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      標簽　>　MOCVD

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      MOCVD簡介

      　　MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。系統(tǒng)簡介編輯定義MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。縮寫Metal-organic Chemical Vapor Deposition （金屬有機化合物化學氣相沉淀）。原理MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓（10-100Torr）下通H2的冷壁石英（不銹鋼）反應(yīng)室中進行，襯底溫度為500-1200℃，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座（襯底基片在石墨基座上方），H2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區(qū)。

      MOCVD百科

      　　MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。系統(tǒng)簡介編輯定義MOCVD是在氣相外延生長（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)?？s寫Metal-organic Chemical Vapor Deposition （金屬有機化合物化學氣相沉淀）。原理MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓（10-100Torr）下通H2的冷壁石英（不銹鋼）反應(yīng)室中進行，襯底溫度為500-1200℃，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座（襯底基片在石墨基座上方），H2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區(qū)。

      　　系統(tǒng)概況編輯組成因為MOCVD生長使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質(zhì)，并且要生長多組分、大面積、薄層和超薄層異質(zhì)材料。因此在MOCVD系統(tǒng)的設(shè)計思想上，通常要考慮系統(tǒng)密封性，流量、溫度控制要精確，組分變換要迅速，系統(tǒng)要緊湊等。不同廠家和研究者所產(chǎn)生或組裝的MOCVD設(shè)備是不同的。 一般由 源供給系統(tǒng) 、氣體輸運和流量控制系統(tǒng)、反應(yīng)室及溫度控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全防護報警系統(tǒng)、自動操作及電控系統(tǒng)?！驹垂┙o系統(tǒng)】包括Ⅲ族金屬有機化合物、V族氫化物及摻雜源的供給。金屬有機化合物裝在特制的不銹剛的鼓泡器中，由通入的高純H2攜帶輸運到反應(yīng)室。為了保證金屬有機化合物有恒定的蒸汽壓，源瓶置入電子恒溫器中，溫度控制精度可達0.2℃以下。氫化物一般是經(jīng)高純H2稀釋到濃度5%一10%后，裝入鋼瓶中，使用時再用高純H2稀釋到所需濃度后，輸運到反應(yīng)室。摻雜源有兩類，一類是金屬有機化合物，另一類是氫化物，其輸運方法分別與金屬有機化合物源和氫化物源的輸運相同?！練怏w輸運系統(tǒng)】氣體的輸運管都是不銹鋼管道。為了防止存儲效應(yīng)，管內(nèi)進行了電解拋光。管道的接頭用氫弧焊或VCR及Swagelok方式連接，并進行正壓檢漏及Snoop液體或He泄漏檢測，保證反應(yīng)系統(tǒng)無泄漏是MOCVD設(shè)備組裝的關(guān)鍵之一。流量是由不同量程、響應(yīng)時間快、精度高的質(zhì)量流量計和電磁閥、氣動閥等來實現(xiàn)。在真空系統(tǒng)與反應(yīng)室之間設(shè)有過濾器，以防油污或其它顆粒倒吸到反應(yīng)室中。為了迅速變化反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)氣體，而且不引起反應(yīng)室內(nèi)壓力的變化，設(shè)置“run”和“vent，，管道。【反應(yīng)室和加熱系統(tǒng)】反應(yīng)室是由石英管和石墨基座組成。為了生長組分均勻、超薄層、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體材料，各生產(chǎn)廠家和研究者在反應(yīng)室結(jié)構(gòu)的設(shè)計上下了很大功夫，設(shè)計出了不同結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室。石墨基座是由高純石墨制成，并包裹SIC層。加熱多采用高頻感應(yīng)加熱，少數(shù)是輻射加熱。由熱電偶和溫度控制器來控制溫度，一般溫度控制精度可達到0.2℃或更低。【尾氣處理系統(tǒng)】反應(yīng)氣體經(jīng)反應(yīng)室后大部分熱分解，但還有部分尚未完全分解，因此尾氣不能直接排放到大氣中，必須先進行處理，處理方法主要有高溫熱解爐再一次熱分解，再用硅油或高錳酸鉀溶液處理;也可以把尾氣直接通入裝有H2SO4+H2O及裝有NaOH溶液的吸濾瓶處理;也有的把尾氣通入固體吸附劑中吸附處理，以及用水淋洗尾氣等?！景踩Ｗo及報警系統(tǒng)】為了安全，一般的MOCVD系統(tǒng)還備有高純從旁路系統(tǒng)，在斷電或其它原因引起的不能正常工作時，通入純N2保護生長的片子或系統(tǒng)內(nèi)的清潔。在停止生長期間也有常通高純N2保護系統(tǒng)?！臼謩雍妥詣涌刂葡到y(tǒng)】一般MOCVD設(shè)備都具有手動和微機自動控制操作兩種功能。在控制系統(tǒng)面板上設(shè)有閥門開關(guān)、各個管路氣體流量、溫度的設(shè)定及數(shù)字顯示，如有問題會自動報警，是操作者能及時了解設(shè)備運轉(zhuǎn)的情況。此外，MOCVD設(shè)備一般都設(shè)在具有強排風的工作室內(nèi)。優(yōu)點1 適用范圍廣泛，幾乎可以生長所有化合物及合金半導(dǎo)體;2 非常適合于生長各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料;3 可以生長超薄外延層，并能獲得很陡的界面過渡;4 生長易于控制;5 可以生長純度很高的材料;6 外延層大面積均勻性良好;7 可以進行大規(guī)模生產(chǎn)。

