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標(biāo)簽 > LMG5200

LMG5200

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LMG5200器件集成了 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí),采用增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級(jí)解決方案,該器件配有用戶友好型接口且更為出色,采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)。

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LMG5200簡(jiǎn)介

  LMG5200器件集成了 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí),采用增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 提供了一套集成功率級(jí)解決方案,該器件配有用戶友好型接口且更為出色,采用半橋配置的同一高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)。

  GaN FET 在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢(shì)顯著,能夠承受高達(dá) 12V 的輸入電壓,與 TPS53632G 控制器搭配使用時(shí),LMG5200 能夠直接將 48V 電壓轉(zhuǎn)換為負(fù)載點(diǎn)電壓 (0.5-1.5V)。

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lmg5200技術(shù)

LMG5200開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的100 GHz觀察儀器系統(tǒng)

當(dāng)測(cè)定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí),即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...

2018-04-26 標(biāo)簽:示波器GaNLMG5200 5156 0

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lmg5200資料下載

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lmg5200資訊

準(zhǔn)確測(cè)量氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間

準(zhǔn)確測(cè)量氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間

當(dāng)測(cè)定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí),即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...

2017-04-18 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵lmg5200 3259 0

基于LMG5200 GaN器件的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計(jì)

基于LMG5200 GaN器件的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計(jì)

該參考設(shè)計(jì)采用具有電流倍增整流器(current-doubler rectifier)的單級(jí)硬開(kāi)關(guān)半橋,這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有效地支持高降壓比,同時(shí)提供可觀的輸...

2022-04-26 標(biāo)簽:電源GaN參考設(shè)計(jì) 2607 0

技術(shù)前沿:TI加快GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用

相較于以往使用的硅晶體管,氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著,在同樣的條件下,GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料...

2015-04-02 標(biāo)簽:TIGaN技術(shù)LMG5200 879 0

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