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標(biāo)簽 > n溝道
MOS管的的三個(gè)極,中間的電極為G極,兩根線(xiàn)相交的極就是S極。而單獨(dú)引線(xiàn)的就是D極,接著判斷N溝道,由S極指向D極的為N溝道,接著判斷P溝道,由D極指向S極為P溝道。
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功率MOSFET有二種類(lèi)型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,成本低;P溝...
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管有什么區(qū)別
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管(P-Channel ...
2024-09-23 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管N溝道p溝道 2071 0
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用有哪些
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET)作為半導(dǎo)體器件...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管N溝道 636 0
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET)的工作原理是半...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管N溝道 1365 0
晶揚(yáng)電子2N7002KX N溝道MOSFET產(chǎn)品介紹
晶揚(yáng)電子作為國(guó)內(nèi)業(yè)內(nèi)著名的“電路與系統(tǒng)保護(hù)專(zhuān)家” ,生產(chǎn)的2N7002KX型N溝道MOSFET管,因其優(yōu)良的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受關(guān)注。本文將深入介...
功率MOSFET有兩種類(lèi)型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,成本低;P溝...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類(lèi)型,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為N...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類(lèi)型,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為...
功率MOSFET的分類(lèi)及優(yōu)缺點(diǎn) 功率MOSFET的選型要求
在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作區(qū)間及開(kāi)通過(guò)程分析
N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)如圖1所示,P型襯底上制作兩個(gè)高摻雜的N區(qū),引出作為漏極D和源極S,襯底上再制作一塊絕緣層,絕緣層上在制作一層金屬電極,引...
車(chē)規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過(guò)VDSS的電壓,但是MOSFET的性能沒(méi)有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱(chēng)為雪崩能...
車(chē)規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(1)
規(guī)格書(shū)中會(huì)給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線(xiàn)。在設(shè)計(jì)初期選擇元件時(shí),通過(guò)這些參數(shù)可以評(píng)估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書(shū)中,一些參數(shù)的測(cè)試條件(...
俗話(huà)說(shuō)“人無(wú)遠(yuǎn)慮必有近憂(yōu)”,對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師,在項(xiàng)目開(kāi)始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項(xiàng)目的成功。
詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗
要比喻的話(huà),三極管像綠皮車(chē),MOS管像高鐵。
2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3427 0
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流,MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣,沒(méi)有電流。
2023-08-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 1211 1
N溝道MOSFET YC30D2519K在筋膜槍中的應(yīng)用
筋膜槍的流行反映出了人們對(duì)于健康品質(zhì)生活的追求;目前市面上的筋膜槍大致構(gòu)造普遍都大同小異,一般是通過(guò)電容觸控電路、PWM信號(hào)控制、集成功率MOS等架構(gòu)組...
2023-07-13 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管PWM 571 0
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