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標(biāo)簽 > LMG5200
LMG5200器件集成了 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí),采用增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級(jí)解決方案,該器件配有用戶友好型接口且更為出色,采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)。
LMG5200器件集成了 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí),采用增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級(jí)解決方案,該器件配有用戶友好型接口且更為出色,采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)。
GaN FET 在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢(shì)顯著,能夠承受高達(dá) 12V 的輸入電壓,與 TPS53632G 控制器搭配使用時(shí),LMG5200 能夠直接將 48V 電壓轉(zhuǎn)換為負(fù)載點(diǎn)電壓 (0.5-1.5V)。
LMG5200開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的100 GHz觀察儀器系統(tǒng)
當(dāng)測(cè)定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí),即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...
準(zhǔn)確測(cè)量氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間
當(dāng)測(cè)定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí),即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...
基于LMG5200 GaN器件的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計(jì)
該參考設(shè)計(jì)采用具有電流倍增整流器(current-doubler rectifier)的單級(jí)硬開(kāi)關(guān)半橋,這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有效地支持高降壓比,同時(shí)提供可觀的輸...
2022-04-26 標(biāo)簽:電源GaN參考設(shè)計(jì) 2607 0
技術(shù)前沿:TI加快GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用
相較于以往使用的硅晶體管,氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著,在同樣的條件下,GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料...
2015-04-02 標(biāo)簽:TIGaN技術(shù)LMG5200 879 0
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