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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

DRAM與NAND的有什么樣的區(qū)別

DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別...

2020-10-31 標(biāo)簽：DRAM NAND 儲(chǔ)存器 5.1萬(wàn) 0

3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過(guò)它

3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái)，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者：...

2018-04-19 標(biāo)簽：dram nand 3dxpoint 5.1萬(wàn) 0

什么是3D NAND閃存？有什么優(yōu)勢(shì)？

層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高，要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚...

2018-05-28 標(biāo)簽：閃存 NAND 5.0萬(wàn) 0

使用與非門或或非門實(shí)現(xiàn)非門的案例解析

下一步是使用卡諾圖來(lái)化簡(jiǎn)邏輯表達(dá)式。從上面的最終卡諾圖（f）可以立即看出，可以將其簡(jiǎn)化為三個(gè)項(xiàng)。像往常一樣，我們一次一次地完成每一步。

2021-01-19 標(biāo)簽：NAND NOR 晶體管 4.3萬(wàn) 0

什么是UFS？UFS需要做哪些仿真？UFS的發(fā)展史、組成及特點(diǎn)

UFS（Universal Flash Storage）即通用閃存存儲(chǔ)，是一種將Nand Flash和Flash controller 協(xié)議接口封裝在一...

2023-12-22 標(biāo)簽：NAND FlaSh 仿真 3.9萬(wàn) 0

遇到Nand Flash壞塊怎么處理？

Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于...

2017-10-10 標(biāo)簽：Nand 周立功 2.5萬(wàn) 0

固態(tài)硬盤Trim指令是什么有什么作用如何正常工作

在固態(tài)硬盤的發(fā)展過(guò)程中，Trim指令起了很大的作用。如果不是它的出現(xiàn)，我們現(xiàn)在使用的固態(tài)硬盤性能都會(huì)下降一大截。Trim為何會(huì)有這樣神奇的作用？如何能確...

2018-12-23 標(biāo)簽：NAND 操作系統(tǒng)固態(tài)硬盤 2.5萬(wàn) 0

固態(tài)硬盤存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)丟失嗎

閃存（NAND）的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是把電子禁錮在柵極里，實(shí)際上，溫度越高，電子越活躍，越有可能跑掉一部分，時(shí)間一長(zhǎng)，很多電子跑掉后，數(shù)據(jù)就有可能丟失。實(shí)際上JE...

2020-02-22 標(biāo)簽：NAND SSD 固態(tài)硬盤 2.3萬(wàn) 0

Nand-flash存儲(chǔ)器工作原理及其操作實(shí)例（以K9F1208UOB為例）

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORflash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)...

2017-10-11 標(biāo)簽：nand flash存儲(chǔ)器 k9f1208uob 2.2萬(wàn) 0

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別

2016-12-27 標(biāo)簽：DRAM NAND RAM 2.2萬(wàn) 0

pSLC帶來(lái)的“新”存儲(chǔ)容量偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟(jì)性

（作者：Swissbit AG 存儲(chǔ)解決方案總經(jīng)理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲(chǔ)密度又達(dá)到新高的各種新...

2021-11-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ) 1.9萬(wàn) 0

深度剖析NAND門

NAND門是一個(gè)邏輯門，如果其所有輸入均為真，則產(chǎn)生低輸出（0），否則產(chǎn)生高輸出（1）。因此，NAND門是AND門的反面，其電路是通過(guò)將AND門連接到N...

2023-05-23 標(biāo)簽：NAND 邏輯門 AND 1.7萬(wàn) 0

25款經(jīng)典芯片你認(rèn)識(shí)多少

Camenzind回憶稱：“當(dāng)時(shí)這個(gè)微芯片差一點(diǎn)就沒(méi)有成功?！?在萌發(fā)設(shè)計(jì)555的想法的時(shí)候，Camenzind正在設(shè)計(jì)一種被稱為鎖相環(huán)的系統(tǒng)。

2019-11-12 標(biāo)簽：芯片 NAND 1.6萬(wàn) 0

什么是閃存顆粒？2D NAND和3D NAND間的區(qū)別跟聯(lián)系又是什么？

如果用一個(gè)詞來(lái)描述2016年的固態(tài)硬盤市場(chǎng)的話，那么閃存顆粒絕對(duì)是會(huì)被提及的一個(gè)關(guān)鍵熱詞。在過(guò)去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃...

2018-06-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 3D 1.5萬(wàn) 0

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時(shí)代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機(jī)的存儲(chǔ)就陷入了茫然。

2016-04-21 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 1.5萬(wàn) 0

閃存的兩種架構(gòu)：NOR和NAND工作原理及應(yīng)用

NOR架構(gòu)的布線和結(jié)構(gòu)如下圖所示。每個(gè)記憶單元互相獨(dú)立，都有一段直連到地，組成一個(gè)類似NOR閘（或稱“或非門”）的電路。

2022-12-05 標(biāo)簽：閃存 NAND 1.4萬(wàn) 0

SPI NAND完全解讀-基于GD5F1GM7xExxG

本文以具體型號(hào)為GD5F1GM7xExxG的GD的NAND為例,對(duì)SPI NAND Flash進(jìn)行介紹。不同廠家的不同型號(hào)都大同小異了解一款其他的也就都了解了。

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式 NAND FlaSh 1.3萬(wàn) 0

詳解三維NAND集成工藝（3D-NAND Integration Technology）

在20nm 工藝節(jié)點(diǎn)之后，傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲(chǔ)器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量，NAND集...

2023-02-03 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器工藝 1.3萬(wàn) 0

新型的存儲(chǔ)器技術(shù)有哪些新型存儲(chǔ)器能解決哪些問(wèn)題

盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技...

2018-12-24 標(biāo)簽：DRAM NAND 嵌入式存儲(chǔ)器 1.1萬(wàn) 1

一文詳解SSD中的掉電保護(hù)（熱插拔）原理

作為企業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)NVMe塊設(shè)備接口的固態(tài)硬盤固件，需要保證在存儲(chǔ)系統(tǒng)遇到異常掉電的情況下，或?qū)ΡP進(jìn)行熱插拔操作的情況下，保證盤上數(shù)據(jù)的可用性，正確性和一致性。

2023-12-12 標(biāo)簽：Nand 熱插拔 SSD 1.1萬(wàn) 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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