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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7
新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級(jí)中提供...
2025-04-01 標(biāo)簽:IGBTIPM三相電機(jī)驅(qū)動(dòng) 109 0
詳解IGBT晶圓在伺服馬達(dá)領(lǐng)域的應(yīng)用
IGBT廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,特別是在需要高效快速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合。它常用于放大器和脈沖寬度調(diào)制(PWM)應(yīn...
IGBT高溫漏電流和電壓阻斷能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因
IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷是其被新一代電力電子設(shè)備加速淘汰的根本原因 一、IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷的本質(zhì) 材料物理特性...
從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性
深度分析:從IGBT模塊可靠性問(wèn)題看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問(wèn)題導(dǎo)致國(guó)內(nèi...
中國(guó)電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊和SiC模塊
中國(guó)電力電子客戶逐漸擺脫對(duì)國(guó)外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴,轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品...
英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析
英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價(jià)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國(guó)市場(chǎng)掀起了降價(jià)超過(...
中國(guó)電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊取代進(jìn)口IGBT模塊,是當(dāng)前電力電子系統(tǒng)創(chuàng)新升級(jí)的核心路徑。這一趨勢(shì)不僅是技術...
國(guó)產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對(duì)25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價(jià)格絞殺戰(zhàn)
進(jìn)入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價(jià)超過(guò)30%來(lái)絞殺國(guó)產(chǎn)功率模塊,面對(duì)外資功率模的瘋狂價...
SC5016大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng) 第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)設(shè)備
SC5016大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是專為?碳化硅(SiC)/氮化鎵(GaN)功率器件?設(shè)計(jì)的全自動(dòng)檢測(cè)平臺(tái...
2025-03-13 標(biāo)簽:大功率測(cè)試系統(tǒng)IGBT 191 0
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)...
揚(yáng)杰科技聯(lián)合舉辦SiC和IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)
近日,由揚(yáng)州市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司聯(lián)合舉辦的“揚(yáng)帆起航 共贏未來(lái)”SiC...
2025-03-07 標(biāo)簽:IGBTSiC揚(yáng)杰科技 539 0
2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年
2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價(jià)格首次低于進(...
見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!
進(jìn)入2025年以來(lái),全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(r...
2025-03-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 437 0
電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇:國(guó)產(chǎn)SiC模塊取代進(jìn)口IGBT模塊
國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢(shì),既是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,也是中國(guó)...
逆變器應(yīng)用中國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管損耗計(jì)算對(duì)比
國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管在125kW儲(chǔ)能變流器逆變損耗計(jì)算對(duì)比以及國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單...
華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品
引言 在新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域,高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心。華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT...
在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下,新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件,發(fā)揮著不可替代的作用。它究...
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