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碳化硅MOSFET以其高開(kāi)關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，在電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢(shì)，但碳...

2025-01-15 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSFET 175 0

國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET，正在崛起

來(lái)源：電子工程世界 SiC（碳化硅），已經(jīng)成為車(chē)企的一大賣(mài)點(diǎn)。而在此前，有車(chē)企因是否全域采用SiC MOSFET，發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)。可見(jiàn)，SiC這一市場(chǎng)在...

2025-01-09 標(biāo)簽：SiC MOSFET 107 0

IFWS&SSLCHINA2024 蘇州盛大開(kāi)幕，超千人齊聚探尋產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新融合新思路

2024年11月19日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇SSLCHINA2024）在蘇州開(kāi)幕。本屆論壇由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA...

2024-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC MOSFET 416 0

車(chē)載用SiC MOSFET又增10個(gè)型號(hào)，業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容！

ROHM面向xEV車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【關(guān)鍵詞】滿(mǎn)足汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)...

2024-08-25 標(biāo)簽：元器件 SiC MOSFET 274 0

如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件？

IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器...

2024-05-13 標(biāo)簽：芯片 MOSFET IGBT 703 0

小米SU7碳化硅應(yīng)用情況如何？

小米SU7單電機(jī)版，400V電壓平臺(tái)的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車(chē)電子，其中搭載了來(lái)自博世的碳化硅芯片，根據(jù)調(diào)研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產(chǎn)品。

2024-04-11 標(biāo)簽：永磁電機(jī)碳化硅 SiC MOSFET 1320 0

SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里

低電感電機(jī) 低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機(jī)、無(wú)槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類(lèi)型中。這些電機(jī)需要高...

2024-01-16 標(biāo)簽：電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET 324 0

全球汽車(chē)半導(dǎo)體行業(yè)正在以每年10%速度增長(zhǎng)

汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2022 年將達(dá)到 599 億美元，2023 年至 2032 年復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為 10.3%，達(dá)到 1531.1

2023-12-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器功率器件半導(dǎo)體器件 856 0

安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET，聚焦電動(dòng)汽車(chē)充電樁等市場(chǎng)

，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出...

2023-12-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)充電樁 SiC MOSFET 536 0

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告

2023-12-05 標(biāo)簽：二極管功率器件碳化硅 656 0

三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底，國(guó)內(nèi)8英寸加速布局！

從產(chǎn)能來(lái)看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/...

2023-09-14 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵碳化硅 1615 0

SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠...

2023-08-08 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 光電半導(dǎo)體 858 0

碳化硅1700v sic mosfet供應(yīng)商

ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureR...

2022-03-04 標(biāo)簽：碳化硅 SiC MOSFET 955 0

淺談SiC 和 GaN 的未來(lái)發(fā)展路線

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開(kāi)關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。

2023-02-06 標(biāo)簽：SiC GaN GaN晶體管 862 0

瑞薩電子推出用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET——RAJ2930004AGM

瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSF...

2023-02-03 標(biāo)簽：逆變器 IGBT 瑞薩電子 541 0

瑞能半導(dǎo)體最新推出1700V SiC MOSFET產(chǎn)品

作為全球規(guī)模最大的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)之一，CISES聚焦行業(yè)發(fā)展新動(dòng)態(tài)、新趨勢(shì)、新產(chǎn)品，致力于為業(yè)界高端決策者提供國(guó)際性合作交流平臺(tái)。

2022-09-07 標(biāo)簽：碳化硅 SiC MOSFET 瑞能半導(dǎo)體 1794 0

具有集成3相SiC MOSFET的液冷模塊

CISSOID 最近發(fā)布了專(zhuān)為降低開(kāi)關(guān)損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅（SiC） MOSFET 智能功率模塊（IPM）產(chǎn)品系列。

2022-08-04 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器碳化硅 SiC MOSFET 1788 0

瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的

相比于硅基高壓器件，碳化硅開(kāi)關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來(lái)驅(qū)動(dòng)功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1...

2022-08-01 標(biāo)簽：變換器電壓碳化硅 3701 0

SiC MOSFET的廠商現(xiàn)狀以及產(chǎn)品差別

隨著新能源市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，碳化硅功率器件迎來(lái)了新一輪增長(zhǎng)期。特別是電動(dòng)汽車(chē)上SiC MOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后，在近幾...

2022-07-25 標(biāo)簽：功率器件 SiC MOSFET 1410 0

富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享（二）：碳化硅器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問(wèn)題探討

作者：富昌電子星空 ??校稿：富昌電子蕭峰 ? 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方...

2022-06-16 標(biāo)簽：富昌電子 SiC 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 10.9萬(wàn) 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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USB-PD

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納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
LT8705

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UCD3138

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