      　　國內(nèi)外發(fā)展編輯中國MOCVD系統(tǒng)發(fā)展2012年12月12號，中國首臺具有世界先進水平的大型國產(chǎn)MOCVD設(shè)備發(fā)運慶典在張江高新區(qū)核心園舉行。作為LED芯片生產(chǎn)過程中最為關(guān)鍵的設(shè)備，MOCVD的核心技術(shù)長期被歐美企業(yè)所壟斷，嚴重制約了中國LED產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。中晟光電設(shè)備上海有限公司于2012年1月18日成功實現(xiàn)了擁有自主創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)的具有世界先進水平的大型國產(chǎn)MOCVD設(shè)備下線，僅用了10個月時間，又完成了工藝的開發(fā)和設(shè)備進一步的改進優(yōu)化，完成了設(shè)備產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)必備條件與設(shè)施的建立；在此基礎(chǔ)上又完成了4家客戶的多次實地考察，親臨操作設(shè)備和驗證各項工藝?？蛻舫浞挚隙酥嘘稍O(shè)備的技術(shù)方向和設(shè)計上的世界先進性，也對設(shè)備用于大規(guī)模生產(chǎn)提出了進一步改進的建設(shè)性要求。使該設(shè)備同時具有目前世界上最高的系統(tǒng)產(chǎn)能、最低的外延生產(chǎn)成本、良好的波長均勻性、大規(guī)模外延生產(chǎn)所需的各項關(guān)鍵性能等4項核心的差異競爭力。這次我國首臺具有世界先進水平的大型國產(chǎn)MOCVD設(shè)備成功發(fā)運，不僅標志著在實現(xiàn)中國大型MOCVD設(shè)備國產(chǎn)化戰(zhàn)略目標的征途上，中晟邁開了具有里程碑意義的一步，而且充分體現(xiàn)了中國有能力在高端裝備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)跨越式的發(fā)展。國外MOCVD系統(tǒng)發(fā)展隨著化合物半導(dǎo)體器件（如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN藍光LED）市場的不斷擴大，MOCVD系統(tǒng)的需求量不斷增長。國際上實力最為雄厚的MOCVD系統(tǒng)制造商有：德國Aixtron公司、美國的Emcore公司（其MOCVD已被Veeco兼并）、英國的Thomass~（1999年被Aixtron兼并）等。因為MOCVD系統(tǒng)最關(guān)鍵的問題就是保證材料生長的均勻性和重復(fù)性，因此不同廠家的MOCVD系統(tǒng)最主要的區(qū)別在于反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。Aixtron采用行星反應(yīng)（Planetary Reactor），Emcore采用TurboDisc反應(yīng)室（該業(yè)務(wù)己出售給Veeco公司）、Thomas Swan（該公司于2003年2月份被Aixtron兼并）采用 Closed Coupled Showerhead（CCS）反應(yīng)室。國內(nèi)擁有的進口MOCVD系統(tǒng)700臺左右，其中 Aixtron MOCVD系統(tǒng)和Emcore MOCVD系統(tǒng)占絕大多數(shù)，有少量的 Thomas Swan MOCVD系統(tǒng)、法國ASM MOCVD系統(tǒng)和日本RIPPON SANSO MOCVD系統(tǒng)，主要用于GaN LD/LED的研究和制造。

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      mocvd知識

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      mocvd技術(shù)

      什么是Micro-LED？Micro-LED的顯示原理是什么？

      Micro LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode，中文稱作微發(fā)光二極體，也可以寫作μLED

      2023-02-06 標簽：CMOS驅(qū)動電路MOCVD 4.4萬 0

      氮化鎵外延片的工藝及分類介紹

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      2023-02-12 標簽：LED芯片氮化鎵MOCVD 3148 0

      BluGlass通過RPCVD技術(shù)減少GaN膜生長雜質(zhì)

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      2012-11-05 標簽：MOCVDBluGlassRPCVD 2037 0

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      氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤點

      同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...

      2024-01-10 標簽：半導(dǎo)體氮化鎵MOCVD 2034 0

      基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

      基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

      一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...

