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LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。
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羅徹斯特為Ampleon的ICN8系列LDMOS射頻功率晶體管延長市場壽命
羅徹斯特電子與Ampleon合作 支持授權解決方案 Ampleon創(chuàng)辦于2015年,前身是NXP的射頻功率業(yè)務部門,在射頻功率領域擁有50多年的領導地位...
江西薩瑞微獨家研發(fā)【一種LDMOS場效應管及其制備方法】
一種LDMOS場效應管及其制備方法本發(fā)明涉及半導體器件設計領域,具體涉及一種LDMOS場效應管及其制備方法。在當前半導體行業(yè)競爭日趨激烈的背景下,LDM...
LDMOS場效應管,即橫向擴散金屬氧化物半導體器件。隨著對擊穿電壓要求的提高,對LDMOS場效應管中場板要求也高。
來源:RF技術社區(qū) 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡稱功放)芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長,成為各家射頻公司爭奪的焦點。 在...
到2025年,整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元
報告指出,自 20 年前首款商用產品問世以來,GaN 技術已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE...
“現在正處于從LDMOS轉到氮化鎵的時間窗口,但只有三年?!蹦苡嵃雽w總經理任勉表示,在氮化鎵領域耕耘十二年,能訊半導體迎來關鍵時間節(jié)點,抓住5G基站建...
Ampleon為HF、VHF和ISM應用提供LDMOS RF功率晶體管
Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產品組合,采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術。
超耐用LDMOS提升功率:恩智浦發(fā)布BLF188XR
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管,作為特別關注...
日前,射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵(GaN)晶體管,所有...
英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設備和雷達系統(tǒng)的脈沖應用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術,全新推出的器件具備高能效...
眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此,將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限...
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電...
2011-12-01 標簽:LDMOS 1.0萬 0
2011年9月9日,德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管,該產品結合了業(yè)界最高的輸出功率、效率...
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