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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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在此應用中IGBT的總功率損耗包含導通損耗、導電損耗、關閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計,而如果使用了零電壓開關(ZVS...
2013-12-18 標簽:IGBT 2250 0
基于PCI-9846H的死區(qū)時間引起的電壓波形畸變的研究
本文利用基于PCI-9846H的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)完成了對電機電量與非電量的采集,試驗結果表明基于PCI-9846H的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)具有高采樣率和高采樣精度,能...
2013-12-10 標簽:IGBTA/D轉換器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) 2765 0
兼顧高耐壓與低Vce(sat)性能的650V場截止溝槽式IGBT受熱捧
絕緣閘雙極電晶體(IGBT)是一種少數(shù)載子功率元件,擁有高輸入阻抗和高雙極電流功能,這些特性使其適用于多種電力電子產(chǎn)品,特別是馬達驅動器、不斷電系統(tǒng)(U...
2013-08-28 標簽:IGBT 1938 0
為讓電子產(chǎn)品設計人員在最短時間內(nèi),完成新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件特性評估作業(yè),功率半導體業(yè)者研發(fā)出更精密的線上設計工具,不僅能提供溫度和頻...
2013-08-15 標簽:IGBT 968 0
針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的35V、單通道柵極驅動器
對電能轉換而言,可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中,開關型功率轉換器通常為非隔離式,功率水平相當?shù)停ā?00 W),并...
淺談功率半導體的技術與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展
經(jīng)過了很長一段時間的發(fā)展,功率半導體在相關電源電路中的應用已經(jīng)不可替代。尤其是在當前太陽能著力發(fā)展的時代,功率半導體更是大踏步向前,雖然目前有著氮化鎵與...
正常IGBT的工作頻率在10—20kHz,其開關速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動機變頻調速中,它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體...
IR Gen8 1200V IGBT技術平臺為工業(yè)應用提升效率及耐用性
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8...
摘要: 現(xiàn)在市面上常見的UPS類型有后備式UPS、在線互動式UPS以及在線式UPS,眾多的品牌和廠商對其產(chǎn)品賣點的吹捧,使用戶在UPS產(chǎn)品選擇上失去了方...
隨著系統(tǒng)尺寸的進一步減小,封裝密度進一步升高,工業(yè)設備領域對功能器件的高溫操作需求越來越大。東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器,這款產(chǎn)品...
面對高度競爭化的混合動力車和電動汽車(HEV/EV)市場,動力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統(tǒng)效率、穩(wěn)定性和可靠性挑戰(zhàn)。 功率逆變器 在動力集成系統(tǒng)中至關...
全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出針對感應加熱、不間斷電源(UPS)...
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