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紫光國芯榮獲2024中國汽車芯片創(chuàng)新成果獎

近日，由中國汽車工業(yè)協(xié)會、中國汽車工業(yè)經(jīng)濟(jì)技術(shù)信息研究所有限公司聯(lián)合主辦的2024全球汽車芯片創(chuàng)新大會在無錫隆重舉行。紫光國芯車規(guī)級LPDDR4(SCE...

2024-12-10 標(biāo)簽：存儲器汽車芯片 LPDDR4 429 0

紫光國芯LPDDR4產(chǎn)品榮獲“汽車芯片創(chuàng)新成果典型案例”

在近日于北京亦莊·北人亦創(chuàng)國際會展中心舉辦的2024世界智能網(wǎng)聯(lián)汽車大會（WICV）上，紫光國芯（證券代碼：874451）憑借其新一代LPDDR4產(chǎn)品，...

2024-11-01 標(biāo)簽：汽車芯片 LPDDR4 紫光國芯 388 0

蘋果a17對比蘋果m1性能差距

蘋果a17對比蘋果m1性能差距? 隨著科技的不斷進(jìn)步，蘋果的芯片技術(shù)也在不斷發(fā)展?，F(xiàn)在，蘋果已經(jīng)推出了最新的M1芯片，它有著驚人的性能和能效比，得到了廣...

2023-09-02 標(biāo)簽：芯片技術(shù)圖形處理器蘋果手機(jī) 1.3萬 0

lpddr4x過時了嗎？lpddr4x顯卡怎么樣？電腦LPDDR4X夠用嗎？

lpddr4x過時了嗎？lpddr4x顯卡怎么樣？電腦LPDDR4X夠用嗎？? LPDDR4X是低功耗雙數(shù)據(jù)速率第四代SDRAM的一種版本，主要用于低功...

2023-08-21 標(biāo)簽：處理器數(shù)據(jù)存儲 LPDDR4 6265 0

LPDDR4是什么意思？LPDDR4X內(nèi)存是什么意思？

LPDDR4是什么意思？LPDDR4X內(nèi)存是什么意思？ LPDDR4和LPDDR4X內(nèi)存是目前市面上最為先進(jìn)和流行的手機(jī)和移動設(shè)備內(nèi)存。該內(nèi)存是針對移...

2023-08-21 標(biāo)簽：LPDDR3 LPDDR4 9436 0

FPGA在汽車設(shè)計中的作用

電動汽車、自動駕駛、高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和車載信息娛樂系統(tǒng)等市場需求的猛增，也大大增加了OEM廠商對汽車系統(tǒng)電子組件的依賴。根據(jù)德勤(Deloi...

2022-10-26 標(biāo)簽：fpga 存儲器自動駕駛 879 0

使用用戶為 LPDDR4 和 x8 或 x16 DDR4 組件接口指定的 DQS 字節(jié)交換生成管腳分配時，其中可能包含錯誤且需更改

本設(shè)計咨詢涵蓋如下 Versal DDRMC 設(shè)計：使用對應(yīng) LPDDR4 和 x8 或 x16 DDR4 組件接口的 DQS 字節(jié)組管腳交換所生成的設(shè)計。

2022-08-09 標(biāo)簽：pcb Vivado LPDDR4 2118 0

華邦推出符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的小封裝LPDDR4/4X 100BGA，助力節(jié)能減碳

2022年7月27日，中國，蘇州——全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布，其新封裝100BGA LPDDR4/4X符合JEDEC JED209...

2022-07-27 標(biāo)簽：華邦 LPDDR4 1230 0

存儲器靈活性是FPGA設(shè)計的關(guān)鍵

外部存儲器的問題在于，存儲器類型太多，性能特征、容量、功耗等千差萬別。因此，能夠連接盡可能多的不同類型的存儲器至關(guān)重要。

2021-09-26 標(biāo)簽：fpga 存儲器嵌入式設(shè)備 2607 0

紅米k40游戲版值得買嗎？紅米k40游戲版參數(shù)和配置分析

8.3mm 的厚度，5065mAh的大容量電池。沒錯，紅米K40游戲增強(qiáng)版被eWiseTech收入庫中啦。今天我們且不說天璣1200+LPDDR 4x+...

