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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1237人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：2831個 瀏覽：249449次 帖子：479個

      igbt技術(shù)

      水下航行器電機的SiC MOSFET逆變器設(shè)計

      水下航行器電機的SiC MOSFET逆變器設(shè)計

      利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點, 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計。

      2024-03-13 標(biāo)簽：MOSFET逆變器IGBT 348 0

      Wolfspeed功率模塊對三相工業(yè)電機驅(qū)動的影響

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      為了確保系統(tǒng)可行、正常運行和優(yōu)化，我們使用不同的散熱器，將 IGBT 散熱器尺寸從 0.8 L 增大到 1.37 L，并將碳化硅散熱器尺寸減小 61%，...

      2024-03-06 標(biāo)簽：逆變器散熱器IGBT 332 0

      浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能

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      由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗，IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域，如電源、馬達(dá)驅(qū)動逆變器和電動汽車等。對更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...

      2024-11-06 標(biāo)簽：IGBTMOS功率器件 325 0

      碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

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      碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。

      2023-10-17 標(biāo)簽：MOSFET逆變器IGBT 324 0

      電動汽車動力系統(tǒng)中IGBT全面解析

      電動汽車動力系統(tǒng)中IGBT全面解析

      IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，作為MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件，是電動汽車動力系統(tǒng)的核心部件，以其高工作頻率、高電流性能和低開關(guān)損耗等特點，確保...

      2025-01-10 標(biāo)簽：電動汽車IGBT晶體管 324 0

      IGBT驅(qū)動器要考慮什么因素

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      各種拓?fù)鋵GBT驅(qū)動器的要求各不相同，比如： 兩電平拓?fù)渫ǔＲ蠖搪繁Ｗo(hù)和過壓保護(hù)即可。常用的短路保護(hù)方法又叫VCEsat或退保護(hù)監(jiān)控；過壓保護(hù)一般采...

      2024-12-09 標(biāo)簽：驅(qū)動器IGBT 317 0

      關(guān)于對碳化硅誤解的描述

      碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...

      2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT硅晶圓 310 0

      解析安森美的新款高功率QDual3技術(shù)

      解析安森美的新款高功率QDual3技術(shù)

      全球正加速向電氣化轉(zhuǎn)型，尤其是在交通和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。無論是乘用車還是商用/農(nóng)業(yè)車輛(CAV)，都在轉(zhuǎn)向電動驅(qū)動。國際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯...

      2024-11-15 標(biāo)簽：太陽能安森美逆變器 307 1

      淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢

      相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆 變器在這兩點均...

      2023-01-09 標(biāo)簽：控制器逆變器IGBT 305 0

      如何設(shè)計 IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動電路以防止誤觸發(fā)？

      如何設(shè)計 IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動電路以防止誤觸發(fā)？

      在設(shè)計IGBT或SiCFET橋接電路時，門驅(qū)動電路的正確設(shè)計與選擇晶體管同樣重要，以確保高可靠性。對環(huán)境的關(guān)注是可再生能源、智能工業(yè)和電動出行等趨勢背后...

      2024-11-05 標(biāo)簽：IGBT驅(qū)動電路SiC 303 0

      碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?

      碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?

      自電動汽車大規(guī)模普及的早期階段以來，碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比，寬禁帶材料具有更...

      2025-01-08 標(biāo)簽：IGBT碳化硅汽車 302 0

      關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些

      SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個工程術(shù)語，通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。

      2023-09-21 標(biāo)簽：IGBTSiC氮化鎵 302 0

      FHF20T60A型號IGBT適用于破壁機馬達(dá)驅(qū)動

      破壁機在人們?nèi)粘Ｉ钪幸呀?jīng)很常見了，終端客戶在使用的時候不僅僅關(guān)注外觀，更會關(guān)注影響產(chǎn)品質(zhì)量的馬達(dá)驅(qū)動的知識了。

      2023-07-06 標(biāo)簽：變頻器逆變器IGBT 281 0

      探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管

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      在當(dāng)今科技迅速發(fā)展的時代，電力電子技術(shù)正扮演著越來越重要的角色。如何提高電力設(shè)備的效率和可靠性，成為了眾多工程師和設(shè)計師們關(guān)注的焦點。而特瑞諾(trin...

      2024-10-31 標(biāo)簽：電力IGBT單管 272 0

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      IGBT在電力電子中的關(guān)鍵作用在當(dāng)今的電力電子技術(shù)中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能，在變頻器、電動汽車、...

      2024-12-26 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換IGBT光耦 258 0

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      安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導(dǎo)體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31IPM，QDual3。值得注意的是，背后都提到采用了...

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      2023-05-24 標(biāo)簽：IGBT光伏逆變器 230 0

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      今天講解的是下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢——環(huán)氧灌封技術(shù)給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 之前梵易Ryan對模塊分層的現(xiàn)象進(jìn)行了三期的分享，有興趣的朋...

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      本文介紹了硬件工程師入門的基礎(chǔ)元器件，包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對比了肖特基二極管與硅二極管的特性，探討了三極管作為開關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...

      2025-01-07 標(biāo)簽：三極管二極管MOS管 196 0

      激光焊錫在IGBT模塊上的優(yōu)勢

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        做單片機的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識，它是自動引導(dǎo)機器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！
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        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
      • K60
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        +關(guān)注
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        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • OBD
        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
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