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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能工業(yè)IC的廣泛產(chǎn)品陣容
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)持續(xù)推動(dòng)高性能工業(yè)積體電路(IC)方案的電源管理。最新元件提供高度強(qiáng)固性,應(yīng...
IGBT的一種驅(qū)動(dòng)和過流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Tramistor,IGBT)是MOSFET與GTR的復(fù)合器件,因此,它既具有MOSFE...
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管(IsolatedGateBipolarTransistor),它是八十年代初誕生,九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子器...
2012-11-06 標(biāo)簽:IGBT 1210 0
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開...
2012-10-30 標(biāo)簽:IGBT 2143 0
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT陣容
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)...
英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合
英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第叁代逆導(dǎo) (RC) 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 (IGBT) 產(chǎn)品系列,推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型...
IR 針對(duì)家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用推出新型 IGBT
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱 IR) 推出 IRGR4045DPbF 和....
2012-10-17 標(biāo)簽:IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片 1068 0
快捷半導(dǎo)體蟬聯(lián)伊頓亞太區(qū)最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)
快捷半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈獲頒伊頓亞太區(qū)2012年最佳供應(yīng)商獎(jiǎng),連續(xù)兩年蟬聯(lián)該獎(jiǎng)...
2012-10-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT快捷半導(dǎo)體 888 0
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%...
IGBT的驅(qū)動(dòng)和過流保護(hù)電路的研究
本文主要研究了IGBT的驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)問題,就其工作原理進(jìn)行分析,設(shè)計(jì)出具有過流保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并...
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件,要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(...
如何保護(hù)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器與可再生能源系統(tǒng)中的IGBT
電源轉(zhuǎn)換電路經(jīng)常被應(yīng)用在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或可再生能源的功率轉(zhuǎn)換上,設(shè)計(jì)中包括可以將直流電壓轉(zhuǎn)換...
2012-10-09 標(biāo)簽:IGBT馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器 1325 1
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布1200V碳化硅太陽能解決方案
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)佈碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果,協(xié)助系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻柲苻D(zhuǎn)化成電網(wǎng...
2012-09-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET意法半導(dǎo)體 1454 0
中國本土IC設(shè)計(jì)廠叫板聯(lián)發(fā)科!
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊: 剛過去的一周,電子行業(yè)大事精彩上演。與此同時(shí),過去一周廠商動(dòng)作頻頻,爭(zhēng)相推出各種技術(shù)新品助力工程...
美高森美半導(dǎo)體擴(kuò)展NPT IGBT產(chǎn)品系列
功率、安全性、可靠度和效能差異化半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi) 宣佈其新一代1200V非貫穿型(non-punch throug...
2012-09-13 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT美高森美 1808 0
飛兆半導(dǎo)體擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(j...
2012-09-10 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體IGBT電源芯片 719 0
IR全新600V IGBT為馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用 提升功率密度及效率
國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列,藉以優(yōu)化在10kHz以下...
IR推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列IRG7RC10FD
國際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)...
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