2021-06-03 標(biāo)簽：智能手機(jī)電池紅米手機(jī) 4031 0

iPhone 12系列竟用的是LPDDR4內(nèi)存，并非最新的LPDDR5

iPhone 12和iPhone 12 Pro已經(jīng)上市發(fā)售，起售價分別是6299元和8499元。

2020-10-26 標(biāo)簽：智能手機(jī)蘋果 LPDDR4 1.9萬 0

OPPO沈義人表示1ynm制程LPDDR4X和LPDDR5性能差別不大

在眾多廠商紛紛宣布自家采用LPDDR5內(nèi)存的手機(jī)后，今日下午OPPO副總裁沈義人則就LPDDR4X和LPDDR5發(fā)表了自己的看法。

2020-03-02 標(biāo)簽：oppo lpddr4 4317 0

宏旺半導(dǎo)體ICMAX宣布大規(guī)模生產(chǎn)單顆8GBLPDDR4X 成業(yè)內(nèi)首家量產(chǎn)

宏旺半導(dǎo)體ICMAX宣布大規(guī)模生產(chǎn)單顆8GB LPDDR4X，這是業(yè)內(nèi)首家量產(chǎn)。LPDDR4X 8GB量產(chǎn)表明ICMAX產(chǎn)品線日漸豐富完善，現(xiàn)提供全面先...

2019-05-06 標(biāo)簽：LPDDR4 3188 0

基于LPDDR4多通道規(guī)范可以改善系統(tǒng)性能

LPDDR4多通道規(guī)范為新穎的系統(tǒng)設(shè)計提供了新的機(jī)會，尤其是多通道體系結(jié)構(gòu)可以改善系統(tǒng)性能。設(shè)計團(tuán)隊需要綜合考慮性能、功耗和設(shè)計復(fù)雜度來部署實施LPDD...

2017-11-16 標(biāo)簽：lpddr4 2.9萬 0

SK海力士宣布出貨8GB LPDDR4手機(jī)內(nèi)存比三星晚兩個月

在 Samsung Electronics 之后，SK Hynix 也增加 8GB LPDDR4 產(chǎn)品。Samsung Electronics 是在 1...

2016-12-22 標(biāo)簽：SK海力士手機(jī)內(nèi)存 LPDDR4 1812 0

三星手機(jī)內(nèi)存稱霸市場份額高達(dá)64.5%

智能手機(jī)中，除了芯片是更新?lián)Q代的大件，手機(jī)內(nèi)存也是在每一年都會迎來新變化，作為手機(jī)內(nèi)存生產(chǎn)大戶，三星已經(jīng)牢牢占據(jù)了內(nèi)存市場第一的寶座，在2016年第三季...

2016-11-30 標(biāo)簽：手機(jī)內(nèi)存 LPDDR4 DRAM內(nèi)存 1203 0

三星推出10nm級8GB LPDDR4芯片

據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~2...

2016-10-20 標(biāo)簽：芯片三星電子 10nm 1838 0

工藝性能大提升可實現(xiàn)最大6GB內(nèi)存封裝

三星電子公司今天宣布批量生產(chǎn)基于其高級20納米工藝技術(shù)的業(yè)界首款12Gb LPDDR4（低功耗雙數(shù)據(jù)速率4）移動DRAM。

2015-09-11 標(biāo)簽：DRAM 半導(dǎo)體工藝 LPDDR4 1576 0

美光“超級”存儲新品啟動下一代汽車系統(tǒng)

美國愛達(dá)荷州博伊西市，2015年3月17日——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商美光科技有限公司（Micron Technology， Inc. 納斯達(dá)克股...

2015-03-26 標(biāo)簽：美光 LPDDR4 G18 NOR 1419 0

泰克推出業(yè)內(nèi)首款LPDDR4物理層測試解決方案

中國北京，2014年9月29日 – 全球示波器市場的領(lǐng)導(dǎo)廠商---泰克公司日前宣布，推出業(yè)內(nèi)首款針對下一代移動內(nèi)存技術(shù)---JEDEC LPDDR4的...

2014-10-08 標(biāo)簽：泰克公司 LPDDR4 2717 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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