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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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近日, 2025(春季)亞洲充電展在深圳·前海國(guó)際會(huì)議中心盛大開(kāi)幕。作為WPC(無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟)官方許可的鑒權(quán)芯片服務...
2025-03-31 標(biāo)簽:芯片MOSFET無(wú)線(xiàn)充電 162 0
全球首發(fā)上車(chē)!國(guó)產(chǎn)1500V SiC MOSFET!
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)比亞迪在最近的超級(jí)e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上,推出了一系列的“王炸”技術(shù),包括全域1000...
新品 | EiceDRIVER? 6.5A 5.7 kVrms單通道柵極驅(qū)動(dòng)器1ED314xMC12H
新品EiceDRIVER6.5A5.7kVRMS單通道柵極驅(qū)動(dòng)器1ED314xMC12HEiceDRIVER緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有6.5A峰值...
2025-03-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 127 0
羅姆MOSFET系列產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
高效能與低功耗已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心需求,羅姆憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越的產(chǎn)品性能,為各行各業(yè)不斷提供可靠的解決方案...
Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號(hào)為SiHK0....
從陳星弼院士無(wú)奈賣(mài)出超結(jié)MOSFET專(zhuān)利到碳化硅功率半導(dǎo)體中國(guó)龍崛起
中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程是一部從技術(shù)引進(jìn)到自主創(chuàng)新、從受制于人到逐步突破的篳路藍(lán)縷奮斗史。從陳星弼院士的超結(j...
2025-03-27 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 100 0
五年之后碳化硅MOSFET覆蓋主流市場(chǎng),金剛石MOSFET聚焦極端需求
金剛石MOSFET作為終極高壓功率半導(dǎo)體的潛力 金剛石MOSFET被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體的重要發(fā)展方向,尤其在高壓、高溫、高頻等極端環...
納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011,PIN TO PIN AP20G02BDF
NX7011采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個(gè)獨(dú)立的MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低,可最大限度地降低損耗并減少...
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象給中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)敲響警鐘
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET行業(yè)近年來(lái)在政策扶持、市場(chǎng)需求和技術(shù)突破的推動(dòng)下快速發(fā)展,但伴隨的行業(yè)亂象...
2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 78 0
碳化硅MOSFET充電樁電源模塊爆雷時(shí)間點(diǎn)預(yù)計(jì)始于2026年
充電樁電源模塊客戶(hù)擔(dān)憂(yōu)現(xiàn)有碳化硅(SiC)MOSFET供應(yīng)商的柵極可靠性問(wèn)題可能在未來(lái)三五年內(nèi)“爆雷”,其科...
算力革命背后的隱形力量:仁懋MOSFET如何讓服務(wù)器電源效率狂飆?
算力時(shí)代的高壓挑戰(zhàn)隨著AI大模型訓(xùn)練集群規(guī)模突破10萬(wàn)卡,單機(jī)柜功率密度已飆升至30kW,傳統(tǒng)服務(wù)器電源的MOSFET...
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板
新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng),導(...
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)
近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專(zhuān)為滿(mǎn)足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)...
安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MO...
BASiC:國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET亂象中的破局者與行業(yè)引領(lǐng)者
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象與功率半導(dǎo)體發(fā)展的必然性 國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕...
2025-03-16 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 178 0
英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代Cool...
只能靠版圖微調(diào)與營(yíng)銷(xiāo)話(huà)術(shù)的國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司被掃入歷史塵埃
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司當(dāng)前面臨的困境,本質(zhì)上是技術(shù)路徑依賴(lài)與底層工藝能力缺失的必然結(jié)果。其“...
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