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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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下一代非易失性存儲(chǔ)器市場規(guī)模在5年內(nèi)翻至26倍
在美國舉行的“MRAM開發(fā)者日”活動(dòng)上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術(shù)和市場的最新趨勢。
未來五年預(yù)計(jì)上漲40倍的MRAM,正在收割下一代非易失性存儲(chǔ)市場?
8月5日,在美國舉行的MRAM開發(fā)者日活動(dòng)上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術(shù)和市場的最新趨勢...
人工智能與大數(shù)據(jù)對芯片的處理能力提出了越來越嚴(yán)苛的要求,芯片的運(yùn)算能力和存儲(chǔ)能力正在成為瓶頸,這也是各家半導(dǎo)體公司競相開發(fā)新的硬件平臺(tái)、計(jì)算架構(gòu)與設(shè)計(jì)路...
三星大規(guī)模量產(chǎn)下一代內(nèi)存芯片MRAM,更凸顯互補(bǔ)優(yōu)勢
據(jù)報(bào)道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上,開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
依據(jù)von Neumann架構(gòu),計(jì)算機(jī)中記憶體和控制單元是分離的,這也是目前計(jì)算機(jī)及相關(guān)的半導(dǎo)體零件制造的指導(dǎo)方針。但是在目前海量資料的處理與儲(chǔ)存上,這...
內(nèi)存市場轉(zhuǎn)向成效浮現(xiàn) 三星、Intel促嵌入式MRAM普及
在內(nèi)存市場,業(yè)界普遍認(rèn)為,在前沿SoC(片上系統(tǒng))和大規(guī)模微控制器(MCU)中的邏輯嵌入式非易失性存儲(chǔ)器的開發(fā)可謂非?;钴S。到目前為止,處理器內(nèi)核的程序...
三星開始大規(guī)模生產(chǎn)MRAM記憶體,結(jié)合DRAM和NAND閃存特性
三星已將下一代嵌入式半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇,并在韓國器興廠區(qū)率先進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號(hào)稱是次世代記憶體,是繼半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM和...
MRAM的嵌入式和獨(dú)立式存儲(chǔ)器會(huì)開始分流
幾乎所有的新興存儲(chǔ)器出道時(shí)都宣稱與CMOS工藝兼容,意思是可以做邏輯工藝的嵌入式存儲(chǔ)器。
強(qiáng)化嵌入式MRAM技術(shù)發(fā)展 開拓多元需求帶動(dòng)市場起飛
在商品化方面,目前MRAM已發(fā)展到第三代,具有非揮發(fā)性、讀寫速度快、能耗低、制程仍有持續(xù)微縮空間等優(yōu)點(diǎn)。就產(chǎn)品發(fā)展上,MRAM可分為獨(dú)立式(stand-...
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,可與其他的NVM技術(shù)相媲美,如閃存,英特爾的Optane,以及FRAM和RRAM (圖1)。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點(diǎn)。雖...
在第 64 屆國際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上,全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。
英特爾及三星推出了嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)
MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)),是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),從 1990 年代開始發(fā)展。此技術(shù)...
嵌入式存儲(chǔ)器是邏輯工藝中不可或缺的一環(huán),過去卻往往讓人忽略。但是邏輯工藝推進(jìn)日益艱辛,嵌入式存儲(chǔ)器工藝推進(jìn)的難處全浮上臺(tái)面。
聯(lián)電聯(lián)手AVALANCHE 合作開發(fā)28納米MRAM技術(shù)
據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)最新消息,聯(lián)電(2303)與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布,合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)...
eMRAM下半年要量產(chǎn)了。有趣的是這些即將要量產(chǎn)eMRAM的代工大廠中,其MRAM技術(shù)或多或少是購并或授權(quán)而來的。
隨著越來越多具成本效益的應(yīng)用選擇磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM),不僅為其帶來了成長動(dòng)能,業(yè)界生態(tài)系統(tǒng)也開始支持這一新興內(nèi)存選擇。
為什么數(shù)據(jù)沒有保存,掉電就丟失了呢?因?yàn)槲覀兙庉嬑臋n等操作,都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。內(nèi)存是揮發(fā)性介質(zhì),掉電后數(shù)據(jù)就丟失。而硬盤是非揮發(fā)性介質(zhì),數(shù)據(jù)一旦保存,...
DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場 是時(shí)候?qū)ふ业统杀镜腄RAM替代方案了
DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場,也為DRAM廠商寫下利潤新高紀(jì)錄。就像石油危機(jī)一樣,在DRAM危機(jī)下,客戶必須為DRAM付出更多代價(jià)?,F(xiàn)在正是尋找低成本替代方...
初創(chuàng)公司發(fā)布可用于物聯(lián)網(wǎng)可穿戴設(shè)備為目標(biāo)市場的的MRAM微控制器
法國格勒諾布爾的一家創(chuàng)業(yè)公司發(fā)布了為以電池供電的物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備為目標(biāo)市場的基于MRAM微控制器。
2018-01-10 標(biāo)簽:微控制器物聯(lián)網(wǎng)mram 5806 0
芯片晶粒在未來搭載愈來愈多晶體管可望成為趨勢,讓芯片運(yùn)算能力達(dá)到人腦水平也可望有朝一日達(dá)成,對于這類新技術(shù)的發(fā)展,在芯片上以及在多層堆疊芯片之間打造先進(jìn)...
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