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采用Class-AB輸出級設(shè)計的運放可在較低的靜態(tài)電流下實現(xiàn)軌對軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號建立時的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實現(xiàn)更好的壓擺率。
MOSFET場效應(yīng)晶體管設(shè)計基礎(chǔ)
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的...
2023-07-11 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管TTL電平 3086 0
回顧下功耗的定義及其組成部分并總結(jié)降低功耗的常用方案
隨著工藝節(jié)點的不斷發(fā)展(現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm),芯片的性能需求越來越高,規(guī)模也越來越大
在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前,我們先來看看不同類型的負載開關(guān)。高壓側(cè)負載開關(guān)將負載與電源連接或斷開,由外部啟用信號控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負載。
NMOS LDO和PMOS LDO的Dropout Voltage簡析
LDO規(guī)格書中標注Dropout Voltage 這個指標一般都是有特定條件的,一般有負載電流、輸出電壓條件,在備注或者測試條件中還有溫度范圍,以及輸入...
Class-AB輸出級靜態(tài)工作點的偏置設(shè)計淺析
采用Class-AB輸出級設(shè)計的運放可在較低的靜態(tài)電流下實現(xiàn)軌對軌輸出,推挽的輸出方式使得其在大信號建立時的電流不受靜態(tài)電流的限制,可以實現(xiàn)更好的壓擺率。
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