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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7

新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7

新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級(jí)中提供...

2025-04-01 標(biāo)簽:IGBTIPM三相電機(jī)驅(qū)動(dòng) 109 0

詳解IGBT晶圓在伺服馬達(dá)領(lǐng)域的應(yīng)用

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IGBT廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,特別是在需要高效快速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合。它常用于放大器和脈沖寬度調(diào)制(PWM)應(yīn...

2025-04-01 標(biāo)簽:晶圓IGBT伺服馬達(dá) 67 0

IGBT高溫漏電流和電壓阻斷能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因

IGBT高溫漏電流和電壓阻斷能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因

IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷是其被新一代電力電子設(shè)備加速淘汰的根本原因 一、IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷的本質(zhì) 材料物理特性...

2025-03-31 標(biāo)簽:電壓IGBT 52 0

從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性

深度分析:從IGBT模塊可靠性問(wèn)題看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問(wèn)題導(dǎo)致國(guó)內(nèi...

2025-03-31 標(biāo)簽:IGBTSiC 64 0

中國(guó)電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊和SiC模塊

中國(guó)電力電子客戶逐漸擺脫對(duì)國(guó)外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴,轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品...

2025-03-28 標(biāo)簽:IGBT電力電子SiC模塊 110 0

新能源汽車IGBT模塊中MOS管的關(guān)鍵作用

新能源汽車IGBT模塊中MOS管的關(guān)鍵作用

隨著新能源汽車技術(shù)的普及,對(duì)電力控制系統(tǒng)IGBT的需要也隨之提升,今天咱們重點(diǎn)講講新能源汽車IGBT中的關(guān)鍵分立器件——MOS管...

2025-03-25 標(biāo)簽:新能源汽車MOS管IGBT 189 0

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析

英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價(jià)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國(guó)市場(chǎng)掀起了降價(jià)超過(...

2025-03-21 標(biāo)簽:英飛凌IGBT 180 0

中國(guó)電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊

國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊取代進(jìn)口IGBT模塊,是當(dāng)前電力電子系統(tǒng)創(chuàng)新升級(jí)的核心路徑。這一趨勢(shì)不僅是技術...

2025-03-21 標(biāo)簽:IGBT電力電子SiC 123 0

國(guó)產(chǎn)SiC模塊如何應(yīng)對(duì)25年英飛凌富士IGBT模塊瘋狂的價(jià)格絞殺戰(zhàn)

進(jìn)入2025年伊始,外資品牌IGBT模塊比如英飛凌,富士等大幅度降價(jià)超過(guò)30%來(lái)絞殺國(guó)產(chǎn)功率模塊,面對(duì)外資功率模的瘋狂價...

2025-03-21 標(biāo)簽:英飛凌IGBTSiC模塊 157 0

IGBT模塊封裝:高效散熱,可靠性再升級(jí)!

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在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模...

2025-03-18 標(biāo)簽:IGBT晶體管芯片貼裝 284 0

SC5016大功率IGBT測(cè)試系統(tǒng)  第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)設(shè)備

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SC5016大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是專為?碳化硅(SiC)/氮化鎵(GaN)功率器件?設(shè)計(jì)的全自動(dòng)檢測(cè)平臺(tái...

2025-03-13 標(biāo)簽:大功率測(cè)試系統(tǒng)IGBT 191 0

碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見(jiàn)問(wèn)題Q&A

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碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)...

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陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

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陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGK40N120TMA1。

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揚(yáng)杰科技聯(lián)合舉辦SiC和IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)

近日,由揚(yáng)州市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司聯(lián)合舉辦的“揚(yáng)帆起航 共贏未來(lái)”SiC...

2025-03-07 標(biāo)簽:IGBTSiC揚(yáng)杰科技 539 0

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年

2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價(jià)格首次低于進(...

2025-03-07 標(biāo)簽:IGBTSiC碳化硅 363 0

見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!

見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!

進(jìn)入2025年以來(lái),全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(r...

2025-03-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 437 0

電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇:國(guó)產(chǎn)SiC模塊取代進(jìn)口IGBT模塊

國(guó)產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢(shì),既是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,也是中國(guó)...

2025-03-01 標(biāo)簽:模塊IGBTSiC 311 0

逆變器應(yīng)用中國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管損耗計(jì)算對(duì)比

逆變器應(yīng)用中國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管損耗計(jì)算對(duì)比

國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單管在125kW儲(chǔ)能變流器逆變損耗計(jì)算對(duì)比以及國(guó)產(chǎn)SiC單管替代進(jìn)口IGBT單...

2025-02-24 標(biāo)簽:逆變器IGBTSiC 257 0

華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品

華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT)家族新品

引言 在新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域,高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心。華太電子正式發(fā)布超結(jié)二代(SJ-IGBT...

2025-02-22 標(biāo)簽:新能源IGBT功率器件 653 0

IGBT模塊如何助力新能源發(fā)展

在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下,新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件,發(fā)揮著不可替代的作用。它究...

2025-02-21 標(biāo)簽:新能源汽車模塊IGBT 980 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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