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pmos管技術(shù)

決定低壓降穩(wěn)壓器LDO壓降的因素介紹

LDO（低壓降穩(wěn)壓器）的典型特性便是壓降。因?yàn)樗拿Q以及其縮寫由此而來。

2023-09-22 標(biāo)簽：線性穩(wěn)壓器誤差放大器低壓降穩(wěn)壓器 1995 0

二極管與MOS管電路怎樣防反接呢？

以我們平時(shí)最常見的電源供電為例，配置的電壓為5伏特，電流為2安培。在常規(guī)情況下，二極管它是串聯(lián)在電路當(dāng)中，用來保護(hù)后級(jí)電路免受電源反接損壞。

2023-09-22 標(biāo)簽：保護(hù)電路 MOS管肖特基二極管 733 0

氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)說明

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管氮化鎵 7871 0

CMOS模擬集成電路之反相器鏈電路的建立和前仿真

今天學(xué)習(xí)的是反相器鏈電路的建立和前仿真，說的簡單點(diǎn)就是反相器的原理圖仿真，和用AD畫原理圖一樣，開始是設(shè)計(jì)庫，后面是根據(jù)庫中的器件畫原理圖

2023-09-13 標(biāo)簽：MOS管反相器 CMOS集成電路 3292 0

在Virtuoso中認(rèn)識(shí)PMOS管和NMOS管

具體的在版圖設(shè)計(jì)中PMOS管和NMOS管是什么樣子的，我們來看看吧

2023-09-12 標(biāo)簽：反相器 CMOS晶體管 Virtuoso 7818 0

MOS管防電源反接電路圖 MOS管防電源反接電路設(shè)計(jì)

今天一如既往的給大家分享干貨，之前寫了二極管防電源反接電路，今天分享MOS管防電源反接電路。

2023-09-06 標(biāo)簽：二極管電路圖 MOS管 2938 0

具有銅互連的IC芯片設(shè)計(jì)

銅互連是一種比較新的技術(shù)。在經(jīng)過深入的研究和開發(fā)后，具有銅互連的IC芯片產(chǎn)品第一次在1999年出現(xiàn)。

2023-08-18 標(biāo)簽：CMOS IC芯片碳化硅 1317 0

講解一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響

SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響。

2023-08-11 標(biāo)簽：fpga sram CMOS工藝 2426 0

如何搭載一個(gè)負(fù)載開關(guān)電路load switch？

在很多電路中，一個(gè)電源可能對(duì)應(yīng)多個(gè)負(fù)載，有時(shí)候要切換負(fù)載的供電，有時(shí)候要對(duì)負(fù)載進(jìn)行限流，通常的方法可以用PMIC去操作不同的負(fù)載，也可以使用負(fù)載開關(guān)去操作。

2023-08-02 標(biāo)簽：電容器仿真器自舉電路 1558 0

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的...

2023-07-11 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 TTL電平 3085 0

CMOS反相器電路及其設(shè)計(jì)和分析方法

MOSFET器件是數(shù)字集成電路的最小單位，因?yàn)镸OSFET的開關(guān)特性和輸出曲線特性，由PMOS和NMOS組成的CMOS門電路，則為數(shù)字集成電路最基本的電路結(jié)構(gòu)。

2023-07-11 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 反相器 1.9萬 0

電流源負(fù)載共源放大器仿真設(shè)計(jì)

共源級(jí)放大器，負(fù)載為電流源，電流源采用電流鏡實(shí)現(xiàn)，偏置為電阻與電流鏡實(shí)現(xiàn)的簡單偏置。

2023-07-07 標(biāo)簽：放大器電流鏡偏置電路 2942 0

Class-AB輸出級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)的偏置設(shè)計(jì)淺析

采用Class-AB輸出級(jí)設(shè)計(jì)的運(yùn)放可在較低的靜態(tài)電流下實(shí)現(xiàn)軌對(duì)軌輸出，推挽的輸出方式使得其在大信號(hào)建立時(shí)的電流不受靜態(tài)電流的限制，可以實(shí)現(xiàn)更好的壓擺率。

2023-07-07 標(biāo)簽：MOS管電流鏡偏置電路 1755 0

一個(gè)簡單的過壓保護(hù)電路

簡單的過壓保護(hù)電路一般加個(gè)TVS可以實(shí)現(xiàn)，當(dāng)外部有瞬間高能量沖擊時(shí)候它能夠把這股能量抑制下來，雖然功率高，上千W都可以，但是維持抑制的時(shí)間很短很短，萬一...

2023-07-07 標(biāo)簽：三極管 TVS pnp 1375 0

用于基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生的啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)

下拉晶體管源極輸出端即為啟動(dòng)電路的啟動(dòng)節(jié)點(diǎn)，該啟動(dòng)節(jié)點(diǎn)連接帶隙基準(zhǔn)電路的PMOS電流鏡柵極，啟動(dòng)電路工作時(shí)將帶隙基準(zhǔn)電路中的PMOS電流鏡柵極電平拉低，...

2023-07-06 標(biāo)簽：三極管電流鏡晶體管 4290 0

列舉一些常見的PMOS管應(yīng)用

MOSFET作為OBC，電調(diào)，BMS和Charger，各類數(shù)字電源的核心功率器件，想必大家是耳熟能詳了。

2023-07-06 標(biāo)簽：MOSFET 正激電源鉗位電路 4975 0

用CMOS傳輸門實(shí)現(xiàn)一個(gè)異或門電路

用CMOS傳輸門實(shí)現(xiàn)一個(gè)雙路開關(guān)電路，在電路上標(biāo)明輸入端和輸出端，并寫出輸出的邏輯表達(dá)式。

2023-07-06 標(biāo)簽：CMOS 門電路模擬器 1.3萬 0

N阱CMOS工藝版圖

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。

2023-07-06 標(biāo)簽：集成電路晶體管 CMOS工藝 3909 0

gm/Id方法設(shè)計(jì)二級(jí)OTA(2)—電流鏡式放大器介紹

輸入級(jí)放大電路由 M1～M5 組成。M1 和 M2 組成 PMOS 差分輸入對(duì)，差分輸入與單端輸入相比可以有效抑制共模信號(hào)干擾；M3、M4 電流鏡為有源...

2023-07-05 標(biāo)簽：放大器濾波器電源電壓 4323 0

gm/Id方法設(shè)計(jì)二級(jí)OTA(1)—器件仿真

gm/Id方法是設(shè)計(jì)電路中寬長比的重要方法

2023-07-05 標(biāo)簽：仿真器 PMOS管 2651 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”

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