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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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?安森德N溝道MOS ASDM100R066NQ用于5G小基站
5G小基站是實現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)覆蓋的關(guān)鍵組成部分,一般應(yīng)用在流量需求大的熱點區(qū)域,如大型商場等。目前各運營商都在進(jìn)行5G基礎(chǔ)設(shè)施,未來將實現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的覆蓋...
2022-05-06 標(biāo)簽:MOS 694 0
8.2.2 分裂準(zhǔn)費米能級的MOS靜電學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.2分裂準(zhǔn)費米能級的MOS靜電學(xué)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、...
2022-02-23 標(biāo)簽:MOS 886 0
安森德P溝道 MOS ASDM60P25KQ替代萬代AOD407、臺灣微碧2SJ601-Z
安森德推出的P溝道溝槽式MOS管ASDM60P25KQ,具有超低的Qgd,通過了100%雪崩測試,安全性能較好,可替代萬代的AOD407和臺灣微碧(VB...
2022-05-06 標(biāo)簽:MOS 870 0
10.1.3 碰撞電離MOS器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
ImpactIonizationMOS撰稿人:清華大學(xué)許軍梁仁榮https://www.tsinghua.edu.cn審稿人:北京大學(xué)張興蔡一茂http...
2022-03-21 標(biāo)簽:MOS 465 0
8.2.12 MOSFET 瞬態(tài)響應(yīng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.12MOSFET瞬態(tài)響應(yīng)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和...
2022-03-07 標(biāo)簽:MOS 777 0
8.2.1 MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.1MOS靜電學(xué)回顧8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》...
士蘭微mos管產(chǎn)品主要包括低高壓、超結(jié)mos管,實現(xiàn)了溝槽柵低壓MOS,溝槽屏蔽柵SGT-MOS,超級結(jié)MOS和IGBT等多個產(chǎn)品的量產(chǎn),廣泛應(yīng)用于家電...
2022-06-01 標(biāo)簽:MOS 2233 0
RS瑞森半導(dǎo)體在LED驅(qū)動電源上的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體在LED驅(qū)動方案上,推薦使用平面高壓MOS系列,憑借可靠性高、參數(shù)一致性好,內(nèi)阻低等特點,助力LED驅(qū)動事業(yè)蓬勃發(fā)展
2023-06-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOSLED驅(qū)動電源 547 0
1T 8051 CPU指令集全兼容MCS-51的特性、集成PFG掃頻輸出、、觸摸、ADC及電源管理模塊,可實現(xiàn)高精度掃頻輸出、充電管理、升壓管理等。
RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT在電動平衡車上的應(yīng)用
針對市面上的電動平衡車,瑞森半導(dǎo)體推薦SGT-MOS系列,具有高一致性、高可靠性、開關(guān)速度快、低導(dǎo)通內(nèi)阻
影響第三代半導(dǎo)體SiC MOS閾值電壓不穩(wěn)定的因素有哪些?如何應(yīng)對?
由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同,SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性,在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移,導(dǎo)致其電性能測...
FP7195大功率零壓差全程無頻閃調(diào)光DC-DC恒流芯片,千分之一調(diào)光深度
FP7195是一個外置N-MOSFET的LED驅(qū)動IC。 由于FP7195采用高壓端點電流偵測,而且IC補(bǔ)償回路采用電流模式,具有優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)又能簡化...
FS4066耐高壓1到4節(jié)內(nèi)置MOS的鋰電池充電管理芯片
4066系列是一款耐壓25V多串3A鋰離子電池充電IC。FS4066A是4.2V單價3A內(nèi)置MOS降壓充電IC,F(xiàn)S4066B是8.4V兩串3A內(nèi)置MO...
FS4066耐高壓1到4節(jié)內(nèi)置MOS的鋰電池充電管理芯片
FS4066系列是一款耐壓25V多串3A鋰離子電池充電IC。FS4066A是4.2V單價3A內(nèi)置MOS降壓充電IC,F(xiàn)S4066B是8.4V兩串3A內(nèi)置...
(AH869C)帶EMC電路DC220轉(zhuǎn)12V10W降壓IC
我們給你提供ac245V降壓3.3V、5V、12V 醉大電流可高達(dá)900MA的非隔離降壓AC轉(zhuǎn)DC高精密原理方案設(shè)計 AH869C是一款高性能集成低待機(jī)...
之前的文章對MOS電容器進(jìn)行了簡單介紹,因此對MOS晶體管的理解已經(jīng)打下了一定的基礎(chǔ),本文將對深入介紹NMOS晶體管的結(jié)構(gòu)及工作原理,最后再從機(jī)理上對漏...
利用等離子體色散效應(yīng)來增強(qiáng)硅基電光調(diào)制器的性能
全硅等離子體色散效應(yīng)環(huán)形諧振器調(diào)制器具有誘人的發(fā)展前景。然而,其性能目前受限于調(diào)制深度和開關(guān)速度之間的權(quán)衡。
高速低側(cè)柵極驅(qū)動器,讓電機(jī)控制更高效
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司,是集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售服務(wù)一體的高科技企業(yè),“Slkor”品牌被廣大同行和客戶接受,是國內(nèi)快速穩(wěn)健發(fā)展的半導(dǎo)體企業(yè)之一...
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