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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)在于寫（編程）和擦除操作的速率快，而NOR的優(yōu)點(diǎn)是具有隨機(jī)存取和對(duì)字節(jié)執(zhí)行寫（編程）操作的能力（見下圖圖2）。NOR的隨機(jī)存取能力支持直接代碼執(zhí)行（XiP），而這是嵌入式應(yīng)用經(jīng)常需要的一個(gè)功能。NAND的缺點(diǎn)是隨機(jī)存取的速率慢，NOR的缺點(diǎn)是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲(chǔ)文件。如今，越來越多的處理器具備直接NAND接口，并能直接從NAND（沒有NOR）導(dǎo)入數(shù)據(jù)。
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)在于寫（編程）和擦除操作的速率快，而NOR的優(yōu)點(diǎn)是具有隨機(jī)存取和對(duì)字節(jié)執(zhí)行寫（編程）操作的能力（見下圖圖2）。NOR的隨機(jī)存取能力支持直接代碼執(zhí)行（XiP），而這是嵌入式應(yīng)用經(jīng)常需要的一個(gè)功能。NAND的缺點(diǎn)是隨機(jī)存取的速率慢，NOR的缺點(diǎn)是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合于存儲(chǔ)文件。如今，越來越多的處理器具備直接NAND接口，并能直接從NAND（沒有NOR）導(dǎo)入數(shù)據(jù)。
編程速度快、擦除時(shí)間短
NAND的真正好處是編程速度快、擦除時(shí)間短。NAND支持速率超過5Mbps的持續(xù)寫操作，其區(qū)塊擦除時(shí)間短至2ms，而NOR是750ms。顯然，NAND在某些方面具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。然而，它不太適合于直接隨機(jī)存取。
對(duì)于16位的器件，NOR閃存大約需要41個(gè)I/O引腳；相對(duì)而言，NAND器件僅需24個(gè)引腳。NAND器件能夠復(fù)用指令、地址和數(shù)據(jù)總線，從而節(jié)省了引腳數(shù)量。復(fù)用接口的一項(xiàng)好處，就在于能夠利用同樣的硬件設(shè)計(jì)和電路板，支持較大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封裝已經(jīng)沿用多年，該功能讓客戶能夠把較高密度的NAND器件移植到相同的電路板上。NAND器件的另外一個(gè)好處顯然是其封裝選項(xiàng)：NAND提供一種厚膜的2Gb裸片或能夠支持最多四顆堆疊裸片，容許在相同的TSOP-1封裝中堆疊一個(gè)8Gb的器件。這就使得一種封裝和接口能夠在將來支持較高的密度。
NOR閃存的隨機(jī)存取時(shí)間為0.12ms，而NAND閃存的第一字節(jié)隨機(jī)存取速度要慢得多
以2Gb NAND器件為例，它由2048個(gè)區(qū)塊組成，每個(gè)區(qū)塊有64個(gè)頁(yè)
2GB NAND閃存包含2，048個(gè)區(qū)塊
DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別...
3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過它
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者：...
層數(shù)的增加也就意味著對(duì)工藝、材料的要求會(huì)提高，要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時(shí)候，存儲(chǔ)堆棧的高度也在增大，然而每層的厚...
下一步是使用卡諾圖來化簡(jiǎn)邏輯表達(dá)式。從上面的最終卡諾圖（f）可以立即看出，可以將其簡(jiǎn)化為三個(gè)項(xiàng)。像往常一樣，我們一次一次地完成每一步。
什么是UFS？UFS需要做哪些仿真？UFS的發(fā)展史、組成及特點(diǎn)
UFS（Universal Flash Storage）即通用閃存存儲(chǔ)，是一種將Nand Flash和Flash controller 協(xié)議接口封裝在一...
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于...
在固態(tài)硬盤的發(fā)展過程中，Trim指令起了很大的作用。如果不是它的出現(xiàn)，我們現(xiàn)在使用的固態(tài)硬盤性能都會(huì)下降一大截。Trim為何會(huì)有這樣神奇的作用？如何能確...
2018-12-23 標(biāo)簽：NAND操作系統(tǒng)固態(tài)硬盤 2.5萬 0
固態(tài)硬盤存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)丟失嗎
閃存（NAND）的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是把電子禁錮在柵極里，實(shí)際上，溫度越高，電子越活躍，越有可能跑掉一部分，時(shí)間一長(zhǎng)，很多電子跑掉后，數(shù)據(jù)就有可能丟失。實(shí)際上JE...
Nand-flash存儲(chǔ)器工作原理及其操作實(shí)例（以K9F1208UOB為例）
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORflash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)...
2017-10-11 標(biāo)簽：nandflash存儲(chǔ)器k9f1208uob 2.2萬 0
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SM3267超高速USB 3.0閃存驅(qū)動(dòng)器控制器的詳細(xì)介紹立即下載
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類別：存儲(chǔ)器技術(shù) 2019-04-08 標(biāo)簽：閃存NANDRAM
三星西安:全球規(guī)模最大的閃存芯片生產(chǎn)基地
據(jù)報(bào)道，近日，陜西省2020年重點(diǎn)項(xiàng)目觀摩活動(dòng)舉行。其中，在走進(jìn)西安中，三星12英寸閃存芯片二期項(xiàng)目、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目等被提及。
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淺析國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀與未來！
近日，存儲(chǔ)芯片大廠三星正式宣布已開始量產(chǎn)96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時(shí)，三星還正式發(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片。...
美光宣布已量產(chǎn)全球首款232層NAND 帶來前所未有的性能
美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過 200 層，可...
數(shù)據(jù)顯示2018年內(nèi)存降價(jià)無望
經(jīng)過2017年一年的內(nèi)存亂戰(zhàn)，SSD已經(jīng)進(jìn)行了幾輪的洗牌。但是今年據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，今年內(nèi)存降價(jià)沒戲了，內(nèi)存價(jià)格上漲導(dǎo)致DDR3內(nèi)存卷土重來。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)
談到NAND閃存，或者說以它為代表的SSD產(chǎn)品，多數(shù)人對(duì)速度的理解集中在像是SATA 3／PCIe 3．0等外部接口上，但其實(shí)閃存芯片也有內(nèi)部接口，LG...
2018-11-26 標(biāo)簽：閃存NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.8萬 0
解析半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
半導(dǎo)體可能是世界上最重要的行業(yè)，因?yàn)樗鼈兪歉鞣N產(chǎn)品和服務(wù)的基礎(chǔ)。此外，它們?cè)谛屡d技術(shù)（例如人工智能（AI），高性能計(jì)算（HPC），5G，物聯(lián)網(wǎng)和自治系統(tǒng)...
中興事件的爆發(fā)暴露出中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的短板，芯片產(chǎn)業(yè)從來沒有像今天這樣，受到媒體、公眾甚至國(guó)家高層如此迫切的重視。
美光科技公司在2019年面臨中美貿(mào)易挑戰(zhàn)。隨著華為被列入美國(guó)政府的實(shí)體名單，芯片制造商不得不暫停向華為發(fā)貨。鑒于需求疲軟和供過于求，美光面臨的另一個(gè)挑戰(zhàn)...
無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址...
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