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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

SiC市場(chǎng)激烈,萬(wàn)年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望

SiC市場(chǎng)激烈,萬(wàn)年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望

2024年進(jìn)入尾聲,中國(guó)碳化硅(SiC)卻迎來(lái)一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn);后有老玩家退場(chǎng)-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)...

2024-12-20 標(biāo)簽:IGBTSiC碳化硅 241 0

陸芯科技推出IGBT單管YGW40N65FMA1

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陸芯科技正式推出650V40A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGW40N65FMA1,產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)TO24...

2024-12-14 標(biāo)簽:封裝IGBT陸芯科技 258 0

陸芯科技榮獲功率器件-IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)

由21世紀(jì)電源網(wǎng)在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,陸芯科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的激烈競(jìng)...

2024-12-12 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 309 0

Microchip 推出全新IGBT 7元件組合,滿足高增長(zhǎng)市場(chǎng)需求

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近日,Microchip Technology公司宣布推出其最新的IGBT 7元件組合,該系列產(chǎn)品專為支持多種電力拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)而設(shè)計(jì),涵蓋了廣泛的電流和電壓范圍。

2024-12-11 標(biāo)簽:microchipIGBT晶體管 258 0

芯長(zhǎng)征科技榮獲功率器件IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)

在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,芯長(zhǎng)征科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過(guò)近兩個(gè)月的激烈競(jìng)爭(zhēng)和嚴(yán)格評(píng)審...

2024-12-10 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率芯片 393 0

APSME 2025|抓機(jī)遇,促發(fā)展——共創(chuàng)功率半導(dǎo)體行業(yè)新篇章

功率半導(dǎo)體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電和電能質(zhì)量管理、汽車電子和汽車充電樁等領(lǐng)域...

2024-12-26 標(biāo)簽:汽車電子IGBT功率半導(dǎo)體 53 0

東芝RC結(jié)構(gòu)分立IGBTGT30J65MRB:提升空調(diào)與工業(yè)設(shè)備能效的可靠伙伴

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當(dāng)前,高功率工業(yè)設(shè)備及家用電器領(lǐng)域正面臨著前所未有的效率挑戰(zhàn)。變頻空調(diào)的廣泛應(yīng)用以及工業(yè)設(shè)備對(duì)低功耗大型電源的迫切需要,使市場(chǎng)對(duì)于高效能開(kāi)關(guān)器件的需求日...

2024-12-09 標(biāo)簽:東芝IGBT 212 0

納芯微推出智能隔離柵極驅(qū)動(dòng)器NSI67X0系列

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納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動(dòng) NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動(dòng) SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具車規(guī)等級(jí)(...

2024-12-09 標(biāo)簽:傳感器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 262 0

安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)前瞻

IGBT是中高壓應(yīng)用的主要器件。為滿足越來(lái)越多的對(duì)穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲(chǔ)存溝...

2024-12-09 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Nexperia 234 0

CMT8602X系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,工業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)階密鑰

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CMT8602X作為一種采用開(kāi)關(guān)鍵控(On-Off Keying, OOK)調(diào)制技術(shù)來(lái)傳遞數(shù)據(jù)信息的特殊“射頻芯片”,還具有著一流的傳播延遲和脈寬失真度...

2024-12-05 標(biāo)簽:IGBT隔離驅(qū)動(dòng) 176 0

森國(guó)科推出全新1200V/25A IGBT

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森國(guó)科推出的1200V/25A IGBT(選型:KG025N120LD-R)適用于逆變焊機(jī)、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款I(lǐng)GBT的魯棒性和耐用性極...

2024-12-04 標(biāo)簽:芯片IGBT森國(guó)科 303 0

功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車市場(chǎng)嶄露頭角

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近年來(lái),隨著電動(dòng)車滲透率的逐步提升,在各類汽車半導(dǎo)體產(chǎn)品中,功率半導(dǎo)體無(wú)疑是受益最大的領(lǐng)域;其高效能與低損耗特性,為電動(dòng)車的續(xù)航提升與性能優(yōu)化提供了堅(jiān)實(shí)...

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長(zhǎng)晶科技FST3.0 IGBT新品發(fā)布

長(zhǎng)晶科技本次推出了FST3.0(對(duì)標(biāo)國(guó)際Gen7.0) 650V和1200V系列的三款I(lǐng)GBT單管,主要用于光伏儲(chǔ)能等應(yīng)用。

2024-12-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT長(zhǎng)晶科技 191 0

北交大本科生走進(jìn)泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室

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2024-11-29 標(biāo)簽:IGBT氮化鎵泰克科技 328 0

開(kāi)關(guān)電源的效率優(yōu)化方法 如何定制開(kāi)關(guān)電源解決方案

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高頻逆變技術(shù)作為一種先進(jìn)的電能變換技術(shù),在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用,特別是在點(diǎn)焊電源領(lǐng)域,其創(chuàng)新應(yīng)用更是推動(dòng)了焊接工藝的革新與進(jìn)步。本文將圍...

2024-12-02 標(biāo)簽:逆變技術(shù)IGBT點(diǎn)焊電源 138 0

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川土微電子CA-IS3211SCWG單通道超寬體光耦輸入型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布!

2024-11-27 標(biāo)簽:MOSFETIGBT光耦 386 0

在逆變器應(yīng)用中提供更高能效,這款I(lǐng)GBT模塊了解一下

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制造商和消費(fèi)者都在試圖擺脫對(duì)化石燃料能源的依賴,電氣化方案也因此廣受青睞。這對(duì)于保護(hù)環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢(shì)具有重要意義。電動(dòng)汽車(E...

2024-11-24 標(biāo)簽:電源逆變器IGBT 374 0

青銅劍技術(shù)獲智光電氣“質(zhì)量先鋒獎(jiǎng)”

11月22日,在智光電氣2024年度供應(yīng)鏈高峰論壇上,青銅劍技術(shù)憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn),喜獲智光電氣頒發(fā)的“質(zhì)量先鋒獎(jiǎng)”。 ? 青銅劍技術(shù)的高性能IGB...

2024-11-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT青銅劍技術(shù) 251 0

英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM

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高性能CIPOS Maxi轉(zhuǎn)模封裝IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二極管Emcon 7技術(shù)。由...

2024-11-22 標(biāo)簽:英飛凌IGBTIPM 238 0

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    基站測(cè)試
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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě),中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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