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      標(biāo)簽　>　RF-SOI

      RF-SOI

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      　RF SOI是絕緣體上硅（SOI）技術(shù)的RF版本，該工藝?yán)昧藘?nèi)置隔離襯底的高電阻率特性。射頻SOI（RF-SOI）將延續(xù)其在4G應(yīng)用的技術(shù)和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，繼續(xù)成為5G Sub-6GHz頻段手機(jī)射頻開(kāi)關(guān)的主流解決方案。

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      RF-SOI簡(jiǎn)介

      　　RF SOI是絕緣體上硅（SOI）技術(shù)的RF版本，該工藝?yán)昧藘?nèi)置隔離襯底的高電阻率特性。

      　　射頻SOI（RF-SOI）將延續(xù)其在4G應(yīng)用的技術(shù)和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，繼續(xù)成為5G Sub-6GHz頻段手機(jī)射頻開(kāi)關(guān)的主流解決方案。

      　　RF-SOI在4G手機(jī)射頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中占有絕對(duì)的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，RF SOI工藝可工作頻率很高，F(xiàn)t/Fmax滿足毫米波工作頻率3至5倍的要求；RF SOI可以實(shí)現(xiàn)器件堆疊（device stacking），從而同時(shí)提高了功率與能效比

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      面向智能化和可持續(xù)移動(dòng)性的 RF-SOI 優(yōu)化襯底

      面向智能化和可持續(xù)移動(dòng)性的 RF-SOI 優(yōu)化襯底

      圖1: 連接性賦能智慧出行 ? 交通運(yùn)輸行業(yè)正在經(jīng)歷根本性的變革，它欣然迎接可持續(xù)性和智能出行的概念，愈加關(guān)注消費(fèi)者和全社會(huì)的需求、習(xí)慣與偏好（見(jiàn)圖1）...

      2022-06-07 標(biāo)簽：智能移動(dòng)服務(wù)RF-SOI 3473 0

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      5G、AI、汽車加持，半導(dǎo)體用量驟增，聽(tīng)聽(tīng)材料廠商怎么說(shuō)

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）5G、人工智能以及能源效率對(duì)半導(dǎo)體芯片的需求增長(zhǎng)已經(jīng)是趨勢(shì)，現(xiàn)時(shí)出現(xiàn)的芯片缺貨現(xiàn)象也離不開(kāi)這些新興應(yīng)用需求的影響。追溯到芯...

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      射頻前端底層技術(shù)的卓越性能，RF-SOI為5G賦能

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）SOI，Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅，在硅晶體管之間，加入絕緣體物質(zhì)，可使兩者之間的寄生電容比...

      2024-02-19 標(biāo)簽：射頻RF射頻前端 3651 0

      移動(dòng)通信、車聯(lián)網(wǎng)為什么越來(lái)越需要Connect-SOI？

      移動(dòng)通信、車聯(lián)網(wǎng)為什么越來(lái)越需要Connect-SOI？

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      2022-07-26 標(biāo)簽：SoitecRF-SOI晶圓襯底 1196 0

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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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