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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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Diodes推出專為IGBT設(shè)計(jì)的ZXGD3006E6閘極驅(qū)動(dòng)器
Diodes公司推出專為開關(guān)高功率IGBT設(shè)計(jì)的ZXGD3006E6閘極驅(qū)動(dòng)器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的...
2011-07-06 標(biāo)簽:DiodesIGBTZXGD3006E6 1463 0
IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)
本文主要介紹了IGBT構(gòu)成的電機(jī)傳動(dòng)用逆變器的主電路組成及IGBT參數(shù)選擇,驅(qū)動(dòng)電路、緩沖吸收電路的組成及參數(shù)選擇以及主電路安裝和布局應(yīng)注意的問題,對(duì)實(shí)...
2011-07-01 標(biāo)簽:逆變器IGBT交流傳動(dòng) 3167 0
英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管,具有很低的開...
目前西安誼邦電子科技提供的該項(xiàng)新產(chǎn)品采用模塊式功放結(jié)構(gòu), 主極電流100A,200A,400A/500A/1000A/1250A可選, 2500A/50...
2011-06-07 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)IGBT 2453 0
賽米控推出最新MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊
賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊,該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比,新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
三菱電機(jī)于2011年4月8日上市了產(chǎn)品壽命更長(zhǎng)、可靠性更高的IGBT模塊“J系列T-PM”。新產(chǎn)品將面向混合動(dòng)力車和電動(dòng)汽車用馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)用途
全數(shù)字IGBT后極高頻機(jī)的設(shè)計(jì)全過程
將逆變器后面的兩個(gè)紅黑接線柱接到輸出,將逆變器引出最粗的兩條線接到12V的電池,紅線的接正極,黑線接負(fù)極。此時(shí)機(jī)器前面的數(shù)碼管顯示當(dāng)前設(shè)定的后極頻率及脈寬
華潤(rùn)微電子開發(fā)出1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)
華潤(rùn)上華已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái),各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求,成功進(jìn)入Trench IG...
2011-03-31 標(biāo)簽:IGBT華潤(rùn)微電子工藝平臺(tái) 1612 0
實(shí)用IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策!逆變電焊機(jī)=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問題是...
為了實(shí)現(xiàn)三電平電路,只能通過采用分立式器件或至少將三個(gè)模塊結(jié)合在一起?,F(xiàn)在,采用針對(duì)較高擊穿電壓的芯片技術(shù),通過將三電平橋臂集成到單獨(dú)模塊中,再配上驅(qū)動(dòng)...
IGBT設(shè)計(jì)思路 主變壓器用EC-35鐵氧體磁芯,初級(jí)0.2X20mm銅皮3T+3T,次級(jí)0.44漆包線45X4共180T分四段再串聯(lián)。
2011-01-13 標(biāo)簽:IGBT 4659 0
IGBT的保護(hù)措施,主要包括過壓保護(hù)和過流保護(hù)兩類。使用中,對(duì)于IGBT因關(guān)斷而產(chǎn)生的開關(guān)浪涌電壓,可以采用適
2010-11-09 標(biāo)簽:IGBT 1687 0
IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)考慮及電路圖
在IGBT的柵極電路中,主要考慮的因素包括柵極電壓U的正、負(fù)及柵極電阻R的大小。它們對(duì)IGBT的導(dǎo)通電壓、開關(guān)時(shí)間
2010-11-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)IGBT 1266 0
IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示,與GTR的伏安特性基本相似,
2010-11-09 標(biāo)簽:IGBT 2475 0
IGBT實(shí)在BDMOS型功率場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下,增加一個(gè)P+層發(fā)射極而行程pn,如圖1-31所示,就構(gòu)成
2010-11-09 標(biāo)簽:IGBT 4462 0
采用IGBT作為功率開關(guān)的500W太陽能逆變器設(shè)計(jì)
在全球的綠色能源發(fā)展趨勢(shì)下,越來越多的家用電器、照明設(shè)備、電動(dòng)工具、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)以及其它工業(yè)設(shè)備開始采用太陽能供電,將太陽能量轉(zhuǎn)換為所需...
2010-11-04 標(biāo)簽:功率開關(guān)IGBT 4428 0
門控管(IGBT)是由場(chǎng)效應(yīng)管作為推動(dòng)管。 大功率管作為輸出管的有機(jī)組合。應(yīng)用于電磁灶等的大電流、高電平電器中
柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性的性能影響分析
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放
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