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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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本工作發(fā)表于FAST 2022。首次基于一家主要存儲供應(yīng)商的近200萬個SSD的大量企業(yè)存儲系統(tǒng),對生產(chǎn)使用中SSD的關(guān)鍵操作特性進(jìn)行了大規(guī)模的現(xiàn)場研究。
目前金士頓DataTraveler Max閃存盤由256GB、512GB、1TB三種容量組成,還有方便與手機連接的Type-C版本(長度要短一些,只有8...
imec展示了一種基于鑭摻雜鋯酸鉿(La:HZO)的鐵電電容器。該電容器具有高耐久性(1011個周期)、高最終剩余極化強度(1.8MV/cm時2P R ...
閃存的兩種架構(gòu):NOR和NAND工作原理及應(yīng)用
NOR架構(gòu)的布線和結(jié)構(gòu)如下圖所示。每個記憶單元互相獨立,都有一段直連到地,組成一個類似NOR閘(或稱“或非門”)的電路。
DRAM和NAND預(yù)計將占汽車內(nèi)存收入的近90%
2021 年,獨立內(nèi)存市場規(guī)模高達(dá)1670億美元。占整個半導(dǎo)體市場的 28%。相比之下,汽車存儲器市場(2021 年為 43億美元)占全球存儲器市場收入...
按照存儲介質(zhì)的不同,現(xiàn)代數(shù)字存儲主要分為光學(xué)存儲器、磁性存儲器和半導(dǎo)體存儲器三類。光學(xué)存儲器包括 CD、DVD 等。磁性存儲器包含磁帶、軟盤、HDD 硬...
拱形環(huán)形形成,具有良好的再現(xiàn)性。 特定的形狀具有良好的再現(xiàn)性。 需要采用最合適的電氣設(shè)計、結(jié)構(gòu)設(shè)計和工藝設(shè)計。 YMRH將支持客戶...
美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單,而且不甘示弱,SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D ...
計算嵌入式醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用中SSD的使用壽命
重要的是要注意,即使對于模型良好的應(yīng)用程序,計算也最多只是理論上的。產(chǎn)生真實結(jié)果的更準(zhǔn)確的方法包括使用應(yīng)用程序本身中的工具來監(jiān)控 NAND 閃存的確...
MCU用于NAND閃存保存引導(dǎo)代碼和固件的三種方法
請注意 USB OTG、以太網(wǎng)和 TFT 顯示接口等高端外圍設(shè)備。這些可能是代碼和數(shù)據(jù)密集型的。更高密度的 NAND 閃存的一個完美應(yīng)用是保存圖形頁面模...
低功耗和緊湊型解決方案滿足嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存要求
2014 年,賽普拉斯推出了 HyperBus 接口,該接口利用并行和串行接口存儲器的傳統(tǒng)特性,提高了系統(tǒng)性能,簡化了設(shè)計,并顯著降低了成本。在支持 H...
磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 是一種非易失性存儲器技術(shù),它依靠兩個鐵磁層的(相對)磁化狀態(tài)來存儲二進(jìn)制信息。多年來,出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲...
物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 及其 M2M 產(chǎn)品將一些最令人興奮的電子技術(shù)進(jìn)步帶到了我們生活的最前沿。大多數(shù)新產(chǎn)品和豐富的 M2M 服務(wù)正在針對 3G 技術(shù)進(jìn)行擴展。
2022-06-14 標(biāo)簽:NAND物聯(lián)網(wǎng)調(diào)制解調(diào)器 2138 0
由于HANA一體機的特點,使用最新的NVM內(nèi)存需要的是整個軟硬件業(yè)界的共同努力。目前SAP HANA數(shù)據(jù)庫(HANA2 SPS03)已經(jīng)實現(xiàn)了對NVM的...
雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術(shù)具有相似的高級特征,但它們的物理渲染卻大相徑庭。這為每個人提供了自己的一系列...
NAND閃存面臨的挑戰(zhàn),是什么阻礙了NAND閃存?
在過去的幾十年里,NAND 對固態(tài)存儲設(shè)備中的系統(tǒng)控制器提出了苛刻的任務(wù)。這些管理任務(wù)增加了系統(tǒng)復(fù)雜性、功耗、晶體管門數(shù)和整體存儲系統(tǒng)開發(fā)成本。
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