiC的器件使用問題,在國內(nèi)發(fā)生了一個案例,筆者做過一番采訪和調(diào)研之后做了一些整理,涉及三方(車企、零部件廠商和器件廠家),具體可以參考...
超共源共柵與硅技術(shù)和SiC MOSFET技術(shù)對比分析
新應(yīng)用不斷涌現(xiàn),這就需要有高壓開關(guān)技術(shù),而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比,該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣,從...
2020-02-24 標(biāo)簽:sic器件硅技術(shù)SiC MOSFET 2565 0
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