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標(biāo)簽 > mosfet器件
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國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證
繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后,近日,國星光電開發(fā)的1200V/80mΩ SiC-MOS...
意法半導(dǎo)體和CNR-IMM加強(qiáng)深入合作
作者能夠使用如此多的研究工具,直接得益于意法半導(dǎo)體和CNR-IMM之間的牢固和深入的合作。因此,除了科學(xué)成就,IRPS2021年度最佳論文獎也是對這一人...
2022-04-12 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiCMOSFET器件 1863 0
總結(jié)國內(nèi)國內(nèi)碳化硅行業(yè)的真實現(xiàn)狀
熱度:和當(dāng)年LED差不多,但技術(shù)壁壘,比LED高幾個量級; 一句話總結(jié)行業(yè)國內(nèi)主流技術(shù)方向的各個環(huán)節(jié): 1. 硅粉碳粉:不是問題太陽能行業(yè)還是做了不少好...
進(jìn)入全新一代的晶體管以前,回顧一下前幾代晶體管的發(fā)展
在這里,我們討論了Bulk-Si CMOS技術(shù),縮放的必要性和重要性,它們的各種影響以及相關(guān)的解決方案。我們還解決了晶體管材料和先進(jìn)技術(shù)節(jié)點中使用的任何...
早期的IC使用NMOS技術(shù),因為與CMOS技術(shù)相比,NMOS工藝相當(dāng)簡單,價格便宜并且可以將更多設(shè)備封裝到一個芯片中。英特爾于1971年發(fā)布了第一個微處理器。
安森美全新SiC MOSFET器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),推出另兩個碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴(kuò)展了其寬禁...
安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品
安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產(chǎn)品,籍此擴(kuò)展市場領(lǐng)先的低RDS(on) MO,同時優(yōu)化了安全工作區(qū)、漏極電流和柵極電荷。
2020-02-26 標(biāo)簽:MOSFET器件RDS安世半導(dǎo)體 1898 0
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型Power...
總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領(lǐng)域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質(zhì)量、高可靠性的MJD 3 A 和 8 A 功...
支持功率因數(shù)校正和反激拓?fù)涞男滦?50 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件
更高密度的低功率SMPS設(shè)計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS?...
飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 開發(fā)出PowerTrench? MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠...
2011-12-14 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET器件FDMB2307NZ 1013 0
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