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標簽 > ldmos

ldmos

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LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。

文章:35 瀏覽:25269 帖子:22

ldmos資訊

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5G功放技術戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場

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到2025年,整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元

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在射頻和功率應用中,氮化鎵(GaN)技術正在變得日益盛行。

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從LDMOS轉到氮化鎵的時間窗口只有三年

“現在正處于從LDMOS轉到氮化鎵的時間窗口,但只有三年?!蹦苡嵃雽w總經理任勉表示,在氮化鎵領域耕耘十二年,能訊半導體迎來關鍵時間節(jié)點,抓住5G基站建...

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Ampleon為HF、VHF和ISM應用提供LDMOS RF功率晶體管

Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產品組合,采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術。

2016-01-13 標簽:晶體管LDMOSAmpleon 2053 0

超耐用LDMOS提升功率:恩智浦發(fā)布BLF188XR

恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...

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恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管

恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管,作為特別關注...

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飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

日前,射頻功率技術領先供應商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員:包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵(GaN)晶體管,所有...

2013-06-09 標簽:飛思卡爾GaNLDMOS 1958 0

英飛凌推出全新射頻功率LDMOS晶體管

英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設備和雷達系統(tǒng)的脈沖應用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術,全新推出的器件具備高能效...

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最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測試及應用類型

眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此,將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限...

2012-05-28 標簽:射頻ldmos功率晶體管 1876 0

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DMOS主要有兩種類型,垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管VDMOSFET和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管LDMOSFET。

2011-12-01 標簽:VDMOSLDMOS 3.7萬 0

LDMOS器件靜電放電失效原理

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通過對不同器件結構LDMOS的靜電放電防護性能的分析對比,指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結構LDMOS器件在靜電防護方面的優(yōu)勢。

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2011年9月9日,德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管,該產品結合了業(yè)界最高的輸出功率、效率...

2011-09-13 標簽:飛思卡爾LDMOS 1282 0

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模數轉換器 數模轉換器 數字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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