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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個pn結(jié),在正向?qū)〞r,背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴,使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼?dǎo)調(diào)制效應(yīng))。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 1505 0
基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析
我們應(yīng)用簡單的Fulop模型對平行平面結(jié)進(jìn)行了分析,對復(fù)雜的Chynoweth模型進(jìn)行了化簡,由化簡的公式可得碰撞電離率積分和外加電壓之間存在一定的關(guān)系。
PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對擊穿電壓的影響
在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中,PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位,其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。
2023-11-24 標(biāo)簽:PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 1812 0
光電二極管是一種能夠?qū)⒐饽苻D(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于光照射在半導(dǎo)體材料上時,光子與材料中的電子相互作用,激發(fā)電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生...
根據(jù)網(wǎng)友的實(shí)際反饋,大家對三極管以及其組成的電路會犯迷糊,根據(jù)這個反饋情況也說明了,三極管部分是學(xué)習(xí)電路的難點(diǎn),也是重點(diǎn)。
二極管的類型 二極管是帶有pn結(jié)或替代結(jié)的雙端半導(dǎo)體器件。它們按結(jié)構(gòu)和用途可分為整流二極管、齊納二極管等。二極管已被廣泛應(yīng)用。 整流二極管的功能 二極管...
穩(wěn)壓二極管的工作原理、主要參數(shù)及應(yīng)用實(shí)例
穩(wěn)壓二極管,是指利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。
2023-11-03 標(biāo)簽:二極管電流穩(wěn)壓二極管 1.6萬 0
說到三極管之前,我們先說下二極管定義,二極管就是由一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的,采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)...
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