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SEM：掃描線圈和放大倍率簡析

常規(guī)的TEM使用固定的入射電子束，而SEM的電子束在兩個垂直的（X和Y）方向上水平掃描樣品。

2023-12-01 標簽：探測器存儲器CRT技術(shù) 5259 0

電池工作溫度如何影響電池性能？

過去的研究表明，材料/電解液界面穩(wěn)定性對于電極材料在電池中性能發(fā)揮有著重要的影響。

2023-12-01 標簽：鋰離子電池SEM電解液 3195 0

有效減少掃描電鏡荷電效應的幾種方法

掃描電子顯微鏡（SEM簡稱掃描電鏡）是一個集電子光學技術(shù)、真空技術(shù)、精細機械結(jié)構(gòu)以及現(xiàn)代計算機控制技術(shù)于一體的復雜系統(tǒng)

2023-11-24 標簽：信噪比SEM靜電場 3028 0

多級界面工程多硫化鈷核殼納米結(jié)構(gòu)用于雙儲能裝置和析氫反應

綠電和綠氫等清潔能源的生產(chǎn)和儲存是解決能源危機和環(huán)境污染的關(guān)鍵。

2023-11-21 標簽：電容器超級電容器SEM 1569 0

基于JSM-35CF SEM的納米電子束光刻系統(tǒng)實現(xiàn)與應用

在電子和電氣制造業(yè)中，光刻技術(shù)是制造無源/有源器件的重要步驟。

2023-11-20 標簽：納米技術(shù)發(fā)生器SEM 1380 0

用于汗液實時監(jiān)測的全彈性可穿戴系統(tǒng)

可穿戴電子設(shè)備已在體育和醫(yī)療保健領(lǐng)域得到廣泛采用，用于監(jiān)測心率、血氧水平和體溫等生理指標。

2023-11-15 標簽：傳感器SEM微流控芯片 1627 0

有機共晶鹽輔助極低健康狀態(tài)富鎳陰極直接鋰再生

目前，直接再生的概念因其對環(huán)境影響小、經(jīng)濟價值高、回收材料性能穩(wěn)定等特點，受到了公眾的廣泛關(guān)注。

2023-11-14 標簽：SEM電解質(zhì)XRD 1693 0

SEM方法分析BlackPad的優(yōu)缺點

目前以ENIG為表面處理方式所占比例較大,ENIG金屬Ni層以NiP成份為主，在生產(chǎn)中易發(fā)生鎳腐蝕（后面稱blackpad）。

2023-11-10 標簽：SEM 382 0

在單個器件上實現(xiàn)光電探測和神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器兩種角色的轉(zhuǎn)換

光電探測器和神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器作為兩種典型的光電子器件，在光信息的感知和處理方面具有重要作用。

2023-11-04 標簽：SEMGaN視覺傳感器 1263 0

慣性微流控器件的微制造方法

在被動微流控方法中，慣性微流控因具有簡單、易于制造和高通量的特性而被認為是一種良好的過濾和分離方法。

2023-11-02 標簽：激光器SEM3D打印 619 0

基于微流控技術(shù)的流線型水凝膠微電機制造

近年來，微電機在生物醫(yī)學應用方面已取得顯著的進步。尤其是流線型電機，能以較低流體阻力提高操作效率。

2023-11-01 標簽：微電機SEMMSD 671 0

PCB通孔不良案例分析

小結(jié)：NG孔進行斷面金相觀察，發(fā)現(xiàn)5個孔中有3個出現(xiàn)孔無銅現(xiàn)象，位置均在孔內(nèi)，鎳層始終包住鍍銅，銅層消失位置平滑無尖銳角，未發(fā)現(xiàn)腐蝕現(xiàn)象。

2023-10-19 標簽：pcbSEM通孔 1191 0

PCB通孔不良案例分析！

【背景介紹】：PCB板在經(jīng)過電性測試試發(fā)現(xiàn)阻值異常，不良率2.13%。

2023-10-18 標簽：PCB板SEMEDS 1292 0

SEM IP多種工作模式的區(qū)別和選擇指導

UltraScale / UlraScale+系列的SEM IP一共有6種工作模式

2023-10-13 標簽：存儲器crcSEM 1201 0

催化劑利用率提高237倍！首次電化學生長超低負載鉑納米片超薄電極

為實現(xiàn)低成本的質(zhì)子交換膜電解槽(PEMECs)綠氫生產(chǎn)，迫切需要具有極低催化劑負載量、高催化劑利用率和易于制造的納米結(jié)構(gòu)催化劑集成電極。

2023-10-11 標簽：TTLSEMCCM 1310 0

FIB-TEM進行微納加工和原位研究分析

聚焦離子束與電子束曝光系統(tǒng)相似，由發(fā)射源、離子光柱、工作臺、真空與控制系統(tǒng)等結(jié)構(gòu)組成，其核心為離子光學系統(tǒng)，適用的是液態(tài)金屬離子源（例如鎵離子源）。

2023-10-10 標簽：SEMfib光電探測器 2787 0

什么是鄰道泄露抑制比（ACLR）？

鄰道泄露抑制比是用于衡量下行的發(fā)射性能，是主信道的發(fā)射功率與測得的相鄰信道的功率之比。

2023-10-10 標簽：SEM零中頻DPD算法 2844 0

互調(diào)、頻譜發(fā)射模板（SEM）和鄰道泄露抑制比（ACLR）的區(qū)別在哪？

在設(shè)備開發(fā)和測試中，特別是功放的測試，為什么會有這么多指標來衡量線性呢？輸入互調(diào)、頻譜發(fā)射模板（SEM）和鄰道泄露抑制比（ACLR）。

2023-10-10 標簽：SEMPCSACLR 1401 0

QFP接地虛焊步驟簡析

某QFP器件發(fā)生不良，不良率約10%，初步判斷為接地焊點可能存在虛焊現(xiàn)象。

2023-10-09 標簽：SEMQFPPCB焊盤 1577 0