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      標(biāo)簽　>　lmg5200

      lmg5200

      +關(guān)注0人關(guān)注

      LMG5200器件集成了 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級，采用增強(qiáng)模式氮化鎵 （GaN） FET 提供了一套集成功率級解決方案，該器件配有用戶友好型接口且更為出色，采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動器提供驅(qū)動。

      文章：4個 瀏覽：6926次 帖子：3個

      lmg5200資訊

      基于LMG5200 GaN器件的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計(jì)

      基于LMG5200 GaN器件的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計(jì)

      該參考設(shè)計(jì)采用具有電流倍增整流器(current-doubler rectifier)的單級硬開關(guān)半橋，這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有效地支持高降壓比，同時(shí)提供可觀的輸...

      2022-04-26 標(biāo)簽：電源GaN參考設(shè)計(jì) 2607 0

      準(zhǔn)確測量氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時(shí)間

      準(zhǔn)確測量氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時(shí)間

      當(dāng)測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...

      2017-04-18 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵lmg5200 3259 0

      技術(shù)前沿：TI加快GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用

      相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 （GaN） 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料...

      2015-04-02 標(biāo)簽：TIGaN技術(shù)LMG5200 879 0

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        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        DCDC電源
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      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
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