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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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三電平逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)電路電磁兼容研究
分析了三電平逆變器系統(tǒng)中IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要干擾源及耦合途徑,在此基礎(chǔ)上對(duì)lGBT驅(qū)動(dòng)電路EMC設(shè)計(jì)的一些問題進(jìn)行了研究,重點(diǎn)討論了光纖傳輸信號(hào)、輔助電源設(shè)
由于現(xiàn)在經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,能源的消耗也是急劇增加,我們?nèi)绾稳p少能源的損耗做到節(jié)能減排?這就要求我們的產(chǎn)品有一個(gè)更高的效率,更低的成本。而對(duì)于一個(gè)高性能的系
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效...
2010-07-29 標(biāo)簽:IGBT 1933 0
下為DA962Dx系列原理圖,參考下圖可設(shè)計(jì)出最大可驅(qū)動(dòng)300A/1700V的IGBT驅(qū)動(dòng)板,落木源電子所生產(chǎn)的IGBT驅(qū)動(dòng)板是在此基礎(chǔ)上增加了更多保護(hù)...
2010-07-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)IGBT 3.5萬 2
富士電機(jī)電子設(shè)備技術(shù)的IGBT 富士電機(jī)電子設(shè)備技術(shù)的IGBT 技術(shù)從1988 年開始產(chǎn)品化,至今一直在市場(chǎng)上供應(yīng)。圖 1-3 中表現(xiàn)了從第一代
2010-07-20 標(biāo)簽:IGBT 1544 0
IGBT的構(gòu)造和功率MOSFET的對(duì)比如圖 1-1 所示。IGBT 是通過在功率MOSFET 的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,從而具有以
2010-07-20 標(biāo)簽:IGBT 3405 0
富士電機(jī)IGBT模塊與優(yōu)派克Eupec相應(yīng)型號(hào)對(duì)照表
注:只列出封裝相同之模塊;-50表示RoHs 富士電機(jī)S系列PIM模塊
2010-07-20 標(biāo)簽:IGBT 2308 0
IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)--IGBT的基本結(jié)構(gòu),參數(shù)選擇,使用注意
1.IGBT的基本結(jié)構(gòu) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè) P 型層。根據(jù)國(guó)
2010-05-27 標(biāo)簽:IGBT 1.3萬 0
新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所...
英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命
英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命 2010年5月6日,德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐...
創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)
創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù) 英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模
華潤(rùn)微電子IGBT工藝平臺(tái)通過產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證
華潤(rùn)微電子IGBT工藝平臺(tái)通過產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證 由中國(guó)科學(xué)院微電子研究...
優(yōu)化高電壓IGBT,優(yōu)化高電壓IGBT是什么意思
優(yōu)化高電壓IGBT,優(yōu)化高電壓IGBT是什么意思 中心議題: 優(yōu)化高電壓IGBT 解決方案: 高側(cè)晶體管
集成電路TLP250構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)器及電路
集成電路TLP250構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)器及電路
2010-03-14 標(biāo)簽:IGBT 2.2萬 3
如何為電路設(shè)計(jì)選擇適合的IGBT? 什么是IGBT?其工作原理是什么?為什么大家要選擇IGBT?它的優(yōu)勢(shì)是什么?一系列疑問的拋出,在3月5日第十五屆國(guó)...
2010-03-11 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)IGBT 1242 0
IGBT的工作原理是什么? IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體...
2010-03-05 標(biāo)簽:igbt 9.7萬 2
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵
2010-03-04 標(biāo)簽:IGBTIGBT結(jié) 5317 0
H橋IGBT功率單元及試驗(yàn)裝置的母線結(jié)構(gòu)
H橋IGBT功率單元 本文中的實(shí)驗(yàn)裝置是一臺(tái)單相 H 橋IGBT 功率單元,其拓?fù)浣Y(jié)
2010-02-22 標(biāo)簽:IGBT 3737 0
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