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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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國產(chǎn)科學(xué)儀器走出去:武漢普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)出口國際市場
前言隨著全球科技水平的提高和科學(xué)研究的深入,科學(xué)儀器成為各個國家和地區(qū)科研機構(gòu)、高校和企業(yè)必不可少的工具。受益于全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跑馬圈地擴張產(chǎn)能,測...
聚焦功率半導(dǎo)體測試 | 普賽斯儀表多款測試新品亮相中國光谷九峰山論壇
“聚勢賦能共赴未來”,2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會,已在中國武漢光谷圓滿落下帷幕。此次活動作為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最...
攬獲殊榮!普賽斯儀表榮獲“金翎獎”功率半導(dǎo)體領(lǐng)域2024年度優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商獎項
全球半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展,暢通著能源產(chǎn)業(yè)的命脈。新能源時代,功率半導(dǎo)體成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的名片之一。4月23日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展...
捷捷微電與晶能微電子深化合作,共繪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新篇章
近日,捷捷微電與總部位于杭州的浙江晶能微電子有限公司(簡稱“晶能”)在吉利科技大廈隆重簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。此舉標(biāo)志著雙方在工控IGBT領(lǐng)域的合作將進(jìn)一步加...
在現(xiàn)代社會,工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動和廠房的運轉(zhuǎn)等都會消耗大量的能源。然而,近年來,全球眾多國家和地區(qū)加快了實現(xiàn)碳中和的進(jìn)程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超...
基本半導(dǎo)體推出了一種混合式IGBT(混合碳化硅分立器件)
傳統(tǒng)電力電子應(yīng)用中,IGBT的續(xù)流二極管一般以硅基FRD(快恢復(fù)二極管)為主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的開通和關(guān)斷行為的潛力,對開關(guān)損耗是很大的拖累。
來源:投資界 近日,株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司(簡稱“中車時代半導(dǎo)體”)宣布增資引入26位戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺,金額為人民幣 43.278億元。 據(jù)...
東芝12寸晶圓功率半導(dǎo)體廠完工,產(chǎn)能預(yù)計提升2.5倍
東芝透露,目前正致力于相關(guān)設(shè)備的安裝,旨在確保在2024財年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)。一旦全面投產(chǎn),東芝功率半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品MOSFET和IGBT的產(chǎn)量預(yù)計將達(dá)到...
2024-05-27 標(biāo)簽:東芝IGBT功率半導(dǎo)體 676 0
安賽思半導(dǎo)體和三福半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司和新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱:三福半導(dǎo)體)成功簽署戰(zhàn)略合作備忘錄,并舉行了安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室的揭牌儀式。
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器
Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)M...
東風(fēng)汽車:智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線預(yù)計7月批量投產(chǎn)
5月22日,東風(fēng)汽車官方發(fā)布消息表示,該司已聯(lián)手中國中車在武漢共同創(chuàng)立智新半導(dǎo)體,旨在通過自主研發(fā)突破,掌握生產(chǎn)車規(guī)級IGBT模塊的技術(shù),并成功實現(xiàn)量產(chǎn)...
2024-05-22 標(biāo)簽:IGBT碳化硅東風(fēng)汽車 799 0
IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動電壓有助于降低器...
英飛凌科技發(fā)布了其全新SSI系列固態(tài)隔離器,這是一款集成了隔離型柵極驅(qū)動電源的革命性產(chǎn)品。SSI系列固態(tài)隔離器旨在驅(qū)動MOS電壓驅(qū)動型功率晶體管,如Co...
昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0
近日,昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0,導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合...
1200A-1800A 1700V IGBT5 XHP?2 .xt模塊的特點及應(yīng)用
大功率牽引和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用需要高魯棒性,高可靠性和使用壽命長的功率器件。采用IGBT5和.XT技術(shù)的XHP? 2模塊可以滿足這些要求。I
貝茵凱車規(guī)級產(chǎn)品亮相,助力汽車行業(yè)新潮
貝茵凱本次展出的是第七代750V275A車規(guī)級硅基IGBT芯片——B75V28A99ST7,額定電壓達(dá)750V,額定電流275A,適用于生產(chǎn)550A-9...
2024-04-29 標(biāo)簽:芯片IGBT驅(qū)動系統(tǒng) 692 0
CIAS2024金翎獎頒獎典禮:上海貝嶺兩款I(lǐng)GBT產(chǎn)品榮獲兩大獎項
CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會于2024年4月23日在蘇州獅山國際會議中心舉行。
2024-04-29 標(biāo)簽:逆變器IGBT功率半導(dǎo)體 972 0
時代半導(dǎo)體獲43.28億戰(zhàn)略投資 助力功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
作為株洲中車時代電氣股份有限公司的旗下子公司,時代半導(dǎo)體自1964年起專注于功率半導(dǎo)體技術(shù)的研究和產(chǎn)業(yè)化,現(xiàn)已成為全球領(lǐng)先的IDM企業(yè)之一,掌握了大功率...
2024-04-29 標(biāo)簽:大功率半導(dǎo)體技術(shù)IGBT 548 0
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