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標(biāo)簽 > MOSFET
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號(hào)處理的場(chǎng)合上,也有越來越多模擬信號(hào)處理的集成電路可以用MOSFET來實(shí)現(xiàn)。
在電子工程設(shè)計(jì)的世界里,一款得心應(yīng)手的電路仿真工具對(duì)于工程師來說尤為重要,它不僅能夠幫助設(shè)計(jì)師在器件選型時(shí)做出更明...
2025-03-24 標(biāo)簽:MOSFET東芝電路設(shè)計(jì) 615 0
新品 | 兩款先進(jìn)的MOSFET封裝方案,助力大電流應(yīng)用
新款封裝采用先進(jìn)的頂部散熱(GTPAK?)和海鷗腳(GLPAK?)封裝技術(shù),可滿足更高性能要求,并適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境條件。 日前,集設(shè)...
電源IC U5402的典型應(yīng)用和主要特點(diǎn)
電源ic U5402通過硬件電路實(shí)現(xiàn)雙通道輸入的信號(hào)互鎖,確保高低側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)無法同時(shí)導(dǎo)通,避免功率器...
UCC28C41-Q1 汽車類、20V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28C4x-Q1 系列支持具有 UVLO 和最大占空比限制選項(xiàng)的固定頻率、峰值電流模式反激式實(shí)施。UCC28C4X-Q1 可配置使用輔助繞組的初級(jí)...
UCD7242 數(shù)字雙路同步降壓電源驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
UCD7242 是一個(gè)完整的電源系統(tǒng),可隨時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)獨(dú)立的降壓電源。高側(cè) MOSFET、低側(cè) MOSFE...
2025-03-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源系統(tǒng) 91 0
UCC24610 次級(jí)側(cè)同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
這款 GREEN 整流器控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動(dòng)器,適用于用于低壓次級(jí)側(cè)同步整流的標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。...
2025-03-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器整流器 72 0
LM5045系列 帶集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的全橋式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5045 PWM 控制器包含實(shí)現(xiàn)全橋所需的所有 特性 拓?fù)涔β兽D(zhuǎn)換器采用電流模式或電壓模式控制。這個(gè)設(shè)備是 旨在工作在輸入電壓高達(d...
2025-03-28 標(biāo)簽:MOSFET整流器功率轉(zhuǎn)換器 68 0
LM5046系列 帶集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的相移全橋 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5046 PWM 控制器包含實(shí)現(xiàn) 采用電流模式或電壓模式的相移全橋拓?fù)潆娫崔D(zhuǎn)換器 控制。該器件旨在工作在隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換...
2025-03-27 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器電流模式 179 0
UCD74106 數(shù)字同步降壓電源驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCD74106 是一個(gè)完整的電源系統(tǒng),隨時(shí)準(zhǔn)備驅(qū)動(dòng)降壓電源 ()。高側(cè) MOSFET、低側(cè) MOSFET、...
2025-03-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源系統(tǒng) 115 0
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通過UCC27517來控制mosfet進(jìn)行開關(guān),IN+引腳是否能輸入數(shù)字信號(hào)?
標(biāo)簽:MOSFET數(shù)字信號(hào) 231 0
LT9435SQ N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 37 0
LT9435ASQ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFETp溝道 20 0
LT9004ESS 20V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 23 0
LT8844SL N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 27 0
LT8820ESS帶ESD保護(hù)的共漏N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 30 0
LT8820EFH帶ESD保護(hù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:ESDMOSFETN溝道 30 0
LT8818ESL N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 25 0
LT8818EFXT 12V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 19 0
LT8816SL共漏雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 24 0
LT8816SLB共漏雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 40 0
新品 | EiceDRIVER? 6.5A 5.7 kVrms單通道柵極驅(qū)動(dòng)器1ED314xMC12H
新品EiceDRIVER6.5A5.7kVRMS單通道柵極驅(qū)動(dòng)器1ED314xMC12HEiceDRIVER緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有6.5A峰值.....
2025-03-27 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 77 0
羅姆MOSFET系列產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
高效能與低功耗已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心需求,羅姆憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越的產(chǎn)品性能,為各行各業(yè)不斷提供可靠的解決方案...
Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號(hào)為SiH...
從陳星弼院士無奈賣出超結(jié)MOSFET專利到碳化硅功率半導(dǎo)體中國龍崛起
中國功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程是一部從技術(shù)引進(jìn)到自主創(chuàng)新、從受制于人到逐步突破的篳路藍(lán)縷奮斗史。從陳星弼院士的超結(jié)MO...
2025-03-27 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 74 0
五年之后碳化硅MOSFET覆蓋主流市場(chǎng),金剛石MOSFET聚焦極端需求
金剛石MOSFET作為終極高壓功率半導(dǎo)體的潛力 金剛石MOSFET被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體的重要發(fā)展方向,尤其在高壓、高溫、高頻等極端環(huán)境下...
納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011,PIN TO PIN AP20G02BDF
NX7011采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個(gè)獨(dú)立的MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低,可最大限度地降低損耗并...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象給中國功率半導(dǎo)體行業(yè)敲響警鐘
國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET行業(yè)近年來在政策扶持、市場(chǎng)需求和技術(shù)突破的推動(dòng)下快速發(fā)展,但伴隨的行業(yè)亂象也暴露出深層次的...
2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 43 0
碳化硅MOSFET充電樁電源模塊爆雷時(shí)間點(diǎn)預(yù)計(jì)始于2026年
充電樁電源模塊客戶擔(dān)憂現(xiàn)有碳化硅(SiC)MOSFET供應(yīng)商的柵極可靠性問題可能在未來三五年內(nèi)“爆雷”,其科學(xué)依據(jù)主要基于以下關...
算力革命背后的隱形力量:仁懋MOSFET如何讓服務(wù)器電源效率狂飆?
算力時(shí)代的高壓挑戰(zhàn)隨著AI大模型訓(xùn)練集群規(guī)模突破10萬卡,單機(jī)柜功率密度已飆升至30kW,傳統(tǒng)服務(wù)器電源的MOS...
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