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      標簽　>　mram

      mram

      +關(guān)注1人關(guān)注

      MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。

      文章：219個 瀏覽：31721次 帖子：27個

      mram技術(shù)

      FeRAM和MRAM的比較

      FeRAM，全稱Ferroelectric RAM（鐵電隨機存取存儲器），是一種基于鐵電材料特性的非易失性存儲器技術(shù)。它類似于傳統(tǒng)的SDRAM（同步動態(tài)...

      2024-07-15 標簽：SDRAM存儲器MRAM 1287 0

      從MRAM的演進看存內(nèi)計算的發(fā)展

      從MRAM的演進看存內(nèi)計算的發(fā)展

      我國的存內(nèi)計算產(chǎn)業(yè)也開始迅猛發(fā)展，知存科技、九天睿芯、智芯科、后摩智能、蘋芯科技等國內(nèi)專注存內(nèi)計算賽道的新興公司紛紛獲得融資，加速在該領(lǐng)域的早期市場布局...

      2024-05-17 標簽：存儲器芯片架構(gòu)MRAM 1271 0

      探索存內(nèi)計算—基于 SRAM 的存內(nèi)計算與基于 MRAM 的存算一體的探究

      探索存內(nèi)計算—基于 SRAM 的存內(nèi)計算與基于 MRAM 的存算一體的探究

      本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先，介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計算技術(shù)，包括其原理、優(yōu)勢以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...

      2024-05-16 標簽：存儲器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 2816 0

      MRAM特性優(yōu)勢和存儲原理

      MRAM特性優(yōu)勢和存儲原理

      MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同...

      2024-02-19 標簽：存儲器sram晶體管 1427 0

      MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）有何區(qū)別

      MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）有何區(qū)別

      MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。

      2024-01-09 標簽：電容器存儲器數(shù)據(jù)存儲 1237 0

      深入探索MRAM的原理與技術(shù)

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      MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同...

      2024-01-09 標簽：存儲器sramMRAM 1201 0

      ReRAM能否取代NOR？

      ReRAM能否取代NOR？

      “與MRAM相比，ReRAM有兩個主要優(yōu)勢——工藝簡單和更寬的讀取窗口，”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說西門子EDA?！癕RAM需要10層以上的...

      2023-11-22 標簽：存儲器晶體管MRAM 865 0

      MRAM會取代DDR嗎？簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別

      MRAM會取代DDR嗎？簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別

      在當前我們比較熟悉的存儲產(chǎn)品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。

      2023-10-07 標簽：電容器DRAM存儲器 3863 0

      數(shù)據(jù)存儲技術(shù)發(fā)展歷程簡述

      數(shù)據(jù)存儲技術(shù)發(fā)展歷程簡述

      數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的發(fā)展，可以說是一段漫長而又充滿神奇色彩的歷程，承載著人類智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開始，它逐漸經(jīng)歷了磁存儲、硬盤、閃存，以及現(xiàn)在的云存...

      2023-09-22 標簽：PCM存儲器數(shù)據(jù)存儲 3465 0

      如何選擇存儲器類型 存算一體芯片發(fā)展趨勢

      如何選擇存儲器類型 存算一體芯片發(fā)展趨勢

      閃存存算方面，目前主要路線是基于NOR flash（不是目前優(yōu)盤所用的閃存類型），多數(shù)情況下存儲容量較小，這使得NOR flash單片算力達到1 TOP...

      2023-09-06 標簽：傳感器存儲器MRAM 871 0

      什么是OTP？eFuse是什么？eFuse是如何使用的？

      NVM，即Non－Volatile Memory，非易失性存儲器。

      2023-08-29 標簽：FlaSh嵌入式系統(tǒng)ROM 7306 0

      一文了解新型存儲器MRAM

      MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRA...

      2023-04-19 標簽：DRAM存儲器RAM 3594 0

      新型存儲MRAM 技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

      全新的存儲器MRAM，ReRAM，PCRAM，相對于傳統(tǒng)存儲器來說，具有很多方面獨特的優(yōu)勢，能夠在計算系統(tǒng)層級實現(xiàn)更優(yōu)的計算性能、功耗和成本。

      2023-03-20 標簽：存儲器MRAMreram 1768 0

      新興的記憶存儲器問世了嗎

      新興的記憶存儲器問世了嗎

      新興的存儲器涵蓋了廣泛的技術(shù)，但是需要注意的關(guān)鍵是MRAM，PCRAM和ReRAM。已經(jīng)有一些離散的MRAM器件問世了，但是有很多關(guān)于代工廠使用專用芯片...

      2022-11-25 標簽：微控制器存儲器NOR芯片 448 0

      介紹一種可編程邏輯控制器專用MRAM—MR0A16A

      與其他標準主流存儲器不同，Everspin的MRAM可在惡劣環(huán)境下實現(xiàn)數(shù)據(jù)完整性和可靠性，并在斷電且無需電池的情況下即時保存事件。

      2022-11-18 標簽：plcMRAM可編程邏輯控制器 1738 0

      淺析MR25HxxxDF的2.0mm裸露底墊新封裝

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      EVERSPIN的SPI產(chǎn)品系列中增加了具有2mm底部裸露焊盤的新型DFN8封裝。這種新封裝允許該器件既可用于JEDEC標準SOIC-8引腳又可用于DF...

      2022-11-17 標簽：MRAMPCB 2696 0

      MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個方面

      MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個方面

      MRAM是使用單個一體化的機臺進行物理氣相沉積(PVD)，可以精確地沉積20至30個不同的金屬和絕緣層，每個金屬層和絕緣層的厚度通常在0.2至5.0nm之間。

      2022-11-17 標簽：TMRMRAM金屬電極 2738 0

      STT-MRAM非易失性磁隨機存儲器的優(yōu)點及其應(yīng)用有哪些

      STT-MRAM非易失性磁隨機存儲器的優(yōu)點及其應(yīng)用有哪些

      反鐵磁性材料在微觀尺度上有磁性，但在宏觀尺度上卻沒有。這意味著用這些材料制成的MRAM單元的相鄰位之間沒有磁力-這意味著您可以將它們非常緊密地包裝在一起。

      2022-11-17 標簽：存儲器飛行器MRAM 1415 0

      基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件存在的兩個弊端

      基于自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的STT-MRAM器件存在的兩個弊端

      隨著工藝減小，熱穩(wěn)定性惡化。采用面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)的存儲壽命取決于熱穩(wěn)定性勢壘和磁各向異性場，面內(nèi)磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長寬比。

      2022-11-17 標簽：MRAM 2032 0

      Everspin展示了28nm單機1Gb STT-MRAM芯片

      Everspin展示了28nm單機1Gb STT-MRAM芯片

      everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)...

      2022-11-17 標簽：CMOS存儲器DDR4 2727 0

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        充電樁
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        充電樁其功能類似于加油站里面的加油機，可以固定在地面或墻壁，安裝于公共建筑（公共樓宇、商場、公共停車場等）和居民小區(qū)停車場或充電站內(nèi)，可以根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。
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        All Programmable
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        　　隨著Vivado 設(shè)計套件通用版本的發(fā)布，賽靈思還針對All Programmable 7系列 FPGA和Zynq？-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合（HLS）工具，繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級（ESL）設(shè)計領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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        西部數(shù)據(jù)
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        羅德與施瓦茨
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      james1110

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