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標(biāo)簽 > pvd
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與傳統(tǒng)濺射或熱蒸發(fā)技術(shù)相比,離子束輔助沉積有哪些優(yōu)勢?
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù),可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用,以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
PVD篇 PVD是通過濺射或蒸發(fā)靶材材料來產(chǎn)生金屬蒸汽,然后將金屬蒸汽冷凝在晶圓表面上的過程。應(yīng)用材料公司在 PVD 技術(shù)開發(fā)方面擁有 25 年以上的豐...
隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高,器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。
濺射鍍膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氬(Ar)氣的真空條件下,使氬氣進(jìn)行輝光放電,這時氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+),氬離子...
純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕及反應(yīng)式離子刻蝕介紹
刻蝕有三種:純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕,以及介于兩者之間的反應(yīng)式離子刻蝕(ReactiveIonEtch,RIE)。
2023-02-20 標(biāo)簽:PVD反應(yīng)離子刻蝕 4069 0
TSV 是目前半導(dǎo)體制造業(yè)中最為先進(jìn)的技術(shù)之一,已經(jīng)應(yīng)用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實現(xiàn)其制程的關(guān)鍵設(shè)備選擇與工藝選擇息息相關(guān), 在某種程度上直接決定了 TSV 的...
鋁刻蝕可以使用多種不同的酸,其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...
CKS32F4xx系列產(chǎn)品提供了可編程電壓檢測器PVD,用于對MCU供電電壓VDD進(jìn)行監(jiān)控,當(dāng)檢測到電壓低于或者高于PVD設(shè)置的閾值時,會向內(nèi)核產(chǎn)生一個...
濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料,達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
進(jìn)行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的,膜沉積的測量范圍從幾納米到一微米。
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