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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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SiC市場(chǎng)激烈,萬(wàn)年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望
2024年進(jìn)入尾聲,中國(guó)碳化硅(SiC)卻迎來(lái)一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn);后有老玩家退場(chǎng)-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)...
陸芯科技正式推出650V40A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGW40N65FMA1,產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)TO24...
陸芯科技榮獲功率器件-IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)
由21世紀(jì)電源網(wǎng)在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,陸芯科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的激烈競(jìng)...
2024-12-12 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 309 0
Microchip 推出全新IGBT 7元件組合,滿足高增長(zhǎng)市場(chǎng)需求
近日,Microchip Technology公司宣布推出其最新的IGBT 7元件組合,該系列產(chǎn)品專為支持多種電力拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)而設(shè)計(jì),涵蓋了廣泛的電流和電壓范圍。
芯長(zhǎng)征科技榮獲功率器件IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)
在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,芯長(zhǎng)征科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過(guò)近兩個(gè)月的激烈競(jìng)爭(zhēng)和嚴(yán)格評(píng)審...
APSME 2025|抓機(jī)遇,促發(fā)展——共創(chuàng)功率半導(dǎo)體行業(yè)新篇章
功率半導(dǎo)體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電和電能質(zhì)量管理、汽車電子和汽車充電樁等領(lǐng)域...
2024-12-26 標(biāo)簽:汽車電子IGBT功率半導(dǎo)體 53 0
東芝RC結(jié)構(gòu)分立IGBTGT30J65MRB:提升空調(diào)與工業(yè)設(shè)備能效的可靠伙伴
當(dāng)前,高功率工業(yè)設(shè)備及家用電器領(lǐng)域正面臨著前所未有的效率挑戰(zhàn)。變頻空調(diào)的廣泛應(yīng)用以及工業(yè)設(shè)備對(duì)低功耗大型電源的迫切需要,使市場(chǎng)對(duì)于高效能開(kāi)關(guān)器件的需求日...
納芯微推出智能隔離柵極驅(qū)動(dòng)器NSI67X0系列
納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動(dòng) NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動(dòng) SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具車規(guī)等級(jí)(...
2024-12-09 標(biāo)簽:傳感器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 262 0
安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)前瞻
IGBT是中高壓應(yīng)用的主要器件。為滿足越來(lái)越多的對(duì)穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲(chǔ)存溝...
2024-12-09 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Nexperia 234 0
CMT8602X系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,工業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)階密鑰
CMT8602X作為一種采用開(kāi)關(guān)鍵控(On-Off Keying, OOK)調(diào)制技術(shù)來(lái)傳遞數(shù)據(jù)信息的特殊“射頻芯片”,還具有著一流的傳播延遲和脈寬失真度...
2024-12-05 標(biāo)簽:IGBT隔離驅(qū)動(dòng) 176 0
功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車市場(chǎng)嶄露頭角
近年來(lái),隨著電動(dòng)車滲透率的逐步提升,在各類汽車半導(dǎo)體產(chǎn)品中,功率半導(dǎo)體無(wú)疑是受益最大的領(lǐng)域;其高效能與低損耗特性,為電動(dòng)車的續(xù)航提升與性能優(yōu)化提供了堅(jiān)實(shí)...
2024-12-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT汽車產(chǎn)業(yè) 260 0
長(zhǎng)晶科技FST3.0 IGBT新品發(fā)布
長(zhǎng)晶科技本次推出了FST3.0(對(duì)標(biāo)國(guó)際Gen7.0) 650V和1200V系列的三款I(lǐng)GBT單管,主要用于光伏儲(chǔ)能等應(yīng)用。
2024-12-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT長(zhǎng)晶科技 191 0
北交大本科生走進(jìn)泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室
近日,北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院的“電力電子方向?qū)I(yè)綜合設(shè)計(jì)與實(shí)踐”本科大四學(xué)生在楊曉峰教授的帶領(lǐng)下,走進(jìn)了泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,開(kāi)啟了一場(chǎng)科技探秘之...
開(kāi)關(guān)電源的效率優(yōu)化方法 如何定制開(kāi)關(guān)電源解決方案
開(kāi)關(guān)電源的效率優(yōu)化方法 開(kāi)關(guān)電源的效率優(yōu)化是一個(gè)系統(tǒng)工程,涉及多個(gè)方面,以下是一些關(guān)鍵的優(yōu)化方法: 采用高品質(zhì)的變壓器 : 變壓器是開(kāi)關(guān)電源中的核心部件...
2024-11-29 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源IGBT 392 0
高頻逆變技術(shù)在點(diǎn)焊電源領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用探析
高頻逆變技術(shù)作為一種先進(jìn)的電能變換技術(shù),在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用,特別是在點(diǎn)焊電源領(lǐng)域,其創(chuàng)新應(yīng)用更是推動(dòng)了焊接工藝的革新與進(jìn)步。本文將圍...
2024-12-02 標(biāo)簽:逆變技術(shù)IGBT點(diǎn)焊電源 138 0
在逆變器應(yīng)用中提供更高能效,這款I(lǐng)GBT模塊了解一下
制造商和消費(fèi)者都在試圖擺脫對(duì)化石燃料能源的依賴,電氣化方案也因此廣受青睞。這對(duì)于保護(hù)環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢(shì)具有重要意義。電動(dòng)汽車(E...
青銅劍技術(shù)獲智光電氣“質(zhì)量先鋒獎(jiǎng)”
11月22日,在智光電氣2024年度供應(yīng)鏈高峰論壇上,青銅劍技術(shù)憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn),喜獲智光電氣頒發(fā)的“質(zhì)量先鋒獎(jiǎng)”。 ? 青銅劍技術(shù)的高性能IGB...
2024-11-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT青銅劍技術(shù) 251 0
英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM
高性能CIPOS Maxi轉(zhuǎn)模封裝IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二極管Emcon 7技術(shù)。由...
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