      2023-08-04 標簽：太陽能電池探測器MOCVD 1832 0

      MOCVD前驅(qū)體三種常見的氣化方式

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      天龍光電首臺MOCVD月底交貨

      天龍光電首臺MOCVD設(shè)備的交貨進展一直備受業(yè)內(nèi)關(guān)注。公司將在這個月底發(fā)貨給客戶，并將于下個月在用戶端開始設(shè)備安裝、調(diào)試。

      2012-10-31 標簽：MOCVD天龍光電 1427 0

      半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

      半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

      第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單...

      2023-06-03 標簽：探測器分立器件電子制造 1392 0

      誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？

      氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...

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      LED中低階晶粒產(chǎn)能過剩 明年仍將無法緩解

      隨著LED照明市場的起飛，加上中國政府大力推行節(jié)能補助，帶動陸廠大舉擴增LED上游晶粒產(chǎn)能，自2011年起陸廠約新增420臺MOCVD機臺，總機數(shù)達72...

      2012-07-04 標簽：LED照明LED產(chǎn)業(yè)MOCVD 825 0

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      mocvd帖子

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      mocvd資訊

      IHS:中國MOCVD擴張繼續(xù) 2019年28%氮化鎵LED盈余

      市場研究機構(gòu)IHS Markit最新報告針對LED行業(yè)提出了一些觀點： ◆在對供應(yīng)商的采購計劃進行評估后，IHS Markit預(yù)測，2018年將新建33...

      2018-04-05 標簽：LEDMOCVD 1.2萬 0

      中晟光電新獲1.13億元投資 布局第三代半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備

      近日，中晟光電設(shè)備（上海）股份有限公司完成新一輪股票定向發(fā)行，由上海浦東科創(chuàng)集團有限公司領(lǐng)投,總募集資金1.13億元，募集資金用于研發(fā)生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體分...

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      聚燦光電：為滿足客戶需求，公司需逐步擴產(chǎn)，提升產(chǎn)能

      LED芯片行業(yè)的競爭日漸白熱化，大廠紛紛在擴充產(chǎn)能，利用規(guī)模優(yōu)勢帶動市場份額的提高。資本市場“新貴”聚燦光電也在緊密行動中。

      2018-04-12 標簽：LEDMOCVD聚燦光電 8308 0

      華立捷訂購多臺MOCVD設(shè)備，增加晶圓尺寸提高產(chǎn)能

      麥姆斯咨詢：該訂單將用于擴大華立捷的晶圓產(chǎn)能，同時將VCSEL的晶圓尺寸從4英寸提高至6英寸。

      2018-09-17 標簽：MOCVDVCSEL 7321 0

      中微半導(dǎo)體MOCVD生產(chǎn)項目落戶江西 將進一步發(fā)展壯大南昌市LED產(chǎn)業(yè)鏈

      今年，南昌以LED光電產(chǎn)業(yè)為核心的“南昌光谷”招商引資迎來了重大突破：在LED高端核心裝備MOCVD方面，引進了中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司（以下簡稱...

      2018-11-09 標簽：led中微半導(dǎo)體MOCVD 6252 0

      華為哈勃投資入股了長光華芯，有望進入華為激光雷達產(chǎn)業(yè)鏈

      在近日發(fā)布的長光華芯招股說明書中，我們可以發(fā)現(xiàn)華為哈勃投資入股了長光華芯，持有其4.98%股份。華為布局激光雷達產(chǎn)業(yè)鏈的目的不言而喻，也使得長光華芯有望...

      2021-06-29 標簽：芯片光刻MOCVD 6217 0

      乾照光電/歐普照明/利亞德/三星近期動向分析

      國內(nèi)各大芯片廠均在大舉擴充產(chǎn)能，在此背景下，MOCVD設(shè)備迎來重大利好。愛思強作為MOCVD設(shè)備國際大廠，在業(yè)內(nèi)已形成良好的聲譽，其設(shè)備已在大多數(shù)芯片廠...

      2017-12-04 標簽：led三星電子mocvd 5934 0

      錼創(chuàng)購買用于MicroLED生產(chǎn)的愛思強MOCVD設(shè)備

      日前，沉積設(shè)備供應(yīng)商愛思強（Aixtron）表示，臺灣錼創(chuàng)科技（PlayNitride）購買了AIX G5+ C有機金屬化學氣相沉積設(shè)備（MOCVD），...

      2019-01-14 標簽：MOCVDMicroLED 5711 0

      中微公司2022年第一季度收入9.49億元同比增長57.31%

      ? ? ? 中微公司2022年 第一季度財務(wù)報告 AMEC 2022 Q1 Report 中微公司于4月28日發(fā)布2022年第一季度財務(wù)報告，摘要如下：...

