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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1237人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：2831個 瀏覽：249449次 帖子：479個

      igbt技術(shù)

      聊聊二合一加強版的IGBT以及前身半導(dǎo)體器件

      從p型和n型半導(dǎo)體，到最基礎(chǔ)的pn結(jié)，到pnp/npn的BJT，到pnpn的晶閘管，再到單極性器件MOSFET，再到最終的IGBT，一步步折中優(yōu)化，使I...

      2022-11-10 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 409 0

      如何確保VFD的可靠性和運行的TVS二極管

      由于VFD /逆變器是提供電源的關(guān)鍵組件，因此它們的操作，性能和可靠性對于保持不間斷電源至關(guān)重要。本應(yīng)用筆記重點關(guān)注即使在不利條件下也可幫助確保VFD的...

      2023-03-30 標(biāo)簽：逆變器TVS二極管IGBT 406 0

      如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能

      如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能

      首先需要了解的是：接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，該信息...

      2023-02-27 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 406 0

      提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊

      提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊

      近年來，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計師的真正替代方案。到目前為止，大多數(shù)SiCMOSFET...

      2024-08-19 標(biāo)簽：IGBTSiCIGBT模塊 392 0

      碳化硅的超強性能

      碳化硅的超強性能

      電力半導(dǎo)體的進(jìn)步并不完全取決于節(jié)點尺寸的減小。硅電力開關(guān)，如MOSFETs和IGBTs，被設(shè)計用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開...

      2023-12-02 標(biāo)簽：IGBTSiCMOSEET 392 0

      柵極驅(qū)動DCDC電源模塊在電機驅(qū)動系統(tǒng)中的應(yīng)用

      柵極驅(qū)動DCDC電源模塊在電機驅(qū)動系統(tǒng)中的應(yīng)用

      在現(xiàn)代電機驅(qū)動系統(tǒng)中，高效能與高安全性是設(shè)計的核心目標(biāo)。而功率半導(dǎo)體器 (如 IGBT、MOSFET、SiC 和 GaN器件) 的性能直接決定系統(tǒng)的效率...

      2025-01-09 標(biāo)簽：電機IGBT驅(qū)動系統(tǒng) 391 0

      為什么EliteSiC M3S技術(shù)是高速開關(guān)應(yīng)用的更優(yōu)選擇？

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      安森美汽車電源部應(yīng)用工程師碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介電擊穿場強、能帶隙和熱導(dǎo)率，電力電子設(shè)計人員可以利用這些特性來開發(fā)比硅基IGBT器件效...

      2023-12-08 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器IGBT高速開關(guān) 390 0

      淺談MOS管的應(yīng)用場景

      所謂分立器件，顧名思義就是由單個電子器件組成的電路元器件，它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品，作用包括整流、開關(guān)、小信號放...

      2024-12-06 標(biāo)簽：三極管MOS管IGBT 388 0

      IGBT：能效革命中的不可或缺角色

      IGBT：能效革命中的不可或缺角色

      根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù)，從2020年IGBT市場的價值就達(dá)到60.47億美元，預(yù)計到2026年將增長至110.1億美元。報告指...

      2023-09-07 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 386 0

      半導(dǎo)體設(shè)計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破？

      半導(dǎo)體設(shè)計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破？

      基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中，但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開...

      2024-03-01 標(biāo)簽：電動汽車MOSFET逆變器 384 0

      二極管應(yīng)用手冊

      二極管應(yīng)用手冊

      本書介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù)，器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、...

      2023-09-14 標(biāo)簽：二極管MOSFETIGBT 382 0

      淺談變頻器

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      變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備。

      2023-03-09 標(biāo)簽：濾波變頻器控制電路 376 0

      IGBT絕緣特性

      IGBT絕緣特性

      IGBT絕緣特性 電子元器件（半導(dǎo)體模塊）中，隔離帶電部分和底板的材料，被稱作絕緣材料。在大功率半導(dǎo)體元器件中，往往使用陶瓷作為是一種高性能絕緣體的底板...

      2024-11-29 標(biāo)簽：絕緣IGBT陶瓷基板 376 0

      高壓柵極驅(qū)動器的功率損耗分析

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      高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...

      2024-11-11 標(biāo)簽：二極管MOSFETIGBT 369 0

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      碳化硅（SiC）技術(shù)帶來了無限的新機會。只要存在對高可靠性功率系統(tǒng)的需求，碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用（包括必須在惡劣環(huán)境中工作...

      2023-07-17 標(biāo)簽：MOSFET逆變器IGBT 363 0

      IGBT、MOSFET的發(fā)展情況解析

      IGBT、MOSFET的發(fā)展情況解析

      公開資料顯示，功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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      IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用

      IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用

      近年來，我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高，但能耗比卻居高不下，高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸，為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目，變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...

      2024-04-01 標(biāo)簽：變頻器IGBT熱仿真 361 0

      特瑞諾TGHP75N120FDR：高性能IGBT單管的理想選擇

      特瑞諾TGHP75N120FDR：高性能IGBT單管的理想選擇

      在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，高性能和穩(wěn)定性是設(shè)備設(shè)計中不可或缺的要素。今天，我們要重點介紹的TGHP75N120FDR正是這樣一款產(chǎn)品，由TRINNO(特瑞諾)...

      2024-10-15 標(biāo)簽：電源IGBT單管 360 0

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      真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT失效分析

      對于IGBT來說，無法簡單直觀地判斷實時的損耗程度，因此需要提前預(yù)測使用壽命，了解失效原因并加以預(yù)防。

      2024-12-23 標(biāo)簽：IGBT失效分析回流焊 354 0

      功率半導(dǎo)體模塊的功率循環(huán)

      功率半導(dǎo)體模塊的功率循環(huán)

      針對應(yīng)用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng)，當(dāng)下關(guān)注的焦點是采用何種技術(shù)以及具有多久的生命周期。

      2024-09-27 標(biāo)簽：IGBT功率半導(dǎo)體Littelfuse 350 0

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      • IOT
        IOT
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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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      • STM32F103C8T6
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        在眾多的51系列單片機中，要算國內(nèi)STC 公司的1T增強系列更具有競爭力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機內(nèi)部就自帶高達(dá)60K FLASHROM，這種工藝的存儲器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。
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        循跡小車
        +關(guān)注
        做單片機的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識，它是自動引導(dǎo)機器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！
      • 光立方
        光立方
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        LM2596
        +關(guān)注
        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動電流，同時具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
      • 光模塊
        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
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        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • OBD
        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
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