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標(biāo)簽 > pmos管
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隨著移動(dòng)設(shè)備的興起和芯片工藝的提升,功耗成為近年來(lái)芯片設(shè)計(jì)越來(lái)越關(guān)注的話題。對(duì)功耗關(guān)注度的提升大致可以從兩方面進(jìn)行分析,用戶角度和芯片設(shè)計(jì)者角度。
2023-06-29 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)CMOS電路預(yù)分頻器 6110 0
PMOS管常作開(kāi)關(guān)使用,如果負(fù)載是較大的容性負(fù)載,則在PMOS管開(kāi)通瞬間,造成前級(jí)電源電壓跌落。如下面的示例: 圖1 PMOS作電源開(kāi)關(guān),開(kāi)通瞬間前級(jí)電...
2024-06-04 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻電流電源電壓 6001 0
NMOS管和PMOS管如何做開(kāi)關(guān)控制電路
NMOS當(dāng)下管,即S極(源極)直接接地,只需控制G極(柵極)電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止,因?yàn)镸OS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。
2024-01-15 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)控制柵極電壓NMOS管 5245 0
什么是負(fù)載開(kāi)關(guān)?為什么需要負(fù)載開(kāi)關(guān)及負(fù)載開(kāi)關(guān)的保護(hù)功能?
負(fù)載開(kāi)關(guān)是一個(gè)集成的電子繼電器,內(nèi)部用一個(gè)開(kāi)關(guān)來(lái)連接和斷開(kāi)系統(tǒng)電源軌。類似于閘刀,同時(shí),集成了很多輔助保護(hù)功能。
2023-10-02 標(biāo)簽:繼電器負(fù)載開(kāi)關(guān)體二極管 5240 0
分享一種按鍵防誤觸延時(shí)開(kāi)關(guān)電路
在我們?nèi)粘I钪?,用的最多的電子產(chǎn)品,比如電腦、手機(jī)等,一般都有開(kāi)關(guān)機(jī)鍵,當(dāng)我們想開(kāi)機(jī)或者關(guān)機(jī)的時(shí)候,我們就必須長(zhǎng)按(比如5s)才會(huì)產(chǎn)生動(dòng)作響應(yīng)。
2023-11-16 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路GPIODCDC芯片 5201 0
前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu),符號(hào),閾值電壓,四種工作狀態(tài)分別對(duì)應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式,相信大家對(duì)MOS管的工作原理有了一定的了解,這篇給大家...
gm/Id方法設(shè)計(jì)二級(jí)OTA(2)—電流鏡式放大器介紹
輸入級(jí)放大電路由 M1~M5 組成。M1 和 M2 組成 PMOS 差分輸入對(duì),差分輸入與單端輸入相比可以有效抑制共模信號(hào)干擾;M3、M4 電流鏡為有源...
如上圖MOS管符號(hào),要注意如果剛學(xué)完三極再來(lái)看這個(gè)會(huì)覺(jué)得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
高增益單級(jí)運(yùn)放和增益自舉電路設(shè)計(jì)
通過(guò)M9電流200uA,兩條支路分別是100uA的電流。我們計(jì)算設(shè)計(jì)仿真的順序是:M9-M7M8-M5M6-M1M2-M3M4。
2023-11-21 標(biāo)簽:二極管電路設(shè)計(jì)運(yùn)放 4295 0
用于基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生的啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)
下拉晶體管源極輸出端即為啟動(dòng)電路的啟動(dòng)節(jié)點(diǎn),該啟動(dòng)節(jié)點(diǎn)連接帶隙基準(zhǔn)電路的PMOS電流鏡柵極,啟動(dòng)電路工作時(shí)將帶隙基準(zhǔn)電路中的PMOS電流鏡柵極電平拉低,...
“電路防反接,你真的會(huì)用了嗎?MOS管用作防反接的接法,理解了嗎?”,做過(guò)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的工程師,都會(huì)在電源部分加入防反接電路,主要目的就是怕電源的GND...
怎樣去設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)易的獨(dú)立雙電源供電電路呢?
相信大家經(jīng)常會(huì)遇到外部交流電源和鋰電池這種雙電源供電的設(shè)備,因?yàn)檫@次做項(xiàng)目需要實(shí)現(xiàn)這樣的功能
你要是想讀懂這篇文章,請(qǐng)先去了解MOS管的基礎(chǔ)知識(shí),本文是在基礎(chǔ)之上做出的一部分?jǐn)U展,可能有一點(diǎn)點(diǎn)深,請(qǐng)各位同學(xué)注意。
2023-11-15 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管源極 4095 0
低功耗技術(shù)(一)動(dòng)態(tài)功耗與靜態(tài)功耗
翻轉(zhuǎn)功耗是由充放電電容引起的動(dòng)態(tài)功耗,其推導(dǎo)過(guò)程很簡(jiǎn)單,但是這個(gè)最終的結(jié)果卻十分重要。
低功耗設(shè)計(jì)的重要性,從下圖可窺一斑,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化,45nm工藝的動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。
2023-04-04 標(biāo)簽:NMOS低功耗設(shè)計(jì)漏電流 3851 0
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