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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

IGBT組成的H橋功率單元和級(jí)聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有什么不同?

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子設(shè)備中常用的高效能開關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導(dǎo)通壓降特點(diǎn)。

2024-05-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 2541 0

H橋的工作原理 H橋的控制方式有哪些

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H橋是一種用于控制電機(jī)方向和速度的電力電子電路。它由四個(gè)開關(guān)器件(可以是晶體管、MOSFET、IGBT等)組成,其布局類似于字母“H”,因此得名。

2024-05-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 4900 0

影響靜態(tài)均流的因素 IGBT芯片溫度對(duì)均流的影響

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并聯(lián)IGBT的直流母線側(cè)連接點(diǎn)的電阻分量,因此需要盡量對(duì)稱;

2024-05-10 標(biāo)簽:二極管IGBT雜散電感 1421 0

Vector與CSM助力核心技術(shù)創(chuàng)新,提升汽車終端用戶體驗(yàn)

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無論是“碳達(dá)峰,碳中和”的國(guó)家愿景,還是“到2025年,純電乘用車新車平均電耗降至12.0千瓦時(shí)/百公里,到2035年,純電汽車成為新銷售車輛的主流,公...

2024-05-10 標(biāo)簽:傳感器燃料電池新能源汽車 1362 0

基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)

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功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈?..

2024-05-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率模塊 1038 0

淺析電源功率模組完整的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程

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電動(dòng)汽車、新能源、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域廣泛使用高功率開關(guān)電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。

2024-05-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電磁兼容性 1075 0

功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動(dòng)測(cè)試與計(jì)算新方案

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柵極參數(shù)設(shè)計(jì)是通過理論計(jì)算或建模仿真,模擬器件的開關(guān)狀態(tài),掌握其動(dòng)態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計(jì)算。

2024-04-29 標(biāo)簽:MOSFETIGBTemc 1112 0

比亞迪e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊技術(shù)分析

比亞迪e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊技術(shù)分析

用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT,用萬用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“~”之間的導(dǎo)通性,顯示導(dǎo)通,壓降為0.379 V。

2024-04-28 標(biāo)簽:二極管原理圖萬用表 1161 0

門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響

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對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來說,門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對(duì)器件開關(guān)特性的影響,而今天我們來一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)...

2024-05-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 456 0

IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹

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IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場(chǎng)合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數(shù))

2024-04-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電源電壓 1584 0

IGBT并聯(lián)技術(shù)驅(qū)動(dòng)配置的優(yōu)化策略與實(shí)踐

IGBT并聯(lián)技術(shù)驅(qū)動(dòng)配置的優(yōu)化策略與實(shí)踐

1. 每個(gè)IGBT有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)器; 2. IGBT的連接形式接近于硬并聯(lián),兩橋臂交流輸出端通過銅排直接相連; 3. 可能存在發(fā)射極環(huán)流,但不同的IGBT...

2024-04-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電流探頭 1509 0

功率循環(huán)對(duì)IGBT壽命有何影響?如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢?

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運(yùn)行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會(huì)引起機(jī)械應(yīng)力,尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上,這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。

2024-04-24 標(biāo)簽:二極管IGBT功率器件 1203 0

比亞迪高壓電控總成IGBT模塊檢測(cè)指南

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.通電導(dǎo)通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT,用萬用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“~”之間的導(dǎo)通性,顯示導(dǎo)通,壓降為0...

2024-04-23 標(biāo)簽:二極管萬用表比亞迪 1146 0

光伏儲(chǔ)能有哪些芯片?

光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)中使用的芯片種類多樣,它們?cè)谙到y(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1586 0

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 如何確定IGBT的額定電壓?

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集電極-發(fā)射極額定電壓(UCES) :IGBT在截止?fàn)顟B(tài)下,集電極與發(fā)射極之間能夠承受的最大電壓。

2024-05-01 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)IGBT電源轉(zhuǎn)換 2879 0

IGBT的基本工作原理、開關(guān)特性及其輸入特性

IGBT的基本工作原理、開關(guān)特性及其輸入特性

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種三端子的半導(dǎo)體開關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)...

2024-05-01 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2739 0

PWM方式開關(guān)電源中IGBT的損耗分析

PWM方式開關(guān)電源中IGBT的損耗分析

 在任何裝置中使用IGBT 都會(huì)遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計(jì)問題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個(gè)直觀參數(shù)確定之后, 終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗...

2024-05-03 標(biāo)簽:PWMIGBT變壓器 598 0

揭秘電動(dòng)汽車IGBT芯片鍵合線

揭秘電動(dòng)汽車IGBT芯片鍵合線

在電控模塊中,IGBT模塊是逆變器的最核心部件,總結(jié)其工作原理:通過非通即斷的半導(dǎo)體特性,不考慮過渡過程和寄生效應(yīng),我們將單個(gè)IGBT芯片看做一個(gè)理想的開關(guān)。

2024-04-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 764 0

一文詳解IGBT半橋逆變電路

一文詳解IGBT半橋逆變電路

圖1是半橋式逆變電路的原理圖,它是在全橋式逆變電路的基礎(chǔ)上用電容C1、C2代替了Q3、Q4兩個(gè)IGBT管,而且一般C1=C2,

2024-04-19 標(biāo)簽:變壓器負(fù)載電流IGBT 1.1萬 0

IGBT的原理及應(yīng)用

IGBT的原理及應(yīng)用

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的核心器件,以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能在諸多領(lǐng)域中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。其工作原理基于絕緣柵結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高輸入阻抗與...

2024-04-18 標(biāo)簽:IGBT晶體管核心器件 1817 0

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    SDK
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      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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