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MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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RS瑞森半導(dǎo)體MOS管在便攜式儲(chǔ)能電源上的應(yīng)用
便攜式儲(chǔ)能電源MOS管應(yīng)用,主逆變儲(chǔ)能單元,推薦“平面高壓MOS”系列;DC-DC單元,推薦“低壓MOS-SGT”系列
電路應(yīng)用丨MOS場(chǎng)效應(yīng)管作用開(kāi)關(guān)
MOSFET很容易飽和,這就意味著說(shuō),MOSFET完全打開(kāi),且非??煽?,可以在飽和區(qū)域之間進(jìn)行非??焖俚那袚Q,這就意味著MOSFET可以用作開(kāi)關(guān),尤其是...
車規(guī)級(jí)mos管選型需要注意哪些參數(shù)
隨著現(xiàn)在車規(guī)級(jí)mos管應(yīng)用得到全面推廣,在不同工作環(huán)境下廣泛應(yīng)用普及,這就導(dǎo)致生產(chǎn)加工行業(yè)發(fā)展得到推動(dòng),各種不同型號(hào)種類層出不窮,為了在工作中發(fā)揮出重要...
本篇從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來(lái)給大家介紹一下MOS管里面最常見(jiàn)的,也是最容易使用的一種用法。首先來(lái)看下面一張簡(jiǎn)單的圖,我們可以用手去控制這個(gè)開(kāi)關(guān)的開(kāi)合,以此來(lái)控制這...
MOS管在音響功放上的應(yīng)用MOS管在音響數(shù)字化的市場(chǎng)上,使用的頻率已經(jīng)越來(lái)越高了。目前應(yīng)用于音響領(lǐng)域的場(chǎng)效應(yīng)管包括結(jié)型管(JFET)和絕緣棚場(chǎng)效應(yīng)管(M...
輸入3.7V升壓5V,3.7V轉(zhuǎn)5V電路圖芯片
異步升壓IC,內(nèi)置3.5A,0.14Ω,16Vmos管,最高12V的輸出電壓(可調(diào)),最大輸出功率是10W,靜態(tài)功耗關(guān)斷電流0.1uA,可調(diào)式過(guò)流保護(hù)0...
RS瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS在適配器上的應(yīng)用
瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS采用多層外延工藝,可對(duì)標(biāo)英飛凌C3、 P6、 P7系列產(chǎn)品,滿足不同功率的適配器應(yīng)用
一、芯片概述FP7195是一款大功率異步降壓恒流芯片外置N溝MOS驅(qū)動(dòng),與肖特基和電感形成回路組成降壓架構(gòu)二、芯片特點(diǎn)?效率高達(dá)95%以上?芯片穩(wěn)定工作...
年終總結(jié)之奮進(jìn)的2022年薩科微半導(dǎo)體
年關(guān)將至,即將為2022年畫(huà)上一個(gè)句號(hào),這已是我在深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司(www.slkormicro.com)“搬磚”的第二個(gè)年頭。在2022年收...
DrMOS驅(qū)動(dòng)電路與功率MOS集成化—第84期—伴隨著CPU,GPU等的性能進(jìn)步和制程發(fā)展,主板的供電設(shè)計(jì)也迎來(lái)了更多的挑戰(zhàn),大電流、高效率、空間占用小...
學(xué)技術(shù) | 氮化鎵(GaN)與硅(Si)的MOS開(kāi)關(guān)比較
由于寬能隙功率元件的優(yōu)異切換性能,近幾年已經(jīng)漸漸被商用化。常見(jiàn)的問(wèn)題,如:究竟寬能隙元件對(duì)于系統(tǒng)的功率密度與效率的提升幫助有多少?原先所使用的以硅為基礎(chǔ)...
高壓MOS管4N65/7N65/10N65/12N65,士蘭微mos代理商!
MOS管是一種金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體,具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、抗擊穿性好等特點(diǎn),是中小功率應(yīng)用領(lǐng)域的主流開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)...
2022-09-15 標(biāo)簽:MOS 2480 0
IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士蘭微MOS代理
MOSFET作為功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于汽車、家電、光伏、風(fēng)電、軌交等領(lǐng)域,長(zhǎng)期以來(lái)一直被國(guó)外廠商占據(jù)著大部分市場(chǎng)份額,受益于龐大的終端消費(fèi)需求,國(guó)內(nèi)終端廠...
2022-06-27 標(biāo)簽:MOS 1224 0
6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征...
2022-01-07 標(biāo)簽:MOS 750 0
8.2.8 UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.8UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用...
2022-03-01 標(biāo)簽:MOS 917 0
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