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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1237人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：2831個 瀏覽：249441次 帖子：479個

      igbt技術(shù)

      深入淺出解析IGBT的工作原理及作用

      本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸...

      2014-09-02 標(biāo)簽：IGBTGTR 38.4萬 8

      IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理詳解

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)...

      2018-06-28 標(biāo)簽：IGBTMOS 15.9萬 0

      igbt驅(qū)動電路原理圖

      本文主要介紹了多款igbt驅(qū)動電路及原理說明，另外還介紹了GBT驅(qū)動電路的常見形式。

      2018-08-16 標(biāo)簽：igbt驅(qū)動電路 12.0萬 0

      igbt模塊逆變器電路圖大全（六款igbt模塊逆變器電路設(shè)計原理圖詳解）

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      本文主要介紹了igbt模塊逆變器電路圖大全（六款igbt模塊逆變器電路設(shè)計原理圖詳解）。全橋式逆變器的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問題，正常工作情況下...

      2018-03-01 標(biāo)簽：逆變器igbt 11.9萬 0

      變頻器的工作原理和接線詳細(xì)圖文解析

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      變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動機(jī)的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、...

      2019-03-17 標(biāo)簽：變頻器IGBT電磁波 10.8萬 0

      三種IGBT驅(qū)動電路和保護(hù)方法詳解

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      本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用，以...

      2015-12-31 標(biāo)簽：IGBT2SD315驅(qū)動電路 9.2萬 0

      igbt工作原理視頻

      本文首先介紹了IGBT概念及結(jié)構(gòu)，其次介紹了IGBT工作原理及代換，最后介紹了它的應(yīng)用領(lǐng)域。

      2018-07-17 標(biāo)簽：IGBT晶體管 8.6萬 0

      太厲害了，終于有人能把IGBT講得明明白白

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      一文看懂IGBT

      2019-07-16 標(biāo)簽：IGBT 8.2萬 0

      igbt逆變器工作原理_igbt在逆變器中的作用

      igbt逆變器工作原理_igbt在逆變器中的作用

      本文主要介紹了igbt逆變器工作原理_igbt在逆變器中的作用。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組...

      2018-03-01 標(biāo)簽：逆變器igbt 8.1萬 0

      IGBT的作用是什么

      本文首先介紹了IGBT的作用及選型四個基本要求，其次介紹了IGBT選型方法及影響IGBT可靠性因素，最后介紹了IGBT使用注意事項(xiàng)及保管方法。

      2018-07-20 標(biāo)簽：IGBT晶體管 8.0萬 0

      一文讀懂mosfet與igbt的區(qū)別在哪

      一文讀懂mosfet與igbt的區(qū)別在哪

      由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)

      2017-11-21 標(biāo)簽：mosfet整流二極管igbt 7.8萬 0

      教你如何檢測IGBT管好壞的方法

      教你如何檢測IGBT管好壞的方法

      IGBT管好壞的檢測方法：IGBT 管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測，或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測前先將IGB...

      2018-05-18 標(biāo)簽：萬用表變頻器igbt 7.3萬 0

      igbt模塊怎么測量好壞

      IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入...

      2017-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體igbt晶體管 7.2萬 0

      常見igbt驅(qū)動芯片型號

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      2018-02-23 標(biāo)簽：igbt驅(qū)動芯片 6.8萬 0

      對MOSFET與IGBT詳細(xì)的區(qū)別分析以及舉例說明

      本文將對一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗，并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)...

      2018-01-31 標(biāo)簽：二極管mosfet拓?fù)?/a> 6.8萬 1

      IGBT是什么，IGBT工作原理,IGBT的特性是什么

      當(dāng)集電極被施加一個反向電壓時， J1 就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區(qū)擴(kuò)展。因過多地降低這個層面的厚度，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以，這個...

      2017-05-14 標(biāo)簽：電阻igbt晶體管 6.7萬 0

      如何用萬用表判斷IGBT的好壞

      如何用萬用表判斷IGBT的好壞

      本文主要介紹了IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理以及如何用萬用表判斷IGBT的好壞。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場...

      2018-01-12 標(biāo)簽：萬用表igbt晶體管 6.2萬 1

      IGBT短路保護(hù)之退飽和即Desat概念

      IGBT在工作的時候，一般是工作在飽和區(qū)的，就是下圖中的紅色區(qū)域。為什么？很容易理解，在這個區(qū)域Vce隨著Ic的變化非常小，因此損耗也就很小，功率半導(dǎo)體...

      2021-03-01 標(biāo)簽：三極管IGBT 6.0萬 2

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      IGBT的雙脈沖測試(Double Pulse Test)-Micro_Grid，歡迎加入技術(shù)交流QQ群：電力電子技術(shù)與新能源 905724684，關(guān)注...

      2019-06-29 標(biāo)簽：IGBT脈沖測試 5.6萬 0

      IGBT與MOS管的區(qū)別，IGBT與可控硅的區(qū)別，IGBT驅(qū)動電路設(shè)計

      IGBT與MOS管的區(qū)別，IGBT與可控硅的區(qū)別，IGBT驅(qū)動電路設(shè)計

      多的這個P層因內(nèi)有載流子，有電導(dǎo)調(diào)制作用，可以使IGBT在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此IGBT可以做到很高電壓（目前最大6500V），但由于載流...

      2017-05-14 標(biāo)簽：電路設(shè)計晶閘管mos管 5.5萬 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
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      • STM32單片機(jī)
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        Nexperia
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        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
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