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標(biāo)簽 > MOS
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
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無刷驅(qū)動設(shè)計(jì)——淺談MOS驅(qū)動電路
前言上周末,在調(diào)試無刷電機(jī)驅(qū)動的時候總是莫名其妙的炸管,心態(tài)都搞沒了,實(shí)在沒辦法了只好在CSDN和B站大學(xué)重新學(xué)習(xí...
LM5110系列 具有 4V UVLO、專用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5110 雙通道柵極驅(qū)動器以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器 輸出電流和效率。每個“復(fù)合”輸出驅(qū)動器級包括 MOS 和...
LM5112-Q1系列 具有 4V UVLO 和專用輸入接地的汽車類 7A/3A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動器采用微型 6 引腳 WSON 封裝(相當(dāng)于 SOT-23 封裝)或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝,可提供...
SM72482 雙 5A 復(fù)合柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
SM72482 Dual Gate Driver 以改進(jìn)的峰值取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動器 輸出電流和效率。每個“復(fù)合”輸出驅(qū)動器級包括...
SM74101 3-A/7-A 單通道柵極驅(qū)動器,帶輸入接地?cái)?shù)據(jù)手冊
SM74101 MOSFET 柵極驅(qū)動器在微型 WSON-6 中提供高峰值柵極驅(qū)動電流 封裝(相當(dāng)于 SOT23 的封裝),具有更高的高頻所需的功率耗散...
由于芯片結(jié)構(gòu)的改變,超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低,超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻,在相同的芯片面積下...
靜音省電新標(biāo)桿!仁懋MOS如何讓家用風(fēng)扇能效飆升?
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LM5026系列 具有 P 或 N 通道箝位FET和CS重啟定時器的100V有源箝位電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
LM5026 PWM 控制器包含實(shí)現(xiàn)電源所需的所有 特性 轉(zhuǎn)換器采用具有電流模式控制的有源箝位和復(fù)位技術(shù)。使用 與有源鉗位技術(shù)相比...
2025-04-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOS電流模式 217 0
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2N7002KDW SOT363:小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET,助力精密電路設(shè)計(jì)
標(biāo)簽:MOSMOS場效應(yīng)管2N7002 1521 0
類別:電子資料 2025-04-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOSMOSFET功率器件
XBM2138QFA鋰離子/聚合物2芯集成MOS保護(hù)器英文手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-10 標(biāo)簽:集成電路鋰離子聚合物
類別:電子資料 2025-01-08 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管
類別:電子資料 2025-01-06 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS
Toshiba東芝TPN11003NL MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-13 標(biāo)簽:MOSFETMOSN溝道
TOSHIBA東芝TPH3R704PC MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-12 標(biāo)簽:MOSFETMOSN溝道
TPH4R50ANH1 MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-11-11 標(biāo)簽:MOSFETMOSN溝道
Hi8101-內(nèi)置MOS,最高轉(zhuǎn)換效率>95%
Hi8101的核心優(yōu)勢在于其內(nèi)置的MOSFET結(jié)構(gòu),這種設(shè)計(jì)顯著降低了系統(tǒng)的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗...
方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品
2025年4月16日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V...
功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化先鋒:長晶科技的創(chuàng)新與崛起
近年來,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑與中國政策支持的背景下,國產(chǎn)化替代已成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心方向。面對國際技術(...
2025-04-09 標(biāo)簽:MOS功率半導(dǎo)體 357 0
國產(chǎn)化人形機(jī)器人原地側(cè)空翻,其中涉及到哪些MOS?
行業(yè)背景 前幾天宇樹G1機(jī)器人實(shí)現(xiàn)了側(cè)空翻動作并保持了平衡,這種側(cè)空翻需要克服旋轉(zhuǎn)帶來的非對稱角動量分布問題,實(shí)驗...
從 2.4V 輸入到 12V 輸出,F(xiàn)P6276B、FP6277、FP6296 各憑啥性能優(yōu)勢 “圈粉”?
在電子設(shè)備設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源管理芯片的性能直接影響著系統(tǒng)的效率、可靠性及用戶體驗(yàn)。隨著便攜式設(shè)備、消費(fèi)電...
MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)要點(diǎn)
MOS管的功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)是確保其穩(wěn)定工作和延長使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對MOS管功耗計(jì)算與散熱設(shè)計(jì)...
吸塵器“心臟”革命!仁懋TOLL技術(shù)重塑吸塵器動力
吸塵器動力系統(tǒng)的“高溫圍城”在無線吸塵器滲透率超60%的今天,電機(jī)驅(qū)動MOS過熱降速卻成為用戶體驗(yàn)的致命傷——行業(yè)測試數(shù)據(jù)顯示,80%...
MOS管的ESD防護(hù)措施與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
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MOS高溫挑戰(zhàn)終結(jié)者?仁懋三款MOS器件引爆主機(jī)能效革命
高性能主機(jī)的“供電生死局”隨著RTX40系顯卡、13代酷睿處理器功耗突破600W,傳統(tǒng)MOS器件正面臨前所未有的極限挑戰(zhàn)。某硬件論壇調(diào)研顯示...
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