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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過它
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來,最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點優(yōu)勢,3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者:...
3D NAND與2D NAND之間的區(qū)別聯(lián)系對比
如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話,那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里,圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事,包括閃...
指定了SDRAM卻燒寫到了Nand flash的詳細(xì)分析
要解答這個問題,首先要從Nand flash本身的結(jié)構(gòu)說起。Nand flash的結(jié)構(gòu)和RAM不一樣,它的數(shù)據(jù)線是復(fù)用的,內(nèi)與足夠的地址線用來尋址,對于...
基于NAND Flash的閃存轉(zhuǎn)譯層設(shè)計
本文設(shè)計了一種針對NAND型的閃存轉(zhuǎn)譯層,使NFTL完成地址映射和壞塊管理以及連續(xù)讀寫數(shù)據(jù)的操作。對NAND Flash的分區(qū)設(shè)計,使塊管理結(jié)構(gòu)清晰,...
Nand-flash存儲器工作原理及其操作實例(以K9F1208UOB為例)
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORflash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)...
2017-10-11 標(biāo)簽:nandflash存儲器k9f1208uob 2.2萬 0
NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NA...
Nand Flash存儲器是Flash存儲器的一種,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于...
DRAM/NAND都是啥?科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別
現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及,已掩蓋電腦時代的輝煌,很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
東芝將于2013 CES展示采用NFC技術(shù)的SDHC存儲卡
東芝公司(Toshiba Corporation)將在2013年國際消費電子展(2013 International CES)上參考展示采用Transf...
隨著信息的爆發(fā)式增長,相關(guān)部門在部署信息存儲應(yīng)用時,越來越多地考慮固態(tài)硬盤(SSD)技術(shù),這是因為這種技術(shù)具有特別快速的性能。然而,他們可能沒有認(rèn)識到市...
非易失性存儲器主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)?
閃存幾乎無處不在,特別是在移動設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸,隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增加,閃存不斷地推動著越來越多的平臺中硬盤驅(qū)動...
分析師熱議美光并購恒憶案 美光(Micron)以12.7億美元總價并購恒憶(Numonyx),為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)版圖又創(chuàng)新局,究竟后續(xù)可能對市場影響為何,以下...
全力以赴迎接市場機遇,恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景
全力以赴迎接市場機遇,恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景 盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)...
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