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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

NAND閃存市場分析閃存控制器行業(yè)玩家分析

2021年至2027年，以百萬計(jì)為單位的NAND晶圓復(fù)合年均增長率（CAGR）為3%（見圖3），其中，汽車應(yīng)用增長最快，CAGR為20%；其次則是數(shù)據(jù)中...

2023-11-06 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 814 0

NAND Flash與其他類型存儲(chǔ)器的區(qū)別

NAND Flash作為一種基于NAND技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器，具有多個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，這些優(yōu)點(diǎn)使其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。以下是對NAND Flash優(yōu)...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 SSD硬盤 807 0

三星SSD存儲(chǔ)產(chǎn)品報(bào)價(jià)上漲25%，市場面臨新一輪價(jià)格調(diào)整

AI浪潮中數(shù)據(jù)中心建設(shè)如火如荼，相關(guān)存儲(chǔ)設(shè)備需求急速增長——近半個(gè)多月以來，基于NAND閃存的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）產(chǎn)品開始供不應(yīng)求。

2024-04-02 標(biāo)簽：NAND 服務(wù)器 SSD 801 0

在i.MXRT1xxx系列上用NAND型啟動(dòng)設(shè)備時(shí)可用兩級(jí)設(shè)計(jì)縮短啟動(dòng)時(shí)間

去年痞子衡寫過一篇騷操作文章《借助i.MXRT10xx系列INIT_VTOR功能可以縮短程序熱重啟時(shí)間》，這對于 NAND 型啟動(dòng)設(shè)備上程序熱重啟時(shí)間...

2024-05-01 標(biāo)簽：NAND Vcc emmc 798 0

存儲(chǔ)系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)全解：存儲(chǔ)協(xié)議及關(guān)鍵技術(shù)

SSD主要由控制單元和存儲(chǔ)單元(當(dāng)前主要是FLASH閃存顆粒)組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等,存儲(chǔ)單元主要是NAND FLASH顆粒。

2023-10-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 DRAM NAND 794 0

3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問題，3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，通過在垂直方向上堆疊存儲(chǔ)單元，大幅提升了存儲(chǔ)密度。本文將簡...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 3D 782 0

SSD市場將在2028年達(dá)到增長130%

SSD 銷售額同比下降 14%，從 2021 年的 340 億美元降至 2022 年的 290 億美元；就單位而言，這相當(dāng)于約 3.52 億臺(tái)，低于 2...

2023-04-07 標(biāo)簽：NAND SSD 固態(tài)硬盤 753 0

瀚海微SD NAND存儲(chǔ)功能描述(15)命令類b

1)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)不得跨越物理塊邊界，除非在CSD中設(shè)置了WRITE BLK MISALIGN。如果不支持寫部分塊，則塊長度-默認(rèn)塊長度(在CSD中給出)1...

2024-08-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)SDIO接口 730 0

高容量和高性能閃存

Toggle2NAND 在沒有時(shí)鐘的情況下使用雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR），但它與傳統(tǒng) SDR NAND 中支持的功能和命令兼容。在提供高數(shù)據(jù)傳輸速率的同時(shí)...

2023-05-26 標(biāo)簽：NAND DDR SDR 722 0

嵌入式企業(yè)版啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)器的需求并非您所想的那樣

為企業(yè)部門設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)系統(tǒng)非常注重實(shí)現(xiàn)顯著的耐久率。服務(wù)器群的機(jī)架式服務(wù)器SSD旨在實(shí)現(xiàn)每天的速度，低延遲和最大驅(qū)動(dòng)器寫入。

2019-07-11 標(biāo)簽：NAND 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)模塊 722 0

聊聊企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)盤中的操作特性

本工作發(fā)表于FAST 2022。首次基于一家主要存儲(chǔ)供應(yīng)商(NetApp)的近200萬個(gè)SSD的大量企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)，對生產(chǎn)使用中SSD的關(guān)鍵操作特性進(jìn)行了...

2023-10-19 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND 存儲(chǔ) 692 0

eMMC主控的定義和主要功能

eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒體存儲(chǔ)卡。eMMC采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的接口，把高容量NAND Flash...

2024-11-09 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 681 0

計(jì)算嵌入式醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用中SSD的使用壽命

　　重要的是要注意，即使對于模型良好的應(yīng)用程序，計(jì)算也最多只是理論上的。產(chǎn)生真實(shí)結(jié)果的更準(zhǔn)確的方法包括使用應(yīng)用程序本身中的工具來監(jiān)控 NAND 閃存的確...

2022-08-11 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND SSD 679 0

常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用

LPDDR是在DDR的基礎(chǔ)上多了LP(Low Power)前綴,全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，簡稱“低功耗內(nèi)存...

2024-01-02 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器固態(tài)硬盤 676 0

3D NAND沉積技術(shù)的特點(diǎn)及挑戰(zhàn)

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-12 標(biāo)簽：集成電路 NAND 3D 661 0

三季度智能手機(jī)需求反彈 NAND明年將現(xiàn)缺貨潮

2023年第三季度全球智能手機(jī)出貨量約為2.90億部，同比下降約1.6%，中國大陸市場出貨量約為6640萬部，同比下降約1.8%，不管是全球還是中國大陸...

2023-11-22 標(biāo)簽：智能手機(jī)閃存 NAND 659 0

Hyperstone引入用例追蹤器來優(yōu)化NAND閃存的配置和管理

通過啟用追蹤和分析應(yīng)用程序使用閃存方式的能力，制造商現(xiàn)在可以為任何用例確定最優(yōu)的閃存存儲(chǔ)技術(shù)。

2019-04-23 標(biāo)簽：閃存 NAND Hyperstone 656 0

恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RT1170 uSDHC eMMC啟動(dòng)時(shí)間。

2024-08-08 標(biāo)簽：芯片 NAND 恩智浦 632 0

深入解析MK米客方德 SD NAND與文件系統(tǒng)

MK米客方德的SD NAND，一款基于NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新存儲(chǔ)解決方案，因其卓越的耐用性和小巧的體積，在市場中贏得了廣泛的認(rèn)可。這款產(chǎn)品遵循SD協(xié)會(huì)制...

2024-06-07 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND STM32 625 0

3D NAND的層是否數(shù)物理限制？

美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D ...

2022-08-29 標(biāo)簽：NAND 3d nand 613 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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