      2022-04-28 標簽：MOCVD刻蝕中微公司 5251 0

      華亞智能新產(chǎn)品MOCVD系列進入量產(chǎn)階段

      華亞智能新產(chǎn)品MOCVD系列進入量產(chǎn)階段

      蘇州華亞智能科技股份有限公司首次在證監(jiān)會公開發(fā)行股票招股說明說，公司擬在深圳證券交易所公開發(fā)行股票不超過2000萬股，發(fā)行后總股份不超過8000萬股。

      2018-12-24 標簽：半導(dǎo)體IPOMOCVD 3975 0

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      mocvd數(shù)據(jù)手冊

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        QLED是不需要額外光源的自發(fā)光技術(shù)。量子點（Quantum Dots）是一些肉眼無法看到的、極其微小的半導(dǎo)體納米晶體，是一種粒徑不足10納米的顆粒。本章還詳細介紹了oled和qled電視的區(qū)別，qled和oled哪個好，QLED和ULED，OLD和QLED電視哪個好等內(nèi)容。
      • miniled
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        MiniLED一般指Mini LED。Mini LED是指「次毫米發(fā)光二極體」，意指晶粒尺寸約在100微米的LED，最早是由臺灣晶電（富采投控 3714）所提出。
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        　　MicroLED一般指Micro LED（顯示技術(shù)），Micro LED顯示技術(shù)是指以自發(fā)光的微米量級的LED為發(fā)光像素單元，將其組裝到驅(qū)動面板上形成高密度LED陣列的顯示技術(shù)。
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        “互聯(lián)網(wǎng)+”是創(chuàng)新2.0下的互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的新業(yè)態(tài)，是知識社會創(chuàng)新2.0推動下的互聯(lián)網(wǎng)形態(tài)演進及其催生的經(jīng)濟社會發(fā)展新形態(tài)。
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        佛山市國星光電股份有限公司（簡稱“國星光電”） 成立于1969年，注冊資本6.2億元，是廣東省屬國有獨資重點企業(yè)廣晟集團的控股上市公司（股票代碼：002449），專業(yè)從事研發(fā)、生產(chǎn)、銷售LED及LED應(yīng)用產(chǎn)品，是國內(nèi)第一家以LED為主業(yè)首發(fā)上市的企業(yè)，也是最早生產(chǎn)LED的企業(yè)之一。
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        ETD
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      • 植物照明
        植物照明
        +關(guān)注
        植物照明是指采用合適的人造光源和智能控制設(shè)備，依照植物生長的光需求，人工創(chuàng)造適宜光環(huán)境或彌補自然光照不足，主動調(diào)控、優(yōu)化植物的生長發(fā)育，以實現(xiàn)增產(chǎn)、高效、優(yōu)質(zhì)、抗病、無公害生產(chǎn)。
      • 雷曼光電
        雷曼光電
        +關(guān)注
        深圳雷曼光電科技股份有限公司（證券簡稱：雷曼光電，證券代碼：300162）成立于2004年，是全球領(lǐng)先的LED超高清顯示專家，8K超高清LED巨幕顯示領(lǐng)導(dǎo)者，中國第一家LED顯示屏高科技上市公司，中國航天事業(yè)戰(zhàn)略合作伙伴。
      • 大聯(lián)大控股
        大聯(lián)大控股
        +關(guān)注
      • Veloce
        Veloce
        +關(guān)注
      • 歐普照明
        歐普照明
        +關(guān)注
        中國照明行業(yè)整體照明解決方案提供商，歐普照明堅持“超越所見”的品牌理念，以“用光創(chuàng)造價值”為企業(yè)使命，以人為本，堅持創(chuàng)新。以“打造全球化照明企業(yè)”為宏偉愿景，歐普照明已在亞太、歐洲、中東、南非等七十多個國家和地區(qū)開展業(yè)務(wù)。2017年，入圍世界品牌實驗室組織評選的“中國 500 最具價值品牌”榜單。
      • LED公司
        LED公司
        +關(guān)注
      • LED智能照明
        LED智能照明
        +關(guān)注
      • 戴森
        戴森
        +關(guān)注
      • 老化測試
        老化測試
        +關(guān)注
      • 生物醫(yī)療
        生物醫(yī)療
        +關(guān)注
      • 驅(qū)動器芯片
        驅(qū)動器芯片
        +關(guān)注
      • 柔性觸控
        柔性觸控
        +關(guān)注
      • 陽光照明
        陽光照明
        +關(guān)注
      • lgdisplay
        lgdisplay
        +關(guān)注
        LG Display（紐約證券交易所：LPL，韓交所：034220）是一家生產(chǎn)薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD）面板、OLED和柔性顯示器的領(lǐng)先制造商。1987年LG Display開始開發(fā)TFT-LCD，目前提供應(yīng)用了不同尖端科技（IPS，OLED和柔性技術(shù)）的多種尺寸、規(guī)格的顯示面板。
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