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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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新品 | 650V CoolMOS? 8超結(jié) (SJ) MOSFET
新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù),為行業(yè)技術(s...
揚(yáng)杰科技推出200V MOSFET Gen2.0系列
面對(duì)工業(yè)電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)功率密度的極致追求,我們正式推出200V MOSFE...
2025-07-03 標(biāo)簽:MOSFET電力系統(tǒng)揚(yáng)杰科技 529 0
ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服務(wù)器和工業(yè)電源高效能
近期,ROHM半導(dǎo)體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計(jì),廣泛應...
Wolfspeed 1700 V MOSFET 技術(shù),助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本
在幾乎所有電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中,都會(huì)配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級(jí),此類電...
2025-07-03 標(biāo)簽:MOSFET電源系統(tǒng) 159 0
數(shù)明半導(dǎo)體推出SiLM27213系列專用MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器
隨著高頻、高效率開關(guān)電源在電信電源設(shè)備、數(shù)據(jù)通信設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)品等眾多領(lǐng)域的應(...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器數(shù)明半導(dǎo)體 1327 0
英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2,適用于汽車和工業(yè)功率電子應(yīng)用
【 2025 年 7 月 1 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司...
B3M020120H(SiC MOSFET)其替代IGBT單管的應(yīng)用價(jià)值分析
基于B3M020120H(SiC MOSFET)的技術(shù)參數(shù),以下是其替代IGBT單管的應(yīng)用價(jià)值分析,重點(diǎn)突出核心優(yōu)勢(sh...
更低Rdson,更強(qiáng)動(dòng)力!捷捷微電MOSFET讓您的UPS甩開能效焦慮!
UPS的“芯”動(dòng)力在數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化等關(guān)鍵領(lǐng)域,不間斷電源(UPS)如同“電力衛(w...
新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET
新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封...
D3502C高壓降壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品簡(jiǎn)介
? ? ? ? ?在當(dāng)今電子設(shè)備日益復(fù)雜和多樣化的背景下,高效、可靠的電源管理解決方案成為關(guān)鍵。Silicore芯谷科技推出的D3502C高壓降壓...
2025-06-30 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 180 0
2025高端掃地機(jī)器人MOSFET選型分析:從分立器件到系統(tǒng)級(jí)能效革命
在2025年智能清潔設(shè)備激烈競(jìng)爭(zhēng)中,旗艦級(jí)掃地機(jī)器人的性能邊界正被MOSFET技術(shù)重新定義。本文深度拆解最新一代產(chǎn)品的功率...
性能飛躍!納芯微新一代CSP MOS NPM12017A守衛(wèi)鋰保安全
納芯微發(fā)布全新CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列,性能顯著提升,阻值降低26%,溫升降30%,耐受能力提升50%,達(dá)國(guó)...
揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻R...
2025-06-27 標(biāo)簽:MOSFET清潔能源揚(yáng)杰科技 876 0
集成單相MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高端MOSFET和低端MOSFET為一體的驅(qū)動(dòng)器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是包含了速度控制、力矩控制、位置控制及過載保護(hù)等功能的集成電路,可以根據(jù)輸入信號(hào),按照內(nèi)置的算法控制電機(...
2025-06-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 129 0
揚(yáng)杰科技亮相2025南京世界半導(dǎo)體博覽會(huì)
此前,6.20~22日,為期三天的2025南京世界半導(dǎo)體博覽會(huì)圓滿落幕,本次大會(huì)集聚優(yōu)勢(shì)資源,聚焦人工智能技術(shù)、第三代半...
2025-06-24 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 619 0
IPAC碳化硅直播季丨如何應(yīng)用CoolSiC? MOSFET設(shè)計(jì)高能效系統(tǒng)?
碳化硅直播季首場(chǎng)直播收獲了過萬的觀看量,“打鐵需趁熱”,第一期話題直直戳中了可靠性這個(gè)核心戰(zhàn)場(chǎng),第二期就必須得火力全開,好好嘮嘮怎么把碳化硅...
IGBT指的是什么?工作原理、特性、測(cè)量關(guān)鍵參數(shù)?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱為? 絕緣柵雙極型晶體管 ?,是一種復(fù)合全控型功率半導(dǎo)體器件,兼具? ...
英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點(diǎn)
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù),可在Totem Pole、ANPC、Vie...
東芝推出兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)提升碳化硅功率器件性能
日本川崎——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(簡(jiǎn)稱“東芝”)研發(fā)了一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù),該技術(shù)可在增強(qiáng)溝...
吉時(shí)利數(shù)字源表2450如何實(shí)現(xiàn)MOSFET柵極漏電流的超低噪聲測(cè)量
一、引言 隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,MOSFET的尺寸不斷縮小,柵極漏電流成為影響器件性能的重要因素。柵極漏電流不僅增加電路功耗,還可能引入噪聲,影響信...
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