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      標(biāo)簽　>　nand

      nand

      nand

      +關(guān)注16人關(guān)注

      NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

      文章：1513個(gè) 瀏覽：136280次 帖子：344個(gè)

      nand技術(shù)

      基于K9K2G08存儲器實(shí)現(xiàn)微型心電記錄儀的設(shè)計(jì)

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      常規(guī)心電圖記錄儀是醫(yī)生診斷心臟疾病的主要手段之一，但它僅能記錄短暫心搏情況。由于在相當(dāng)多的情況下難以記錄到即刻發(fā)作時(shí)的心電圖改變，導(dǎo)致無法作出正確的診斷和治療。

      2021-04-14 標(biāo)簽：電源nand存儲器 2211 0

      基于NAND FLASH控制器的自啟動方式實(shí)現(xiàn)SOC系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

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      本文所討論的NAND FLASH控制器是針對一款基于ARM7TDMI的SoC芯片，該控制器在芯片中的位置如圖1所示，作為AMBA總線上的一個(gè)從設(shè)備集成于...

      2020-05-20 標(biāo)簽：控制器nandflash 2156 0

      在M2M應(yīng)用中使用NOR和NAND閃存

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      　　物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 及其 M2M 產(chǎn)品將一些最令人興奮的電子技術(shù)進(jìn)步帶到了我們生活的最前沿。大多數(shù)新產(chǎn)品和豐富的 M2M 服務(wù)正在針對 3G 技術(shù)進(jìn)行擴(kuò)展。

      2022-06-14 標(biāo)簽：NAND物聯(lián)網(wǎng)調(diào)制解調(diào)器 2138 0

      NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

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      NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲一個(gè)位。使用多層單元（MLC），閃存可以為...

      2023-05-25 標(biāo)簽：NANDMLCslc 2119 0

      Micrium全家桶之uC-FS: 0x01 NAND FTL

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      這一篇我們來講講Micrium全家桶的uC-FS。文件系統(tǒng)是一個(gè)比較龐大的組件,我們以從下往上的順序介紹,即先以一個(gè)具體的設(shè)備:NAND為例,講其FTL...

      2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式NAND代碼 1952 0

      STM32的FSMC外設(shè)簡介

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      Flexible static memory controller(FSMC)靈活的靜態(tài)存儲控制器。FSMC可以連接異步或同步存儲器或16位PC存儲卡

      2023-07-11 標(biāo)簽：NandSRAM控制器AHB總線 1929 0

      nor flash的特點(diǎn)有哪些 nor flash和nand flash的區(qū)別

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      做電子產(chǎn)品，不免要跟存儲類產(chǎn)品打交道，也就是我們說的MEMORY。

      2023-08-08 標(biāo)簽：Nand存儲器SPI接口 1883 0

      金士頓DataTraveler Max閃存盤評測

      目前金士頓DataTraveler Max閃存盤由256GB、512GB、1TB三種容量組成，還有方便與手機(jī)連接的Type-C版本（長度要短一些，只有8...

      2022-12-21 標(biāo)簽：NANDSSD金士頓 1874 0

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      事務(wù)文件系統(tǒng)可以通過處理設(shè)備中的事務(wù)日志來動態(tài)建立文件系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)。這種操作發(fā)生在系統(tǒng)啟動之時(shí)，應(yīng)設(shè)計(jì)成只有很少部分的數(shù)據(jù)需要讀取和CRC校驗(yàn)。這樣一...

      2021-04-06 標(biāo)簽：嵌入式nand汽車電子 1872 0

      MCU用于NAND閃存保存引導(dǎo)代碼和固件的三種方法

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      請注意 USB OTG、以太網(wǎng)和 TFT 顯示接口等高端外圍設(shè)備。這些可能是代碼和數(shù)據(jù)密集型的。更高密度的 NAND 閃存的一個(gè)完美應(yīng)用是保存圖形頁面模...

      2022-08-09 標(biāo)簽：微控制器mcuSDRAM 1859 0

      存儲芯片將走向何方？存儲芯片的分類

      應(yīng)用了閃存堆疊技術(shù)的3D NAND Flash的出現(xiàn)，比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲空間，滿足了業(yè)界日益增長的存儲需求，因而成為主流。

      2023-04-10 標(biāo)簽：NAND存儲芯片3d nand 1848 0

      如何為系統(tǒng)選擇合適的NAND閃存？

      閃存單元由修改的場效應(yīng)晶體管（FET）組成，在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。 通過施加高壓將電荷注入到浮柵上（或從浮柵上去除）。 ...

      2021-04-14 標(biāo)簽：閃存NAND存儲 1845 0

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      我們當(dāng)然希望LDO的輸出準(zhǔn)確、負(fù)載（電流）變化時(shí)能夠快速響應(yīng)。

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      摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以...

      2023-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NANDFlaSh 1772 0

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      在開始處理一體FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)之前，我們應(yīng)該警告你，一體FLASH器件焊接的整個(gè)過程很復(fù)雜，需要良好的焊接技能和特殊設(shè)備。 如果您之前從未嘗試過焊接一...

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      為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗？為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運(yùn)行不起來？了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)就都有答案了。

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      uC-FS的NAND驅(qū)動實(shí)現(xiàn)基于一篇論文:《KAST: K-Associative Sector Translation for NAND Flash ...

      2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式NAND算法 1658 0

      淺談智能座艙常見數(shù)據(jù)存儲（NAND 閃存 TF卡）

      根據(jù)TF卡的存儲量來看，一般16G內(nèi)存的卡可以錄制100分鐘視頻存儲，32G內(nèi)存的卡可以錄制200分鐘視頻存儲，64G內(nèi)存的卡可以錄制400分鐘視頻存儲

      2023-04-21 標(biāo)簽：閃存NANDTF卡 1641 0

      NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好

      在討論NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好時(shí)，我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析，包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場景、成本效益以及未來發(fā)展趨勢等。

      2024-07-29 標(biāo)簽：驅(qū)動器NANDFlaSh 1613 0

      關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析（設(shè)計(jì)、制造和后制造）

      半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

      2024-02-19 標(biāo)簽：DRAMNAND半導(dǎo)體制造 1604 0

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        云儲存
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        云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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        +關(guān)注
        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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        江波龍
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        非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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        合肥長鑫
        +關(guān)注
        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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        NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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        SRAM存儲器
        +關(guān)注
        　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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        SQL Server
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        3DXPoint
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        存儲行業(yè)
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      • 快閃存儲器
        快閃存儲器
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      • 安博會
        安博會
        +關(guān)注
      • nosql
        nosql
        +關(guān)注
        　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
      • 云盤
        云盤
        +關(guān)注
        云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
      • FORESEE
        FORESEE
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        FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
      • USB 3.0接口
        USB 3.0接口
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