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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

節(jié)拍頻率指示器電路分享

節(jié)拍頻率指示器用于指示我們感興趣的信號(hào)頻率何時(shí)超過參考頻率。這是一個(gè)這樣的指示電路，它使用LED來指示我們的信號(hào)何時(shí)超過參考頻率。這些指示電路可用于功能...

2023-05-13 標(biāo)簽：NAND 指示器頻率 946 0

英睿達(dá)4TB容量的X8移動(dòng)SSD測(cè)評(píng)分析

英睿達(dá)X8移動(dòng)SSD是一款體形小巧的移動(dòng)SSD，三圍尺寸只有110mm（長(zhǎng)）×53mm（寬）×11.5mm（厚），重量也只有100g，比常見的智能手機(jī)更...

2023-05-08 標(biāo)簽：NAND SSD 英睿達(dá) 879 0

協(xié)議測(cè)試Open Lab分析底層PCIe的問題

最近某開發(fā)嵌入式平臺(tái)的客戶到我們的協(xié)議測(cè)試Open Lab分析底層PCIe的問題。

2023-05-06 標(biāo)簽：dsp NAND SSD 1245 0

在設(shè)計(jì)基于NAND的存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)選中所有框

有人會(huì)認(rèn)為設(shè)計(jì)一個(gè)基于NAND的存儲(chǔ)系統(tǒng)是相當(dāng)簡(jiǎn)單的。然而，這是一個(gè)極其復(fù)雜的過程，在此過程中需要進(jìn)行一系列組件和權(quán)衡。沒有一種適合所有解決方案的解決方...

2023-05-04 標(biāo)簽：電源控制器 NAND 1081 0

淺談智能座艙常見數(shù)據(jù)存儲(chǔ)（NAND 閃存 TF卡）

根據(jù)TF卡的存儲(chǔ)量來看，一般16G內(nèi)存的卡可以錄制100分鐘視頻存儲(chǔ)，32G內(nèi)存的卡可以錄制200分鐘視頻存儲(chǔ)，64G內(nèi)存的卡可以錄制400分鐘視頻存儲(chǔ)

2023-04-21 標(biāo)簽：閃存 NAND TF卡 1641 0

浪潮信息企業(yè)級(jí)SSD：如何在PCIe生態(tài)下，提升NAND信號(hào)質(zhì)量

近年來，隨著NAND接口速率越來越高，如何保證信號(hào)高速傳輸下的完整性和傳輸速率成為NAND廠商要面對(duì)的首要問題。浪潮信息企業(yè)級(jí)SSD通過對(duì)端接和電路的技...

2023-04-13 標(biāo)簽：NAND 接口 SSD 1121 0

一文了解新型存儲(chǔ)技術(shù)

萬(wàn)物智聯(lián)時(shí)代的到來，大幅提升了人工智能 (AI) 及邊緣計(jì)算 (Edge Computing)等巨量運(yùn)算架構(gòu)的應(yīng)用需求。但是傳統(tǒng)存儲(chǔ)器均在耗電量、數(shù)據(jù)訪...

2023-04-12 標(biāo)簽：DRAM NAND FlaSh 1255 0

存儲(chǔ)芯片將走向何方？存儲(chǔ)芯片的分類

應(yīng)用了閃存堆疊技術(shù)的3D NAND Flash的出現(xiàn)，比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲(chǔ)空間，滿足了業(yè)界日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求，因而成為主流。

2023-04-10 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片 3d nand 1847 0

基于NAND柵極的CMOS 4011的簡(jiǎn)單晶體振蕩器電路

許多需要精確控制時(shí)間的電子電路都使用晶體振蕩器。下圖所示的僅使用一個(gè)基于NAND柵極的CMOS 4011的簡(jiǎn)單晶體振蕩器。電阻R1將柵極偏置為線性區(qū)域，...

2023-04-08 標(biāo)簽：CMOS NAND 晶體振蕩器 1526 0

SSD市場(chǎng)將在2028年達(dá)到增長(zhǎng)130%

SSD 銷售額同比下降 14%，從 2021 年的 340 億美元降至 2022 年的 290 億美元；就單位而言，這相當(dāng)于約 3.52 億臺(tái)，低于 2...

2023-04-07 標(biāo)簽：NAND SSD 固態(tài)硬盤 753 0

什么是3D NAND閃存？

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之...

2023-03-30 標(biāo)簽：閃存 NAND Planar 2948 0

Linux SPI-NAND 驅(qū)動(dòng)開發(fā)指南

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一文了解SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別

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DRAM和NAND的局限性未來如何使用量子計(jì)算

“憑借先進(jìn)的封裝技術(shù)，一些公司已經(jīng)在 CPU 上堆疊 SRAM，”Lee 說?！暗窃?3 級(jí)之后，我們可以有 4 級(jí)，一個(gè)額外的緩存層嗎？根據(jù)工作負(fù)載...

2023-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND cpu 484 0

常用存儲(chǔ)器介紹

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能?；镜拇鎯?chǔ)器種類見圖21_1。

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什么是按位運(yùn)算符

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2023-02-09 標(biāo)簽：NAND 運(yùn)算符 and 1576 0

詳解三維NAND集成工藝（3D-NAND Integration Technology）

在20nm 工藝節(jié)點(diǎn)之后，傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲(chǔ)器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量，NAND集...

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新型存儲(chǔ)技術(shù)：新型SCM類介質(zhì)的特性及使用方法的總結(jié)和介紹

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2023-01-15 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù) 2307 0

NAND Flash接口的演進(jìn)史

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雙極性直流電壓檢測(cè)器提供靈敏度和精度

工業(yè)和科學(xué)應(yīng)用中的一個(gè)重要功能是檢測(cè)安全聯(lián)鎖、自動(dòng)定序器等中直流電壓的存在（或不存在）。為了檢測(cè)是否存在大的雙極性直流電平，當(dāng)檢波器的輸入位于零伏左右的...

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