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標(biāo)簽 > n溝道
MOS管的的三個(gè)極,中間的電極為G極,兩根線(xiàn)相交的極就是S極。而單獨(dú)引線(xiàn)的就是D極,接著判斷N溝道,由S極指向D極的為N溝道,接著判斷P溝道,由D極指向S極為P溝道。
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功率場(chǎng)效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管,即MOSFET。
2023-06-09 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管可控硅 3722 0
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓?
根據(jù)提問(wèn)者的意思,N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓?為什么?
2023-05-09 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管柵極 4210 0
如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的...
2023-04-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路N溝道 8882 0
以工藝見(jiàn)長(zhǎng)的東芝N溝道功率MOSFET為電源效率賦能
MOSFET是以金屬層(M)柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同,M...
2023-04-13 標(biāo)簽:MOSFET東芝開(kāi)關(guān)電源 1192 0
MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...
MOS管也就是常說(shuō)的MOSFET。 MOSFET全稱(chēng)是:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto...
2023-03-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 9665 0
MOSFET的定義及種類(lèi) N溝道和P溝道MOSFET的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路講解
MOSFET是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect T...
N溝道和P溝道MOSFET的開(kāi)關(guān)電路講解
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)...
2023-02-27 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOSFET晶體管 9111 0
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi), P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之...
NMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。
場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi) 基本共源放大電路的組成及工作原理
場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi) 基本共源放大電路的組成及工作原理
2023-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS 2159 0
相信很多工程師在使用電子測(cè)量?jī)x器的時(shí)候大家都了解MOS管,下面一起看看MOS管究竟是什么?
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