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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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引言:隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展,有許多具有串行外圍接口(SPI)的應(yīng)用需要更高密度的內(nèi)存解決方案來存儲大型程序系統(tǒng)和文件。對于這些應(yīng)用需求,基于Nand結(jié)構(gòu)...
數(shù)據(jù)是人們生活中不可或缺的重要組成部分。受制于容量限制,人們往往需要定期地從設(shè)備上刪除“無用的”文件以釋放存儲空間。然而,許多人并沒有定期清理文件的習(xí)慣...
存儲器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能?;镜拇鎯ζ鞣N類見 圖21_1。
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到,NAND型閃存...
NAND閃存是一種大眾化的非易失性存儲器,主要是因?yàn)樾⌒?,低功耗且?jiān)固耐用。 盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲,但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時,需要考慮許多重要特...
磁阻隨機(jī)存取存儲器 (MRAM) 是一種非易失性存儲器技術(shù),它依靠兩個鐵磁層的(相對)磁化狀態(tài)來存儲二進(jìn)制信息。多年來,出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲...
大容量存儲器TC58DCG02A1FT00的引腳功能、特點(diǎn)及應(yīng)用分析
此外,NAND的實(shí)際應(yīng)用方式要比NOR復(fù)雜得多。NOR可以直接使用,并在上面直接運(yùn)行代碼。而NAND需要I/O接口,因此使用時需要驅(qū)動程序。不過當(dāng)今流行...
2020-05-26 標(biāo)簽:nand存儲器操作系統(tǒng) 2364 0
新型存儲技術(shù):新型SCM類介質(zhì)的特性及使用方法的總結(jié)和介紹
Storage Class Memory (SCM)是非易失性內(nèi)存,該類介質(zhì)的存取速度略比內(nèi)存慢,但是遠(yuǎn)快于NAND類介質(zhì)。本文對該類介質(zhì)的特性及使用方...
ARM各種斷點(diǎn)到底有什么區(qū)別?什么類型的斷點(diǎn)會修改Flash?
最近在支持BLE KW客戶時就遇到一個很隱蔽的問題,讓我對ARM斷點(diǎn)又有了顛覆性的認(rèn)識,此處聊作記錄,也為讀者分析問題提供一個思路。
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間...
基于NAND Flash的閃存轉(zhuǎn)譯層設(shè)計(jì)
本文設(shè)計(jì)了一種針對NAND型的閃存轉(zhuǎn)譯層,使NFTL完成地址映射和壞塊管理以及連續(xù)讀寫數(shù)據(jù)的操作。對NAND Flash的分區(qū)設(shè)計(jì),使塊管理結(jié)構(gòu)清晰,...
在當(dāng)今科技時代,數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長,NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來,虛擬 SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)...
NAND Flash與NOR Flash:壞塊管理需求的差異解析
NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類型的閃存技術(shù),它們在存儲單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。
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