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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT組成的H橋功率單元和級(jí)聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有什么不同?
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子設(shè)備中常用的高效能開關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導(dǎo)通壓降特點(diǎn)。
Vector與CSM助力核心技術(shù)創(chuàng)新,提升汽車終端用戶體驗(yàn)
無論是“碳達(dá)峰,碳中和”的國(guó)家愿景,還是“到2025年,純電乘用車新車平均電耗降至12.0千瓦時(shí)/百公里,到2035年,純電汽車成為新銷售車輛的主流,公...
基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)
功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時(shí)代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈?..
淺析電源功率模組完整的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程
電動(dòng)汽車、新能源、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域廣泛使用高功率開關(guān)電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。
2024-05-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電磁兼容性 1075 0
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動(dòng)測(cè)試與計(jì)算新方案
柵極參數(shù)設(shè)計(jì)是通過理論計(jì)算或建模仿真,模擬器件的開關(guān)狀態(tài),掌握其動(dòng)態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計(jì)算。
比亞迪e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊技術(shù)分析
用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT,用萬用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“~”之間的導(dǎo)通性,顯示導(dǎo)通,壓降為0.379 V。
門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響
對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來說,門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對(duì)器件開關(guān)特性的影響,而今天我們來一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)...
2024-05-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 456 0
IGBT驅(qū)動(dòng)器直接并聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)介紹
IGBT驅(qū)動(dòng)器在并聯(lián)的場(chǎng)合有2種配置方法(LS1,LS2為雜散參數(shù))
2024-04-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電源電壓 1584 0
IGBT并聯(lián)技術(shù)驅(qū)動(dòng)配置的優(yōu)化策略與實(shí)踐
1. 每個(gè)IGBT有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)器; 2. IGBT的連接形式接近于硬并聯(lián),兩橋臂交流輸出端通過銅排直接相連; 3. 可能存在發(fā)射極環(huán)流,但不同的IGBT...
2024-04-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電流探頭 1509 0
功率循環(huán)對(duì)IGBT壽命有何影響?如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢?
運(yùn)行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會(huì)引起機(jī)械應(yīng)力,尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上,這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。
.通電導(dǎo)通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號(hào)IGBT,用萬用表的二極管擋測(cè)量上橋臂“+”與“~”之間的導(dǎo)通性,顯示導(dǎo)通,壓降為0...
光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)中使用的芯片種類多樣,它們?cè)谙到y(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1586 0
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 如何確定IGBT的額定電壓?
集電極-發(fā)射極額定電壓(UCES) :IGBT在截止?fàn)顟B(tài)下,集電極與發(fā)射極之間能夠承受的最大電壓。
2024-05-01 標(biāo)簽:電動(dòng)機(jī)IGBT電源轉(zhuǎn)換 2879 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種三端子的半導(dǎo)體開關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)...
在任何裝置中使用IGBT 都會(huì)遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計(jì)問題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個(gè)直觀參數(shù)確定之后, 終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗...
在電控模塊中,IGBT模塊是逆變器的最核心部件,總結(jié)其工作原理:通過非通即斷的半導(dǎo)體特性,不考慮過渡過程和寄生效應(yīng),我們將單個(gè)IGBT芯片看做一個(gè)理想的開關(guān)。
2024-04-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 764 0
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